沈國新,劉金輝,周桂山,張 迪,曹 威
(廣東興發鋁業(河南)有限公司,焦作454550)
關鍵字:熱頂鑄造;6082合金;圓鑄錠;表層;成分偏析
6082合金屬于Al-Mg-Si系熱處理可強化鋁合金,具有中等強度、良好的焊接性能和耐腐蝕性,主要用于交通運輸和結構工程工業,如橋梁、起重機、屋頂構架和冷藏集裝箱等。近年來,隨著國家提倡節能減排,6082合金在集裝箱、車輛輕量化、代替鋼鐵部件的工業應用中迅速發展。
姜慶、李群對Al-Mg系5052合金表層成分偏析進行的研究表明,鑄錠表面成分Mg偏析嚴重,表層1mm處Mg的含量為正常基體的2倍左右,從表皮到中心方向逐步下降至基體成分,屬于典型逆偏析[1]。
朱光磊等人對Al-Si系4032合金表層成分偏析進行研究。結果表明,鑄錠表層Si成分先降后升,當檢測厚度達2.5mm時趨近基體的固定值。整體成分偏析規律呈正偏析[2]。
4032、5052是典型的工業材,合金成分較高,4032合金Si含量12%,5052合金Mg含量2.5%,合金成分高偏析現象明顯,對最終產品性能的影響更為明顯,故研究比較充分。6082合金中Si、Mg元素含量都不到1%,偏析范圍小不明顯,對型材力學性能的影響也是時隱時現,常常被人忽略,誤以為是熱處理工藝問題。經過長期跟蹤和大量數據的積累,發現大規格直徑6082表層化學成分存在一層不同于正逆偏析的特殊宏觀偏析層。
實驗材料6082圓鑄錠規格為φ292mm×6800mm;均質棒、白棒各一組。基體成分測量采用斯派克直讀光譜儀直接測量,徑向取12點取平均值,作為基體成分。為了克服能譜掃描區域激發范圍不足,我們采用的是分光度化學分析的方法,逐層車削取樣,逐層檢測。化學分析的優點是可以測出整個區域的平均成分,避免組織不均勻引起的成分偏析帶來的影響。對表層鋁棒取樣做金相檢測,分析金屬內部組織結構,分析形成機理。
光譜分析結果見表1所示。
從表1中可看出均質棒、白棒的成分在誤差內基本一致,誤差范圍很小。生產實際中,我們積累的大量光譜分析數據表明,合金成分在徑向分布是基本均勻的,不存在明顯偏析規律。

表1圓鑄錠徑向成分(質量分數/%)
6082的Si、Mg、Mn是根據分光度化學分析來檢測的。由于光電直讀光譜的激發孔徑為12mm,有效區域直徑為9mm。光譜儀無法檢測表層化學成分,故只能通過化學手段檢測。6082合金的基體成分為光譜檢測結果。檢測結果如表2、表3所示。其分布情況如圖1、圖2所示。

表2φ292-6082白棒表層主要成分

表3φ292-6082均質棒表層主要成分

圖1φ292-6082白棒表層主要成分分布

圖2φ292-6082均質棒表層主要成分分布
從上述檢測結果可得出:
(1)φ292-6082圓鑄錠表層存在明顯有規律的偏析層。該偏析層屬于宏觀偏析,不能通過成分均勻化熱處理消除,均質棒與白棒分布規律相同,不屬于逆偏析的范疇。
(2)偏析層中Si、Mg元素偏析規律及程度存在高度一致的正相關,變化曲線呈“勺子”形狀分布,先高后低再上升到基體成分。表層偏析層1mm厚度偏析最為嚴重,Si、Mg含量約為基體成分含量的2倍,其中Si含量更高;然后元素含量快速下降,一直下降到低于基體成分16%,保持一定的范圍,然后逐漸回升到與基體成分接近;Mn的偏析規律相似,但偏析程度相對很微小。
(3)圓鑄錠偏析層厚度約為6mm。在距離邊緣0~1mm的厚度層,Si、Mg成分含量非常高,約為正常基體成分的2倍。在1~2mm厚度處,成分偏析迅速減少,與基體成分接近而略高;在2~4mm處,成分偏析出現了反轉的現象,Si、Mg含量要明顯低于基體成分,下降了約16%;在4~5mm厚度處,Si、Mg成分開始回升,接近基體成分;在5~6mm處,成分與基體成分基本一致;6mm之外,由于可以通過光譜儀直接分析化學成分,結果沒有發現偏析現象。
(4)大量實驗證實,φ292-6082圓鑄錠表層偏析層是有規律性的、可重復出現的偏析現象。
為了研究6082圓鑄錠表層成分偏析的形成機理,我們將圓鑄錠(未均質)表層取樣做金相分析并對熱頂鑄造結晶凝固過程進行了深入分析。
將金相樣品測試面經磨光拋光+電解拋光后,進行金相顯微組織分析,得到圖3、圖4和圖5金相圖。

圖3細晶區(未均質)

圖4過渡晶區(未均質)

圖5正常晶區(未均質)
分析上述各金相圖后可知:
(1)圖3是鑄錠最表層的金相圖,可看出在鑄錠最表面約0~2mm區間存在一層晶粒非常細小的區域,區域內有大量豐富的樹枝晶網絡結構,呈骨骼樹枝狀生長。晶界大量分布聚集著Mg2Si及其他雜質相,偏析區共晶的體積比例遠高于正常基體組織。晶界間還含有大量空隙和較大的空洞。
(2)圖4是過渡晶區,細小的樹枝晶過渡到粗大的等軸晶,與正常晶粒一致,晶界網絡明顯減少,晶界第二相及其他相明顯減少。圖5是正常基體的金相組織。
將金相樣品測試面經磨光拋光+電解拋光/堿液腐蝕后進行體視鏡觀察。觀察結果如圖6~圖9所示。
由于細晶區已覆蓋整個100倍視場,偏析層厚度無法正常測出,故改用放大倍數較低的體視鏡進行測量,整個偏析層的原貌可以很直觀呈現出來。
正如圖6~圖9所示,可以很清晰表現出圓鑄錠偏析層各層之間的原貌。0~1mm厚度處是密集的細晶區,溶質成分要遠高于基體化學成分。約2mm處為細晶區過渡區,所以化學成分迅速下降,與基體接近但略高出。在2~4mm厚度層內,Si、Mg元素含量明顯低于基體成分。從圖中可以明顯看出,在相同的腐蝕條件下無論是電解拋光還是堿蝕,該厚度層腐蝕程度明顯高于表層及正常基體。到6mm處,腐蝕情況與基體相同。

圖6電解拋光

圖7拋光后堿液腐蝕

圖8電解拋光

圖9拋光后堿液腐蝕
6082圓鑄錠采用熱頂鑄造方式生產(見圖10)。鑄錠結晶凝固時熱交換分為3個階段:第一階段,液態金屬進入結晶器與石墨環接觸,迅速進行熱交換,快速凝固,形成硬殼;第二階段,由于結晶器使鑄錠快速凝固,而導致鑄錠在徑向產生收縮,鑄錠與石墨環之間產生氣隙,因為空氣導熱率減少,導致熱交換急劇下降到最低;第三階段,當鑄錠從結晶器出來,受到噴水冷卻時,熱交換又劇烈進行,鑄錠迅速凝固[3]。

圖10熱頂鑄造示意圖
在實際生產中,由于結晶器的冷卻作用,靠近結晶器石墨環的鑄錠首先凝固。由于凝固而產生的鑄錠收縮,鑄錠外殼離開石墨環,產生氣隙使鑄錠冷卻速度減緩,導致液穴溫度回升,凝固外殼產生局部軟化和重熔現象,此時填充在枝晶間的和晶界的低熔點相,在金屬液穴金屬靜壓力的作用下,沿著枝晶間和晶粒間隙流到鑄錠表面,形成偏析層[4]。當鑄錠從結晶器出來,受到噴水冷卻時,熱交換又劇烈進行,鑄錠迅速凝固。
圓鑄錠模具結晶器的石墨環高度為30mm,到水孔位置10mm,水孔以一定傾角強傾向鑄錠,使得鑄錠在離開結晶器后,還要經過10mm距離才與冷卻水直接接觸。所以,從結晶器石墨環頂部到直接噴水冷卻位置距離達50mm。在實際生產中,根據觀察石墨環的痕跡,可以基本確定,在石墨環約10mm處,鑄錠外殼就已經凝固收縮,形成氣隙,鑄錠第一階段熱交換結束。第二階段熱交換開始,從石墨環頂端10mm到距離直接噴水冷卻位置約為40mm。按照φ292-6082鑄錠速度為68mm/min,可以計算出第一階段熱交換時間約為8s,第二階段熱交換時間為35s,第三階段熱交換從水冷開始到鑄造結束。
從6082熱頂鑄造的結晶凝固過程可推導出鑄錠表層偏析的形成過程:
(1)第一階段冷卻是從鑄錠邊緣向中心急劇冷卻,形成細小晶粒,晶界間因為沒有鋁液及時補縮,出現微小縮孔。縮孔內部屬于負壓,重熔時會形成吸力,吸引晶界間的液體沿晶界網絡向邊緣移動。
(2)第二階段熱交換急劇下降導致液穴中鋁液開始加熱鑄錠邊緣,從中心到邊緣殼層逐步出現軟化及重熔。第二階段時間長達35s,重熔過程有充分的時間進行。
(3)根據Al-Mg2Si二元平衡相圖可看出,Al-Mg2Si共晶在595℃就熔化成液態,溫度繼續上升,晶粒溶解縮小,晶界擴大變寬。當晶界網絡連通時,表層晶界上的顯微縮孔的負壓及液態金屬靜壓力充當吸力及壓力,將表層附近高溶質鋁液推送到表面附近,造成表層0~2mm厚度成分偏高。從圖3中可看出表層晶粒雖細小,但晶界寬大,網絡發達,遠超正常基體。
(4)表層2~4mm厚度層,由于冷卻較邊緣表層慢,結晶時有相對多溶質排出到晶界造成晶界溶質富集,晶粒內部溶質貧乏。當第二階段熱交換開始時,該區域晶界溶質富集區由于熔點低首先熔化,并逐步移動到鑄錠表層附近,而晶界間則被基體鋁液替代。該區域由溶質貧乏的晶粒加基體鋁液組成。
(5)第三階段冷卻開始時,晶界間鋁液重新凝固,晶粒長大,晶界縮小,但溶質富集的晶界間化合物轉移到表層,替代的是基體成分,結果必然造成此區域成分低于基體成分。
(6)在6082合金中,Si、Mg元素以Mg2Si金屬間化合物形式存在,并且Si元素相對過量,并在晶界會形成Al-Mg2Si共晶。
通過上述分析可以推斷出,Si、Mg元素偏析規律及偏析程度會保持高度一致,而Si元素因為過量會導致偏析程度稍高,圖1、圖2中的實驗結果與推斷完全吻合。
(1)熱頂鑄造方式生產的6082圓鑄錠表層存宏觀偏析層,Si、Mg、Mn主要合金元素都存在偏析,Si、Mg偏析規律及程度高度一致。偏析規律表現呈“勺子”形狀分布,表層0~1mm高出基體成分約2倍;2~4mm則低于基體成分約16%;5mm之后逐漸接近基體成分。
(2)圓鑄錠表層的偏析層不屬于逆偏析的范疇,它是由熱頂鑄造的生產方式造成的。鑄造過程存在不同冷卻階段,導致結晶凝固過程反復,最后形成有特殊偏析規律的偏析層。
(3)熱頂鑄造6082圓鑄錠偏析層的形成機理是:鑄錠在凝固結晶過程中,表層經歷了急劇冷卻凝固-晶界重熔-溶質在晶界網絡流動-再凝固過程。晶界重熔引起溶質流動,溶質流動導致表層不同區域出現成分偏析,最終形成“勺子”形狀、先高后低再回升到基體成分的偏析層。