二硫化鉭可作超快存儲器機制獲解
2018-05-14 12:06:00
科學(xué)導(dǎo)報 2018年26期
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最近，俄羅斯國家研究型技術(shù)大學(xué)莫斯科國立鋼鐵合金學(xué)院（NUST MISIS）工作人員提出了一種層狀二硫化鉭隱藏潛在狀態(tài)的形成理論，從而確證了二硫化鉭可用來長期儲存信息，并能以超快速度處理信息。
二硫化鉭是一種富有前景的現(xiàn)代微電子材料。謝爾蓋·布拉佐夫斯基2014年與斯洛文尼亞的同行一起，發(fā)現(xiàn)了其隱藏潛在狀態(tài)。他們用超短激光或電子脈沖照射尺寸小于100納米的二硫化鉭樣本，使樣本從絕緣體變成了導(dǎo)體（或者相反），轉(zhuǎn)變速度比現(xiàn)代計算機中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍，且狀態(tài)在受照射后并未消失，而是保存下來。由此顯示，這種材料有潛力成為新一代信息載體的候選。
據(jù)《科技日報》
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