新型無漏電納米線橋接生長技術解決傳感器材料穩定性問題

Nano Letters發表了大連理工大學黃輝教授團隊的一項研究成果——無漏電流“納米線橋接生長技術”。這項技術解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩定性問題，制備出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等。

黃輝團隊首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應，發明了一種結合氣流遮擋效應與表面鈍化效應的橋接生長方法，解決了寄生沉積問題，并首次實現了“無漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎上研制出高穩定性、低功耗以及高靈敏度的集成GaN納米線氣體傳感器，8個月電阻變化率＜0.8%，NO2檢測限達到0.5ppb。

GaN材料是第三代半導體，具有優異的穩定性（耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕）和生物兼容性，適用于嚴酷環境下的應力應變以及液體和氣體樣品的檢測（實驗證明氫氟酸腐蝕48小時未對GaN納米線產生影響），應用領域非常廣泛。