新技術可讓金屬鉑“化身”半導體

華義

日本研究人員最新研究發現，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為，這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知，有助于推動相關領域發展。

此外，研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用，在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。

研究小組稱，這一發現與傳統的固體物理學常識不符，將有助于電子學和自旋電子學領域的發展。