打破低質量傳言，你仍對國產存儲抱有偏見嗎？

不知道為什么，很多人看到“國產”二字，就會不自覺地將山寨、劣質、易壞等詞聯系到一起。事實上，近年來國產存儲設備在嚴格質檢、加大技術研發力度的基礎上，已經可以給大家交出更完美的答卷了，尤其是長期以來備受壓力的閃存領域也取得了可喜的成績。

兆易創新NOR閃存收入超越美光

據CINNO Research公布的最新數據顯示，2019年第二季度的NOR閃存市場上，我國內地的兆易創新（GigaDevice）取得7700萬美元收入，環比猛增45.1%，是各家進步最快的，從而一舉超越美國閃存巨頭美光，從第五名來到了第四名，份額達到13.9%。前三第一是我國臺灣華邦（Winbond），第二是旺宏（Macronix），第三則是美國Cypress（賽普拉斯） 。截至目前，兆易創新NOR閃存累計出貨量已經超過100億顆，產品線也極為豐富，物聯網、可穿戴、消費類、工控、汽車電子、高性能等等領域都有突破。

NOR閃存是隨機存儲介質，用于數據量較小的場合，它的傳輸效率很高，可執行程序可以在芯片內執行（ XI P， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼 讀到系統RAM中。由于NOR的這個特點，嵌入式系統中經常將NOR芯片做啟動芯片使用，也就是很多人說的BIOS使用。NOR閃存的可靠性要高于NAND閃存，這主要是因為NOR型閃存的接口簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。這一次兆易創新的NOR閃存成績可以說是中國公司具有歷史性的進步。

長江存儲NAND閃存宣布量產64層3D NAND

可能有人說NOR閃存并不是消費者普遍應用的NAND閃存，并不能代表國產存儲的發展意義。在這里編輯有必要跟大家一起來回顧一下了。就在9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣布，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品的亮相可以說是中國自研閃存歷史上里程碑一樣的存在。

長江存儲算是國產閃存的標桿企業，一直致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，并計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。

如今亮相的長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。

國產主控性能趕上國際大廠產品

另外，不僅僅是閃存方面有了重要突破，在國產主控領域，聯蕓科技作為國產SSD主控芯片重要代表，也于6月展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技術及解決方案，全面覆蓋高、中、低PCIe接口SSD市場，可全面參與全球同規格SSD主控芯片競爭。

聯蕓科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型號：

高端：MAP1001帶DDR緩存，支持8CH X 4CE;

主流：MAP1003帶DDR緩存，支持4CH X 4CE;

性價比：MAP1002不帶DDR緩存，支持4CH X 4CE，支持 HMB方案。

該系列SSD控制芯片采用聯蕓科技自主研發的Agile ECC2糾錯技術，支持硬件RAID功能，支持端到端數據保護，支持NAND顆粒自適配技術。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4國密算法，支持先進的電源管理等。從主控的性能數據來看，已經趕上了國際主控大廠同級別產品的實力，而這一點，也充分證明了國產存儲實力的大幅度提升。

國產內存突破有研發無生產的困局

不管是缺貨還是漲價，這些都是國際大廠之間的跟風與競爭，恰恰給國產內存廠商帶來了新的機會和挑戰。今年6月30日，紫光集團發布公告稱，決定組建紫光集團DRAM事業群，全力加速發展國產內存。

8月27日，重慶市與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業基金，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

從DRAM存儲芯片制造工廠，到DRAM事業群總部，再到紫光云（南方）總部等，紫光在重慶的重大布局，在推動智能產業“補鏈成群”，推動經濟社會高質量發展上，具有十分重要的戰略意義。

想必很多讀者朋友對于近期內存硬盤漲價的風波都還記憶猶新，有人說缺貨，有人說原材料供應有問題，說到底，這些都是國際大廠之間的跟風與競爭，恰恰給國產內存廠商帶來了新的機會和挑戰。如今紫光旗下的DDR4內存芯片研發已經不是瓶頸了，而紫光擅長的是大規模投資，其DRAM事業群未來無疑會像NAND閃存那樣大手筆投資建廠，解決國內DDR4內存有研發無生產的問題。

國際大廠之爭，為國產存儲帶來發展契機

如今，因為貿易摩擦的原因，國內很多科技產業正在經歷至暗時刻，正因為現在如此艱難，才正是國產存儲的修行時間。目前，中國每年進口的集成電路超過3000億美元，其中存儲芯片占了大約1/3的份額，但DRAM內存及NAND閃存目前尚無國產廠商染指，國產率基本為0，其中高價值的內存幾乎壟斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中。我們必須承認國產存儲與國際大廠之間的差距，同時也應該積極迎接挑戰，認清現實，畢竟國產智能設備對于閃存的需求會越來越大，如果不依賴國際大廠的話，換個角度來看，國產閃存發展的前景是相當寬廣的。看到國產存儲市場如此積極的一面，不知道還有多少人質疑“國產”二字的分量呢？