單基質白光LED熒光粉研究進展

曹遜, 曹翠翠, 孫光耀, 金平實

單基質白光LED熒光粉研究進展

曹遜, 曹翠翠, 孫光耀, 金平實

(中國科學院 上海硅酸鹽研究所, 高性能陶瓷和超微結構國家重點實驗室, 上海 200050)

白光LEDs(White Light-Emitting Diodes, WLEDs)作為一種新型的固體照明光源, 相對于已有光源(白熾燈、熒光燈等)具有發光效率高、響應速度快、壽命長等優勢, 在照明和顯示領域有著廣闊的應用前景。目前獲取WLEDs最常用的方法是藍光LED芯片激發YAG : Ce3+黃光熒光粉以及紫外-近紫外芯片激發三基色熒光粉(RGB混合熒光粉), 相比于以上兩種方式, 單基質WLEDs熒光粉由于能克服傳統RGB熒光粉顏色再吸收及配比調控的問題, 獲得較高的流明效率及較高色彩還原性而受到越來越多的關注。目前關于單基質白光熒光的研究已有大量文獻報道, 涉及多種材料體系, 按照發光原理的不同, 可以將其簡單地分為單離子激發體系、多離子激發體系以及不依賴于稀土離子發光的其他體系等。本文綜述了單基質WLEDs熒光粉的研究進展, 指出了其發展中存在的問題, 并對未來發展趨勢作了展望。

WLEDs; 單基質; 白光熒光粉; 綜述

白光LEDs(White Light-Emitting Diodes, WLEDs)作為一種新型的固體照明器件, 相較于其他光源具有: 小型固體化, 耐震動、不易損壞, 節能、光效高,壽命長, 無污染, 瞬時啟動、無頻閃等優點, 有望成為未來最重要的光源[1-2]。

目前, 制備WLEDs的方法主要有兩種: 一種是由發射波長為460 nm的InGaN藍光LED芯片和YAG:Ce熒光粉組成, 芯片發射的藍光激發熒光粉發射黃光, 藍光和黃光混合獲得白光。該類型器件的缺點是紅色發光成分不足, 導致WLEDs的顯色指數(CRI)較低, 同時該類器件的發光顏色受驅動電壓和熒光粉涂層厚度等工藝因素影響, 控制難度高, 導致白色發光性能不穩定。第二種方案是采用紫外-近紫外芯片激發三基色熒光粉(RGB混合熒光粉)實現白光發射, 可有效解決上述問題。由于人眼無法感知紫外–近紫外光, 整個器件的發光顏色由熒光粉的發射光譜決定, 因而具有寬帶發射和顯色指數(CRI)可調的特性[3]。然而, 多種熒光粉混合會造成顏色再吸收和配比調控難的問題, 使WLEDs的流明效率和色彩還原性受到較大影響。

基于以上分析, 研究者認為采用單基質白光熒光粉來實現白光發射優勢明顯。白光LED的發展圖示見圖1[4-6]。相比于InGaN藍光芯片/YAG:Ce黃色熒光粉, 使用單一基質白光熒光粉可實現更高的顯色指數, 更易調控的色溫以及更接近于白光的色坐標, 同時也解決了RGB混合熒光粉的再吸收問題[7]。因此, 單基質白光熒光粉成為當前發光領域的研究熱點, 據文獻報道, 各種單基質白光熒光材料層出不窮, 材料體系廣泛, 包括氟化物、鋁酸鹽類、硅酸鹽類、磷酸鹽類、鹵代磷酸酯、釩酸鹽類、鉬酸鹽類、鎢酸鹽類、氮氧化物、硫氧化物、氮化物、硫化物等等[8-18]。近年來, 出現許多新型的單基質白光熒光粉, 如半導體納米晶、鈣鈦礦、量子點、釩酸鹽等, 但報道中少有對單基質熒光體的系統總結。基于此, 本文對單基質白光熒光粉進行總結, 并指出目前存在的問題, 展望其未來的發展趨勢。

圖1 白光LED的發展

(a) InGaN藍光芯片/YAG:Ce黃色熒光粉白光LED; (b) RGB混合熒光粉白光LED; (c)單基質白光LED[4-6]

Fig. 1 Development of WLED

(a) blue light emitting InGaN chips/YAG:Ce yellow light emitting phosphor WLED; (b) WLED based on red-green-blue (RGB) emitting color phosphors; (c) WLED based on single-phase phosphor[4-6]

1 單離子摻雜體系

單離子摻雜熒光材料通常是由基體和激活劑構成, 激活劑的發光性能很大程度上受基體組成及性質的影響, 因此可通過改變基體的組成或者激活劑的添加濃度實現對熒光發射的調控。已有報道中, 單離子摻雜常用的離子為Eu2+, Eu3+, Dy3+。

Eu2+一般是通過4f6-5d1?4f7的躍遷實現寬帶發射。在眾多適合于Eu2+摻雜的基體中, 硅酸鹽體系和磷酸鹽體系表現出良好的性能, 可以為Eu2+提供多種格位。Eu2+與堿土金屬離子半徑相近, 很容易進入格位取代堿土金屬離子。Eu2+進入不同格位以后, 產生峰值位于不同區域的寬帶發射。通過改變基質組成, 可以調節發射峰的位置進而獲得白光發射[19-22]。

Kwon等[22]通過傳統的固相反應法制備出CaSrSiO4: Eu2+熒光粉并研究了其光學特性。圖2顯示了不同燒結溫度以及不同Eu2+濃度下的發射光譜, Ca1–xSr1–xSiO4:2Eu2+在510 nm處出現發射峰, 這是Eu2+4f6-5d1?4f7的躍遷所產生的, 且在1200 ℃, 2= 0.005時強度最高。將此熒光粉與400 nm GaN LED芯片進行封裝, 測得顯色指數高達95, 相關色溫5370 K, 如圖3所示, 適于作為白光LED光源。

總體而言, 利用Eu2+單離子摻雜可以實現白光發射, 但是Eu2+的熒光發射峰多集中于藍光和黃光(黃綠光)區域, 使獲得的白光中紅色成分較少, 導致顯色指數不高, 因此, 為了改善Eu2+摻雜熒光材料的白光發光性能, 提高顯色指數, 應增強材料的紅光發射強度[11]。

Eu3+是一種常見的紅色發光激活劑, 但是當Eu3+的摻雜濃度和主晶格的聲子能量足夠低時,5D0軌道產生的紅光與5D1,5D2,5D3軌道產生的綠光和藍光混合可得到白光。Annadurai等[23]通過傳統的高溫固相反應法合成出Ba3Y2B6O15:Eu3+熒光粉, 研究表明該熒光粉可以在393 nm處激發, 與近紫外LED芯片匹配良好, 并且在593 nm處顯示出強烈的橙紅色發射峰, 對應于5D0?7F1磁偶極子過渡, 如圖4所示, 摻雜不同濃度的Eu3+, 其發光強度有所不同。

圖2 不同燒結溫度(a)和不同Eu2+摻雜濃度下(b)的CaSrSiO4:Eu2+發射光譜圖[22]

圖3 400 nm GaN芯片與Ca1–xSr1–xSiO4:2xEu2+組裝成LED后的發射光譜(a)和CIE色度圖(b), 及其白光LED照片(插圖)[22]

圖4 (a)合成的Ba3Y1.3Eu0.7B6O15熒光體(λem= 593 nm和λex= 393 nm)在室溫下的PLE和PL光譜, (b)Ba3Y2–xEuxB6O15(x = 0.1, 0.3, 0.5, 0.6, 0.7, 0.9和1.0)熒光粉的PL光譜, 及其PL強度(593 nm)隨Eu3 +濃度的變化(插圖)[23]

Dy3+通常有兩個發射峰, 一個在藍光區域(470~500 nm), 一個在黃光區域(560~600 nm), 通過適當調節藍光和黃光的比例可獲得白光。Zhang等[24]通過高溫固相反應法合成了Dy : CaYAl3O7熒光材料, 其發射光譜及色坐標如圖5所示, 該熒光粉在477和574 nm處有兩個強烈的發射峰, 這分別歸因于Dy3+:4F9/2?6H15/2和4F9/2?6H13/2的躍遷。同時也發現黃光發射強度大于藍光, 所以位于色坐標中的黃光區域。

CaYAl3O7熒光粉中的能量轉移過程可以通過圖6中的能量轉移圖解釋。當Dy3 +在350 nm處激發時, Dy3 +離子從基態6H15/2能級轉移到激發態6P7/2。在激發態之間發生非輻射(NR)躍遷過程, 這導致6P7/2水平的群體迅速弛豫至4F9/2能級, 然后通過過渡4F9/2→6H15/2產生477 nm藍色發射, 并且可以通過4F9/2→6H13/2有效地獲得574 nm黃色發射。表1給出一些典型的Eu2+, Eu3+, Dy3+單離子摻雜白光熒光材料[25-30]。

2 多離子摻雜體系

如前所述, 藍光或紫外光通過熒光粉后被轉化成紅綠藍光或者藍光和黃光, 不同光色的混合有望實現白光發射。一些稀土離子, 如Eu3+, Tb3+, Dy3+, Tm3+, Sm3+, Er3+, Ho3+, Yb3+, Pr3+等, 可以發出各種不同顏色的光, 將這些稀土離子進行組合摻雜到單相基體材料中并控制其比例可以實現白光發射[11], 即為多離子摻雜白光熒光體系。多離子摻雜體系中會出現能量傳遞, 其中一種離子作為敏化劑, 將激發能全部或部分傳遞給激活劑, 但只有當敏化劑和激活劑基態–激發態的能量差基本相等(共振條件), 并且兩種體系之間存在合適的相互作用時, 才能發生能量轉移。這種相互作用可以是交換相互作用,也可以是電或磁多極相互作用[31-32]。基于能量傳遞機制的白光熒光材料近年來出現很多, 比如Ce3+/Mn2+, Eu2+/Mn2+, Ce3+/Tb3+, Ce3+/Eu2+, Ce3+/Dy3+等共摻雜。

圖5 具有不同Dy3 +摻雜濃度的CYAO磷光體的發射光譜(a)和CIE色度圖(b)[24]

圖6 CaYAl3O7熒光粉的能量轉移圖[24]

Lu等[33]利用高溫固相反應法合成出Eu2+/Mn2+共摻雜Ca10Na(PO4)7(CNPO), 在紫外光激發下, 只摻雜Eu2+的CNPO有兩個較寬的發射峰, 分別是406和450 nm, 如圖7所示。和Mn2+共摻雜時, Eu2+向Mn2+的能量傳遞可以使Mn2+的紅光發射增強。Eu2+吸收近紫外光以后, 從基態4f7躍遷到激發態4f65d1, 然后非輻射弛豫到4f65d1能級的最低處, 再回到基態時產生450 nm發射峰, 如圖8所示。此外, 處于4f65d1狀態的Eu2+離子可以通過共振能量傳遞過程將吸收的部分能量傳遞給4E等水平的Mn2+離子, 然后, 被激發的Mn2+非輻射弛豫到4T1(4G), 再回到基態6A1(6S), 產生以640 nm為中心的紅色發射峰。各種色光共混形成白光發射。表2給出了一些典型的多離子摻雜白光熒光材料。

圖7 CNPO:0.01Eu2+的激發劑發射光譜[33]

3 非稀土離子單基質白光熒光體系

上述白光發射體系多是以稀土離子作為激發劑實現白光發射, 近年來出現許多非稀土金屬離子白光熒光體系, 其中最具潛力的就是單基質白光熒光體系, 下面對其進行簡要介紹。

3.1 半導體納米晶白光熒光體系

半導體納米晶是一類不含稀土元素的新型發光材料, 具有發光可調、吸收系數大、吸收帶寬、發光光譜寬、量子產率高, 容易與封裝材料復合等優點, 在白光LED應用中有明顯優勢。其中一些已被證明能有效用于WLEDs的制造, 比如ZnCdS[44]、CdSe[45]、ZnCdSe[46]、CuInS[47]和InP[48]等。

一些典型的單相納米晶熒光粉, 比如富含陷阱的CdS納米晶, 尺寸可控型CdSe, 洋蔥結構CdSe/ZnS/CdSe/ZnS, 以及合金化的ZnCd1–xSe納米晶[49-54]等的發光是基于材料的表面結構, 所以合成時重復性較差, 使用時穩定性不足, 不利于 推廣應用。還有一些單組份雙發射納米晶, 例如CdSe/ZnS/CdSe, 可被藍光或紫外光激發產生白光, 但是這類材料的發射峰只可在很小的范圍內調節。目前廣受關注的納米晶白光熒光材料多為納米晶基質中引入過渡金屬的熒光體系, 例如Liu等[54]報道了一種Mn:CuInS2/ZnS核殼結構的納米晶材料, 發射峰在542~648 nm間可調；Ding等[55]也報道了一種CuInS2/Mn: ZnS納米晶材料, 由于ZnS外殼的鈍化, 實現了高的量子轉化效率。然而在這些研究中, 只有一個基于Mn2+激發而產生的窄發射峰, 而沒有Zn-Cu-In-S的帶邊發射峰, 無法有效用于WLED起到顏色轉換作用。Zhang等[56]又制備出一種基于Ⅲ-Ⅴ元素的納米晶材料InP, 被證明是一種有效的顏色轉換材料, 但是這種納米晶熒光粉原料昂貴, 且合成過程較為復雜。

表1 單離子摻雜單基質白光熒光材料總結

圖8 CNPO:0.01Eu2+,Mn2+(= 0, 0.1, 0.2, 0.4) 的發射光譜, 激發波長分別為276 (a), 320 (b)和355 nm (c); (d) 365 nm紫外燈照射下的熒光粉(下面一行)、日光下的熒光粉(上面一行)的照片, 其中的1, 2, 3, 4分別對應=0, 0.1, 0.2, 0.4[33]

Fig. 8 PL spectra of the CNPO:0.01Eu2+,Mn2+(= 0, 0.1, 0.2, and 0.4) under the excitations at 276 (a), 320 (b), and 355 nm (c), respectively; The photos of the phosphors (d) excited by 365 nm UV lamp (bottom row), and photos obtained in daylight environment (upper row). The photos 1-4 correspond to=0, 0.1, 0.2, and 0.4, respectively[33]

表2 多離子摻雜單基質白光熒光材料

2015年Peng等[57]通過簡單的非注入法合成出單相雙激發的Mn2+摻雜Zn–Cu–In–S納米晶材料。該材料在460 nm藍光激發下呈雙峰特征, 量子效率達46%, 其發射光譜見圖9。圖中, 460 nm的峰來自LED芯片發射的藍光, 530 nm的峰源自Zn–Cu–In–S四元體系的帶邊發射, 610 nm的峰源自摻雜的Mn2+。用該材料與460 nm芯片組裝成LED以后, 正向驅動電流為40 mA時, 顯色指數達到90, 色坐標為(0.334, 0.321), 相關色溫為5680 K, 并且LED器件穩定性良好, 具有用于WLEDs的潛力。

3.2 釩酸鹽白光熒光體系

1957年首次報道了寬帶發射的白光熒光粉堿金屬偏釩酸鹽AVO3(A=K, Ru, Cs), 其發射光波長在380~800 nm的可見光范圍內, 色坐標接近于白光。和其他稀土離子摻雜型熒光粉相比, 偏釩酸鹽熒光粉優勢明顯: 綠色環保、發光效率高、發光性能優異和制備溫度低等。AVO3屬于正交輝石結構, 如圖10所示, AVO3的VO4四面體并不是孤立的, 而是由兩個角上的氧原子共頂彼此連接成一維長鏈, 一維的VO4鏈呈二維平面排列, VO4層和A陽離子層沿著軸交替堆疊。AVO3具有250~390 nm的寬吸收帶, 并且在292和347 nm處出現吸收峰。發射波長在380~800 nm之間, 525 nm處的發射峰是由514和600 nm的雙峰組成, 釩酸鹽熒光粉的發光是由電子躍遷所致。V5+的Td軌道用1A1表示, 激發態用1T1、1T2、3T1和3T2表示, 其吸收光譜的兩個吸收峰歸因于從基態到1T1、1T2的躍遷, 而發射峰歸因于3T2到1A1、3T1到1A1的躍遷[58]。

圖9 不同電流下單相雙激發的Mn2+摻雜Zn–Cu–In–S納米晶材料的發光光譜圖[57]

圖10 AVO3的結構示意圖[58]

2008年Nakajima等[59]采用真空紫外輻照法在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性基板上制備偏釩酸銣薄膜(RbVO3), 并成功制得了白光LED器件。經測定, RbVO3和CsVO3的內量子效率分別達到了79%和87%。室溫下直接在PET襯底上合成熒光粉, 提供了一種能用于大面積及柔性發光器件的新方法。

2009年該團隊利用傳統的高溫固相反應法制備了AVO3(A=K,Ru,Cs)和M3V2O8(M=Mg,Zn)的系列白光熒光粉, 并對其發光性能進行了探究和總結[60], 結果見表3。

2015年, Nakajima團隊又發現了一種新的CsVO3合成方法—水輔助固相反應, 獲得了表面平整、粒徑4.3 μm的CsVO3多晶。在345 nm紫外光激發下, 內量子效率最高達到95.8%, 四個樣品的平均值為92.3%, 遠高于傳統的固相反應法制得的CsVO3[61]。

為解決CsVO3粉體的團聚現象, 李潔等[62]采用超聲偶聯–原位分散聚合法制備了CsVO3/P(S-MMA)復合熒光微球, 并將其旋涂成膜。研究發現, 復合后CsVO3的發光特性并沒有發生改變, 粉體的團聚現象得到了改善, 擴展了CsVO3在柔性發光與顯示器件中的應用。

表3 AVO3(A=K, Ru, Cs)和M3V2O8 (M=Mg, Zn)的光學性質[60]

本課題組對于AVO3熒光體系也做了探索與研究, 2017年Sun等[63]通過甲醇參與的固相反應法制備出四種不同的AVO3熒光粉: 白色CsVO3[CsVO3(W)]、黃色CsVO3[CsVO3(Y)]、白色RbVO3[RbVO3(W)]和紅色RbVO3[RbVO3(R)]。其中黃色CsVO3及紅色RbVO3是首次制備成功, 研究發現熒光粉的不同顏色及性能上的差異是由表面缺陷造成的。四種熒光粉都可以實現寬帶吸收及寬帶發射, 且CIE坐標接近白光區域, 表現出良好的光學性能。其具體參數見表4。

表4 不同AVO3熒光粉的光學性能[63]

作為白光熒學材料科的研究, 還包括釩酸鹽體系(Mg3(VO4)2, Ba3(VO4)2, YVO4, NaCaVO4, BiMgVO5)。Chen等[64]報道了不含稀土離子的Ca2NaZn2V3O12以及Eu3+和Sm3+摻雜的Ca2NaZn2V3O12熒光粉。發現在365 nm光激發下, Ca2NaZn2V3O12具有覆蓋400~ 700 nm的寬帶發射, 發射峰在497 nm處, Eu3+和 Sm3+摻雜的Ca2NaZn2V3O12發射峰也在497 nm附近, 由于VO4四面體和稀土離子之間的能量傳遞, 可 以通過控制摻雜稀土離子的濃度調控熒光粉的色 坐標。

3.3 鈣鈦礦白光熒光體系

過去十年中, 鹵化鉛鈣鈦礦由于其可調的光學帶隙、優越的光吸收和電子傳輸性能, 在光電領域廣受關注, 除光電性能以外, 鹵化鉛鈣鈦礦還表現出很高的光致發光量子效率, 這使其成為新型LED的潛在候選材料。Li等[65]在室溫下合成出CsPbX3(X=Cl,Br,I)無機鈣鈦礦量子點(IPQDs), 其熒光量子效率最高可達95%, 然而, 發射光譜半高寬很窄(如圖11所示), 紫外光或藍光激發下發出紅光、藍光或綠光, 無法實現單一基質白光發射, 報道中的白光發射是通過不同體系的組合實現的。

圖11 (a)365 nm紫外光激發下的CsPbX3(X = Cl, Br, I)無機鈣鈦礦量子點溶液及薄膜樣品, (b)吸收曲線, (c)不同組分的發射光譜[65]

基于綠色環保的考慮, 開發一種無鉛鈣鈦礦是實現綠色照明的手段之一。Luo等[66]發現非鉛雙鈣鈦礦(Cs2AgInCl6)熒光體系, 其熒光為白光, 覆蓋400~800 nm整個可見波段, 體現出基于其軟晶格導致的自限域激子激發發光特性, 并且通過引入鈉離子合金化以及摻雜痕量Bi制備出Cs2(NaAg)InCl6:Bi3+,進而獲得了最高發光效率達到86%的單基質白光熒光粉。在380~410 nm近紫外光激發下, 色坐標為(0.396, 0.448), 色溫4054 K, 基本滿足室內照明的需求。報道中, 該熒光粉在150 ℃熱板上連續發光1000 h, 發光強度幾乎無衰減；在無封裝條件下, 紫外激發連續發光1000 h發光強度也幾乎無衰減, 顯示出良好的穩定性。

對于鈣鈦礦關注比較多的是穩定性問題, 董等[67]采用全固態反應, 通過對球磨參數以及反應物配比等多種條件的調控研究, 實現了在空氣中可穩定放置60 d以上的BN/CsPbX3復合納米晶熒光粉, 其發光中心波長可覆蓋417~680 nm的范圍,發光峰半高寬為23~47 nm, 展示出極高的色純度。在出色的發光性能的基礎上, 進一步將其直接應用于白光LED照明, 獲得了出色、穩定的發光性能。在空氣中放置1 m后, 其亮度衰減僅為0.7%, 且連續工作2 h后, 衰減程度小于4%, 展現出優異的工作穩定性。

4 總結與展望

綜上所述, 單基質白光熒光體系相比于傳統白光熒光材料有許多優勢: 避免了熒光粉間的顏色再吸收以及配比調控導致的批次不均勻性, 提高了顯色指數和發光效率。各種類型的單基質白光熒光粉顯示出不同的特性, 各有優缺點。現對其優缺點進行簡單總結見表5。

表5 各類單基質白光熒光粉的優缺點

目前用于WLEDs的單基質熒光粉還存在較多問題, 性能方面, 各種類型的熒光粉其特性相差較大, 比如離子摻雜型熒光粉顏色易于調控, 但是發光強度和發光效率不高, 一些寬帶發射熒光粉發光效率高, 但穩定性差等。尋找一種材料能滿足各項要求: 較低的色溫(<6000 K), 較高的顯色指數(≥85%)以及高量子轉化效率(≥80%), 較好的穩定性[11], 仍需研究者們的不斷探索；成本較高, 由于部分原材料價格昂貴, 部分合成方法需要高溫環境等因素, 許多單基質白光熒光體系產品成本高出傳統照明光源很多倍；一些性能良好的單基質白光熒光材料合成溫度高, 物相復雜, 存在制備方面的問題, 批次穩定性有待提高；目前對單基質白光熒光粉的研究多限于制備和表征, 對熒光粉封裝后的發光特性的研究較少, 材料與器件的協作研究應受到更多關注。

因此, 單基質白光熒光材料還需在以下方面進行更深入的研究: 發光性能方面, 提高量子轉化效率及顯色指數, 降低色溫；穩定性方面, 通過摻雜、包覆等材料技術, 提高材料在高溫高濕等惡劣環境下的穩定性, 降低材料在藍光、紫外光激發下的衰減；制備方法方面, 探索常溫或較低溫度下的批量合成方法, 控制物相組成；發光機理方面, 進一步深入研究, 用以指導材料性能的改善以及研發新型單基質熒光發光材料；器件集成方面, 熒光粉與后續封裝等熒光器件制備工藝匹配問題, 應受到關注。

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Recent Progress of Single-phase White Light-emitting Diodes Phosphors

CAO Xun, CAO Cui-Cui, SUN Guang-Yao, JIN Ping-Shi

(State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

As a new solid-state lighting source, the white light-emitting diodes (WLEDs) have a greatly promising application in the field of lighting and display. They have superior advantages of high luminous efficacy, fast response speed and long service life,. compared with the existing light sources (incandescent lamps, fluorescent lamps,.). At present the WLEDs are commonly fabricated by combination of a blue LED chip and YAG: Ce3+yellow-emitting phosphor, and combination of a ultraviolet-near ultraviolet excitation chip and red-green-blue (RGB) emitting color phosphors, compared with the above two phosphors, the single-phase phosphors containing white emission have the advantages of a higher luminous efficacy, color rendering. Meanwhile, the single-phase phosphors may effectively solve the reabsorption problem existing in RGB phosphors. There have been a large number of reports on the research of single-phase phosphors, involving a variety of material systems. According to the principle of luminescence, it can be simply divided into three groups: single ion doped system, multi-ion doped system and other systems which do not rely on rare earth ion to light.This paper reviews the research progress of single-matrix WLEDs phosphors, and points out the problems in their development, and forecasts the future development trend.

WLEDs; single phase; white light emitting phosphor; review

TQ174

A

1000-324X(2019)11-1145-11

10.15541/jim20190045

2019-01-25;

2019-03-18

中科院青年創新促進會人才支持計劃(2018288); 上海市浦江人才(18PJD051); 高性能陶瓷和超微結構國家重點實驗室青年基金(SKL201703)The Youth Innovation Promotion Association, Chinese Academy of Sciences (2018288); The Shanghai Pujiang Program (18PJD051); The Science Foundation for Youth Scholar of State Key Laboratory of High-Performance Ceramics and Superfine Microstructures (SKL201703)

曹遜(1983–), 男, 副研究員. E-mail: cxun@mail.sic.ac.cn