張加程,高曉強(qiáng),孫高勇
(中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所,河北 石家莊 050051)
隨著電子通信的發(fā)展,要求的通信頻率越來(lái)越高,毫米波頻率源已經(jīng)成為發(fā)展趨勢(shì);傳統(tǒng)的毫米波頻率源大多采用倍頻的方案,倍頻器的引入必然會(huì)增加整體功耗,增加產(chǎn)品體積,而且會(huì)帶來(lái)1/2和3/2次諧波。毫米波振蕩器的研制成為解決該問(wèn)題的關(guān)鍵,因此對(duì)毫米波振蕩器的開(kāi)發(fā)是必然趨勢(shì)。
雙極性晶體管以其優(yōu)異的1/f噪聲性能被廣泛應(yīng)用于振蕩器中。GaAs HBT工藝已經(jīng)發(fā)展的成熟和穩(wěn)定,同時(shí)代工廠器件模型的準(zhǔn)確性也越來(lái)越高,利用ADS原理圖和版圖仿真,設(shè)計(jì)芯片的成功率大幅提升,單片VCO越來(lái)越成為未來(lái)毫米波振蕩器發(fā)展方向[1]。與低頻振蕩器相比,毫米波振蕩器由于其頻率較高,因此對(duì)器件的各個(gè)寄生參數(shù)更加敏感,在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須充分的考慮各個(gè)寄生參數(shù)的影響,設(shè)計(jì)難度更大。本文基于振蕩器負(fù)阻分析理論,得出了影響振蕩器輸出頻率的主要因素,并提出了一種改善方法,利用該方法設(shè)計(jì)了一款毫米波壓控振蕩器,經(jīng)測(cè)試,該壓控振蕩器在調(diào)諧電壓0-20V變化時(shí),輸出頻率可覆蓋21-30GHz。
振蕩器的分析方法一般有兩種,一種是反饋分析法,另外一種是負(fù)阻分析法[2]。本文采用的分析方法為負(fù)阻分析法。負(fù)阻分析法將振蕩器分為兩部分,一部分為產(chǎn)生負(fù)阻的電路,通常由有源器件及其外圍電路組成,另一部分為有損的諧振電路部分,通常由變?nèi)荻O管以及電容、電感組成?!?br>