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(廣東工業(yè)大學 機電工程學院,廣東 廣州 510006)
TiN具有高熔點、高硬度、高化學穩(wěn)定性、耐磨損以及優(yōu)良導電性等[1],作為第二相可以較好地改善Si3N4陶瓷的力學性能和導電性能[2-4]。Si3N4陶瓷具有優(yōu)異的高溫抗氧化性能,在1000℃以下基本不發(fā)生氧化[5],然而TiN抗氧化性能較差,在1000℃以下已發(fā)生顯著氧化[6-7]。因此,TiN作為第二相,惡化了Si3N4基陶瓷的抗氧化性能。例如, Feldhoff等人[8]研究了Si3N4-TiN復相陶瓷在600~1100℃之間的氧化行為,發(fā)現(xiàn)第二相TiN在650℃開始發(fā)生氧化,生成TiO2:
2TiN+2O2=2TiO2+N2↑[9-10]
(1)
原位顯微結(jié)構(gòu)觀察表明,反應生成TiO2附著在復相陶瓷的最外表面。
由于TiN優(yōu)先氧化,為準確評價Si3N4-TiN在1000℃以下的氧化行為,需對TiN自身氧化行進行透徹的研究。研究人員通過X射線衍射分析和熱重分析對TiN氧化進行了初步的研究。例如,Desmaison等人[11]對TiNx在O2氣氛中氧化機制的復雜性和獨特性進行了解釋,討論了不同溫度和壓力對TiNx氧化機制的影響,并提出相應的數(shù)學模型。胡等[12]對微波合成的TiN進行了氧化,通過DTA-TG綜合熱分析,研究了TiN的氧化分解過程。然而,缺乏對TiN氧化過程中顯微形貌的演化分析研究。
本文研究了TiN粉體在600~800℃下的氧化行為,通過XRD分析和參比強度法對TiN氧化程度進行了評價,并進行了氧化動力學分析,觀察探討了TiN粉體在氧化過程中顯微形貌的變化。
實驗原料為TiN粉體(平均粒度1μm,純度99.9%)。氧化實驗過程為:用精密天平稱取1g的TiN置于氧化鋁坩堝中,將其放入馬弗爐,在空氣氣氛中加熱,升溫速率為10℃/min,分別升溫至600、700和800℃,并保溫不同的時間。氧化產(chǎn)物用D8 Advance型XRD儀分析,工作電壓40Kv;工作電流40mA;掃描范圍:10~90°;Cu靶輻射(λ=0.15406nm)。同時,利用參比強度法[13]計算氧化產(chǎn)物中TiN和TiO2的質(zhì)量分數(shù)(見式(2)、(3)):
(2)
(3)

圖1為TiN粉體在600~800℃、不同氧化時間下氧化后形成產(chǎn)物的XRD圖譜。同時,結(jié)合參比強度法,計算得到的氧化產(chǎn)物中TiO2的質(zhì)量分數(shù)見表1所示。當氧化溫度為600℃、保溫時間為0.5h時,TiN已開始氧化,但氧化形成的TiO2衍射峰較弱,其含量約為13.0wt%;當氧化時間增加到3h時,雖然TiN衍射峰仍然較強,但TiO2衍射峰顯著增強,氧化產(chǎn)物中TiO2含量已達到43.1wt%;繼續(xù)增加氧化時間到5h時,氧化形成的TiO2已成為主相,其含量為58.3wt%,但仍有大量的TiN未發(fā)生氧化。
當氧化溫度為700℃保溫時間為0.5h時,從圖1和表1可以明顯地看出,大部分TiN粉體已經(jīng)被氧化,產(chǎn)物中TiO2含量高達71.5wt%;氧化時間增加到3h時,TiN粉體已基本氧化為TiO2,產(chǎn)物中TiO2含量高達96.6wt%。而當氧化溫度為800℃時,氧化時間僅需要0.5h,TiN粉體就已完全氧化為TiO2。此外,當氧化溫度為600和700℃時,氧化產(chǎn)物TiO2中均含有少量的銳鈦礦相,氧化溫度為800℃時,無銳鈦礦相存在,全部為金紅石相。
由于TiN粉體在700和800℃保溫時氧化速率較快,很難準確進行等溫氧化動力學分析。因此,本文主要研究了TiN粉體在600℃時的等溫氧化動力學。通常,氧化動力學研究主要是基于熱重分析數(shù)據(jù)。本文提供了一種較為簡易的方法,基于XRD圖譜結(jié)合參比強度法,進行TiN粉體的等溫氧化動力學分析。
根據(jù)氧化產(chǎn)物中TiO2的質(zhì)量分數(shù),可以計算出已經(jīng)發(fā)生氧化的TiN粉體的質(zhì)量,其與原始TiN粉體質(zhì)量的比值即為TiN粉體的氧化程度。圖2為TiN粉體在600℃時不同氧化時間下的氧化程度。可以看到,在600℃時TiN粉體的氧化程度與氧化時間的關(guān)系服從線性變化規(guī)律,這表明TiN粉體氧化主要受化學反應控制[14]。

圖2 TiN粉體在氧化溫度為600℃時氧化程度圖Fig.2 Oxidation degree of TiN powder in the 600℃
根據(jù)氧化程度趨勢圖(圖2),TiN粉體在600℃氧化行為可分為兩個過程:氧化0~2h階段和氧化2~5h階段。對這兩個過程進行了線性氧化動力學分析,線性氧化動力學模型的方程式見式(4)[15]:
x=kt
(4)
式中,x為氧化程度,k為速率常數(shù),t為保溫時間。根據(jù)式(3)進行氧化動力學計算,在氧化前期(0~2h),氧化速率常數(shù)為0.147s-1;在氧化后期(2~5h),氧化速率常數(shù)為0.068s-1。這表明,隨著氧化程度的增加,TiN粉體氧化機制均為化學反應控制,沒有發(fā)生變化,但其氧化速率卻降低了。在空氣環(huán)境600℃氧化時,氧化前期TiN粉體的表面氧化生成TiO2層,雖然TiO2層致密性較差,不能顯著阻礙氧氣的擴散和改變TiN粉體的氧化機制,但隨著氧化程度的提高,后期較厚的TiO2層仍可以降低TiN粉體的氧化速率。
圖3為TiN粉體在不同氧化階段時形成產(chǎn)物的顯微結(jié)構(gòu)。在氧化前期(600℃/3h),大尺寸的TiN顆粒表面已經(jīng)開始有輕微的裂紋,見圖3(b)中白色箭頭所示,小尺寸的TiN顆粒此時變化不大,未出現(xiàn)明顯的裂痕。同時,顆粒邊緣較為圓滑,這是因為TiN顆粒的棱角處更易發(fā)生氧化反應。在氧化中期(600℃/5h),顆粒已經(jīng)發(fā)生顯著的開裂,見圖3(c)中白色箭頭所示。在氧化末期(700℃/2h),顆粒開裂較為嚴重,大部分顆粒已經(jīng)破碎為數(shù)個小顆粒,見圖3(d)中白色箭頭所示。圖4為TiN粉體未氧化與完全氧化后的表面形貌圖的比較。TiN粉體未氧化時,顆粒表面光滑且棱角分明;完全氧化后,顆粒表面被氧化為一個個小顆粒且邊緣圓滑。

圖3 TiN粉體不同氧化階段的顯微結(jié)構(gòu) (a) 未氧化; (b) 氧化前期,600℃/3h; (c) 氧化中期,600℃/5h; (d) 氧化末期,700℃/2hFig.3 Microstructure of TiN powder at different oxidation stage (a)Unoxidized; (b) In the early oxidation stage,600℃/3h; (c) In the medium-term oxidation stage,600℃/5h; (d) In the late oxidation stage,700℃/2h

圖4 TiN粉體未氧化與完全氧化后表面形貌圖的比較 (a) 未氧化; (b) 完全氧化Fig.4 Surface morphology of oxidized TiN powder in different stage (a) Unoxidized; (b) Full-oxidized
TiN的密度為5.43g/cm3,TiO2的密度為4.23g/cm3。因此,1體積的TiN氧化后,可以形成1.6倍體積的TiO2。這表明,TiN氧化過程中會發(fā)生顯著的體積膨脹,導致TiN顆粒發(fā)生開裂,并最終破碎。同時,顆粒的開裂甚至破碎為氧氣的擴散提供了通道,可以進一步加速TiN的氧化。圖5為TiN粉體氧化過程中的結(jié)構(gòu)演化示意圖。

圖5 TiN氧化示意圖Fig.5 TiN oxidation schematic
1.TiN粉體在600℃時已發(fā)生顯著氧化;在700℃保溫0.5h時,產(chǎn)物中TiO2含量高達71.5wt%;在800℃保溫0.5h時,TiN粉體已完全氧化為TiO2。當氧化溫度為600℃和700℃時,產(chǎn)物TiO2中含有少量的銳鈦礦相,氧化溫度為800℃時,全部為金紅石相。
2.基于XRD圖譜結(jié)合參比強度法,進行TiN粉體的等溫氧化動力學分析。在600℃時,TiN粉體氧化在前期(0~2h)和后期(2~5h)均遵從線性動力學,受化學反應控制,但在前期和后期的氧化速率常數(shù)分別為0.147s-1和0.068s-1,在后期氧化速率顯著降低。
3.顯微結(jié)構(gòu)觀察表明,隨著氧化的進行,完整的TiN顆粒逐漸產(chǎn)生開裂,并最終破碎為TiO2小顆粒。同時開裂加速了氧氣的擴散,促進TiN粉體的氧化。