GaAs射頻器件市場2020年進入新一波成長期

本報訊日前，集邦咨詢旗下拓璞產業研究院發布報告，由于現行射頻前端器件制造商因手機通信器件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料，加上隨著5G建設逐步展開，射頻器件使用量較4G時代倍增，預料將帶動GaAs射頻器件市場于2020年起進入新一波成長期。

拓璞產業研究院指出，由于射頻前端器件特性，包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等，在4G與5G時代有高度需求，傳統如HBT和CM08的si器件已無法滿足，廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。

而GaAs化合物半導體憑借本身電子遷移率較si器件快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應用于無線通信中的高頻傳輸領域。

由于4G時代的手機通信頻率使用范圍已進展至1.8GHz-2.7GHz，傳統3G的si射頻前端器件已不夠使用，加上5G通信市場正步入高速成長期，其使用頻段也將更廣泛，包含3GHz-5GHz、20GHz-30GHz，因此無論是4G或5G通信應用，現行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場發展來看，2018年下半年受到手機銷量下滑影響，沖擊GaAs通信器件IDM廠營收，預估2019年，IDM廠的總營收將下滑至58.35億美元，約下降8.9%。

然而，隨著5G通信持續發展，射頻前端器件使用數量將明顯提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G時代的2顆、4G的5顆-7顆，提升至5G時代的16顆。將帶動2020年整體營收成長，預估GaAs射頻前端器件總營收將達64.92億美元，年增11.3%。

整體而言，隨著各國持續投入建設5G基站等基礎設施，預估在2022年將達到高峰，加上射頻前端器件使用數量較4G時代翻倍，將可望帶動IDM大廠Sky-works（思佳訊）、Qowo（威訊）新一波營收成長動能。