最近,俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院(NUST MISIS)工作人員提出了一種層狀二硫化鉭隱藏潛在狀態的形成理論,從而確證了二硫化鉭可用來長期儲存信息,并能以超快速度處理信息。
二硫化鉭是一種富有前景的現代微電子材料。謝爾蓋·布拉佐夫斯基2014年與斯洛文尼亞的同行一起,發現了其隱藏潛在狀態。他們用超短激光或電子脈沖照射尺寸小于100納米的二硫化鉭樣本,使樣本從絕緣體變成了導體(或者相反),轉變速度比現代計算機中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍,且狀態在受照射后并未消失,而是保存下來。由此顯示,這種材料有潛力成為新一代信息載體的候選。
據《科技日報》