米級(jí)單壁碳納米管薄膜的連續(xù)制備及全碳電路研制獲進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院金屬研究所先進(jìn)炭材料研究部孫東明團(tuán)隊(duì)與劉暢團(tuán)隊(duì)合作，提出了一種連續(xù)合成、沉積和轉(zhuǎn)移單壁碳納米管薄膜的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了米級(jí)尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜的連續(xù)制備，并基于此構(gòu)建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。研究人員采用浮動(dòng)催化劑化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)爐的高溫區(qū)域連續(xù)生長(zhǎng)單壁碳納米管，然后通過(guò)氣相過(guò)濾和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)在室溫下收集所制備的碳納米管，并通過(guò)“卷到卷”轉(zhuǎn)移方式轉(zhuǎn)移至柔性PET基底上，從而獲得了長(zhǎng)度超過(guò)2 m的單壁碳納米管薄膜。