中國開創第三類存儲技術

吳振東

4月15日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊透露，他們開創了第三類存儲技術，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數據存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

據了解，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數據后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數據，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來。此次研發的新型電荷存儲技術，既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定制（10秒—10年）的可調控數據準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內存中可以極大降低存儲功耗，同時能實現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。