硅單光子探測器

2019年10月16日，來自科技部網站消息，由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔的“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目近日通過了科技部專家組的中期檢查。

2017年6月，“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目作為國家重點研發計劃“重大科學儀器設備開發”重點專項獲得1400萬專項資金資助。經過近兩年的努力，研究人員突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設計、界面電場調控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關鍵技術，開發出硅單光子探測器樣機。

硅單光子探測器具有超高靈敏度，是300～1100nm波段超高靈敏探測不可替代的關鍵芯片，且器件性能穩定可靠、易形成面陣，是實現遠距離精密測量、激光雷達等重大科學儀器的關鍵核心部件之一。目前，國內硅單光子探測芯片主要依賴進口，且陣列芯片禁運。開展硅單光子探測器的自主化研究對獨立自主研制精密測量、激光雷達等裝備具有重要意義。