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氧橋聯希夫堿GdNi雙核配合物磁學性質理論研究

2018-04-19 08:35:20范光鼎羅樹常李曉青方春平
山東化工 2018年6期

范光鼎,羅樹常, 2 ,殷 俊,李曉青,方春平

(1.貴州工程應用技術學院化學工程學院,貴州 畢節 551700;2.貴州省化學化工實驗教學示范中心,貴州 畢節 551700)

自1864年發現席夫堿(Schiff堿)以來[1],Schiff堿及其金屬配合物因其具有特殊活性和極強的配位能力,在超氧化物歧化酶及生理活性、醫學、催化、分子基磁性材料等領域有廣泛的應用前景而備受關注[2-3]。由鑭系金屬離子與過渡金屬離子通過有機橋聯配體形成的3d-4f金屬配合物具有優異的光、電、磁功能,它結合了4f金屬離子高的自旋基態、大的負磁各向異性及3d過渡金屬離子強的磁相互作用,在高密度信息存儲磁性材料、量子計算機、多功能分子基磁體等領域有潛在的應用價值而引起科學家廣泛關注[4-10]。本文以南開大學劉欣教授等[4]人用席夫堿配體、醋酸鎳和硝酸釓合成的氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]來研究順磁中心GdIII和NiII間的磁交換作用機理,通過與實驗值進行比較。以此來選擇密度泛函理論結合對稱性破損態方法(DFT-BS)計算氧橋聯希夫堿GdNi雙核配合物磁耦合常數的條件,以期為希夫堿GdIIINiII雙核配合物磁學性質的研究提供一定理論參考。

1 計算方法及模型

1.1 計算模型

為考察DFT-BS方法下計算氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物磁耦合常數時泛函、基組等因素對計算結果的影響,選取氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]為計算模型,如圖1所示。計算所用結構均來自X-射線單晶衍射數據,為作改動。

圖1 氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]結構

1.2 計算方法

順磁中心GdIII和NiII間相互作用可用HDVV哈密頓量描述:

(1)

JGdNi表示順磁中心GdIII和NiII間的磁耦合常數,它的符號和絕對值的大小表達了其磁耦合作用大小和強弱[10]。JGdNi>0,順磁中心是鐵磁性相互作用,JGdNi<0,則為反鐵磁性相互作用[10]。

采用DFT-BS方法計算雙核過渡金屬配合物的磁耦合常數,計算公式為

(2)

所有計算使用 ORCA4.0.1 軟件[11]在貴州工程應用技術學院化學工程學院計算化學實驗室正睿I2TS2-8898HV 服務器上完成[10], 所有圖形用 VMD 1.9.2[12]顯示[10]。

采用DFT-BS方法,選取2種局域密度近似方法、5種廣義梯度近似方法、7種混合密度泛函方法和6種含動能密度的meta-GGA方法,選用TZVP(Gd為SARC2-DKH-QZVP)基組計算磁耦合常數Jcalc值,選取最好的一種泛函方法測試不同基組對磁耦合常數Jcalc值的影響。

2 結果與討論

2.1 磁耦合常數J

表1為20種方法在TZVP(Gd為SARC2-DKH-QZVP)基組下計算的磁耦合常數Jcalc值。由表1可知,四類密度泛函方法計算的磁耦合常數均大于零,與實驗測量結果Jexp =1.83 cm-1一致。2種局域密度近似方法(LDA和VWN3)計算的結果分別為2.25 cm-1至2.04 cm-1,與實驗值的差值較大,主要是因為在密度泛函理論中局域密度近似最粗略。5種GGA泛函方法(PBE、BP86、BLYP、XLYP、PW91)計算的數值在1.51 cm-1至1.91 cm-1之間,極差僅有0.40 cm-1,其數字與實驗值1.83 cm-1都比較接近,其中Perdew和 Wang于1992年提出的PW91方法計算的結果1.82 cm-1與實驗值1.83 cm-1極其吻合。7種混合泛函方法(B3LYP、O3LYP、X3LYP、PBE0、B3P86、mPW1LYP、mPW1PW)計算的結果在1.17 cm-1至1.71 cm-1之間,極差為 0.54 cm-1,與實驗值相差較大。6種meta-GGA泛函方法(M06、M06-L、M06-2X、TPSS、TPSS0、TPSSh)計算的結果在0.91 cm-1至2.00 cm-1之間,其極差達到了1.09 cm-1,與實驗值1.83 cm-1相差較大。所以計算中選用PW91方法計算氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的磁耦合常數Jcalc值。

表1 TZVP(Gd為SARC2-DKH-QZVP)基組下不同泛函對磁耦合常數J的影響(Jexp=1.83 cm-1)

表1(續)

為了測試基組對計算結果的影響,選用PW91方法,在QZVP(SARC2-DHK-QZVP)、TZVP(SARC-DHK-TZVP)、TZVP、TZV基組下計算氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]磁耦合常數Jcalc值,結果見表2。

表2 PW91方法、不同基組下對磁耦合常數J的影響(Jexp=1.83 cm-1)

由表2可知,采用PW91方法在不同基組下計算氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的磁耦合常數Jcalc值,其數值1.79 cm-1至1.98 cm-1之間,其極差為0.19 cm-1,說明基組對氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物磁耦合常數計算的影響不太,且選用混合基組(Gd原子為SARC2-DHK-QZVP,其他原子使用TZVP基組)計算得到的數值最吻合。所以選擇在較合適的PW91/TZVP(Gd為SARC2-DHK-QZVP)水平,研究氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的磁學性質是合適的。

2.2 分子磁軌道

在分子磁學中,分析氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的分子磁軌道組成,有助于理解配合物順磁中心間的交換作用[10,13-16]。在PW91/TZVP(Gd為SARC2-DHK-QZVP)水平計算得到氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的分子磁軌道,其中BS態下局域于某一順磁中心的軌道為局域磁軌道,如圖2(a)-(d)所示。HS態下單占據磁軌道為分子磁軌道[10,13-16],如圖3(a)-(d)所示。

圖2 GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]局域磁軌道

圖3 GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]分子磁軌道

由圖2(a)-(d)所示的局域磁軌道可以看出,在氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]中,未成對電子主要是局域在順磁中心Gd(1)和Ni(2),而與其配位的原子上也獲得少量的電子[10]。由圖3(a)-(d)所示的分子磁軌道可知,順磁中心Gd(1)和Ni(2)與橋聯配體三氟乙酸根離子、席夫堿配體之間存在較強的軌道相互作用,順磁中心間存在三個磁交換通道,即兩個氧橋(O(3)、O(4))和1個羧酸橋(O(5)、C(6)、O(7)),分子磁軌道主要由順磁中心Gd(1)的4f軌道、順磁中心Ni(2)的3dxz與3dx2-y2軌道、席夫堿配體提供的橋聯配位O原子和三氟乙酸根離子提供的橋聯配位O原子的p軌道組成。

2.3 自旋布居分析

分析氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的自旋密度分布,有利于理解順磁中心間相互作用機理[10]。順磁中心與周圍配位原子自旋密度符號相同為自旋離域機理,相反時為自旋離域機理[10,13-17]。

在PW91/TZVP(Gd為SARC2-DHK-QZVP)水平下計算得到氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]HS態和BS態的自旋密度,表3列出了BS態下順磁中心Gd(1)、Ni(2)與周圍配位原子的自旋電子在各原子軌道上的分布,其中正號和藍色為α自旋,負號和黑色為β自旋[10]。

圖4 GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]HS和BS態的自旋密度圖

從圖3可知,無論HS態(圖4(a))還是BS態(圖4(b)),順磁中心Ni(2)和周圍配位原子O(3)、O(4)、O(7)、O(14)及席夫堿配體中N(15)、N(16)的自旋密度符號都同為負號或同為正號,即NiII離子主要是自旋離域作用[17]。無論HS態(圖4(a))還是BS態(圖4(b)),順磁中心Gd(1)和周圍配位原子O(3)、O(4)、O(5)、O(8)、O(9)、O(10)、O(11)、O(12)、O(13)的自旋密度符號都相反,即GdIII離子主要是自旋極化作用[17]。在BS態中,NiII離子的自旋電子(-1.566663 e)明顯地離域到周圍配位原子上,包括橋聯配體O(3), O(4)( -0.066862 e, -0.058232 e);端基配體N(15), N(16)( -0.086509 e, -0.089068 e);直接與Ni配位的三氟乙酸根離子和水中的氧,即O(7)(-0.071632 e)和O(14) (-0.039298 e)。而GdIII離子的自旋電子(6.986841 e)主要是局域的,自旋密度呈球形分布,并誘導周圍配位原子(三氟乙酸中的O(5)、六氟乙酰丙酮O(9)、O(10)、O(11)、O(13)和席夫堿配體中的O(3)、O (4) 、O(8)、O(12))自旋極化,其結果使得周圍配位原子的自旋密度符號與GdIII離子的自旋密度符號相反[10]。從氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2] BS態自旋電子在各原子軌道上的分布中可以看到(如表3所示),Ni的自旋電子主要是3d電子-1.551668 e,4s和4p上只有-0.016218 e, 0.001223 e。而Gd的自旋電子主要是4f電子6.891593 e,也有少量的5d, 6s, 6p(0.010457 e, 0.018748 e, 0.066038 e)自旋電子。其橋聯配位原子O(3)、O(4)受到順磁中心GdIII自旋極化和順磁中心NiII自旋離域的共同作用[10,17]。其在HS態(圖4 (a))和BS態(圖4 (b))中都與NiII的自旋密度符號相同,說明NiII的自旋離域作用大于GdIII的自旋極化作用對橋聯氧原子的影響[10,17]。

表3 GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]BS態的自旋電子在原子軌道上的分布

3 結論

采用DFT-BS方法研究了氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2],選擇局域密度近似、GGA、混合泛函、meta-GGA四類方法計算了配合物的磁耦合常數,選用5種基組(QZVP(SARC2-DHK-QZVP)、TZVP(SARC-DHK-TZVP)、TZVP、TZV)進行測試。結果表明,四類方法都能用于預測氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]磁學性質,但GGA泛函方法中的PW91泛函的計算值與實驗值極其吻合,基組對磁耦合常數的影響不大。所以,選擇在PW91/TZVP(Gd為SARC2-DHK-QZVP)水平下研究氧橋聯希夫堿GdIIINiII雙核配合物[Ni(HL)(H2O)(tfa)Gd(hfac)2]的磁學性質。自旋布居分析顯示,Gd(1)以自旋極化為主,Ni(2)以自旋離域為主。分子磁軌道分析表明,順磁中心間存在三個磁交換通道,即兩個氧橋(O(3)、O(4)和1個羧酸橋(O(5)、C(6)、O(7)),分子磁軌道主要由順磁中心Gd(1)的4f軌道、順磁中心Ni(2)的3dxz與3dx2-y2軌道、席夫堿配體提供的橋聯配位O原子和三氟乙酸根離子提供的橋聯配位O原子的p軌道組成。

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