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(西安衛(wèi)光科技有限公司,陜西西安,710065)
電力電子技術(shù)、集成電路制造工藝技術(shù)、微控制器技術(shù)等高速發(fā)展,使得功率電力電子裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,如輸配電系統(tǒng)、功率補(bǔ)償裝置、電作動(dòng)機(jī)構(gòu)、變頻電源,其應(yīng)用遍布空、天、地、海軍用領(lǐng)域,以及工業(yè)領(lǐng)域和民用領(lǐng)域[1,2]。隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,電力電子器件突破散熱、開(kāi)關(guān)損耗、開(kāi)關(guān)延遲等瓶頸之后,其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)得到進(jìn)一步的拓展[3,4]。可控型電力電子器件,能夠讓設(shè)計(jì)者通過(guò)控制器控制其開(kāi)通和關(guān)斷工作狀態(tài),改變主電路的輸出功率,使被控對(duì)象的工作狀態(tài)滿足預(yù)期的需求,得到廣大電力電子裝置設(shè)計(jì)者的青昧。
在電力電子裝置里面,可控型電力電子器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào),是唯一的能夠改變功率輸出的因素[5]。連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一側(cè)為電力電子器件。相應(yīng)的電力電子器件置于功率主電路中,承受高電壓、大電流的連續(xù)沖擊。連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)的另一側(cè)為微控制器。相應(yīng)的微控制器及其相應(yīng)外圍電路屬于弱電范疇。高壓側(cè)的電壓波動(dòng),以及PWM斬波控制,會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾,對(duì)微控制器的程序正常運(yùn)行產(chǎn)生影響,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞微控制器。因此在電力電子驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,往往采用隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù),使得低壓側(cè)和高壓側(cè)不存在電氣互聯(lián)特性,切斷高壓側(cè)電氣干擾的途徑,以保證微控制器在惡劣電磁環(huán)境中穩(wěn)定可靠的工作,提供電力電子裝置系統(tǒng)的可靠性[6]。
本文在分析可控型電力電子裝置隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)基礎(chǔ)上,對(duì)比了典型隔離驅(qū)動(dòng)方式的特點(diǎn),以指導(dǎo)相關(guān)電力電子裝置設(shè)計(jì)和電力電子模塊化設(shè)計(jì)。
為提高可控型電力電子器件電路的可靠性,驅(qū)動(dòng)信號(hào)隔離技術(shù)經(jīng)常被采用,其基本電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 隔離型驅(qū)動(dòng)電路框圖
可控型電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路中,驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生一般采用微控制器。微控制器的可選類型許多,如單片機(jī)、DSP、ARM等。微控制器產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)的方式,主要采用閉環(huán)的形式,對(duì)比給定信號(hào)和反饋信號(hào),結(jié)合系統(tǒng)所采用的控制律,以PWM信號(hào)的形式進(jìn)行輸出。每個(gè)可控型電力電子器件對(duì)應(yīng)一路PWM信號(hào)。
考慮到PWM斬波控制的對(duì)象為高壓信號(hào),且電路中的電磁干擾較為嚴(yán)重,隔離芯片經(jīng)常被采用,以提高電路的可靠性。隔離芯片主要用于實(shí)現(xiàn)高壓側(cè)和低壓側(cè)的電氣隔離。隔離芯片輸入側(cè)和輸出側(cè)的信號(hào),在電源及地線方面不能共用,常通過(guò)DC/DC隔離電源模塊,實(shí)現(xiàn)電源和地線的電氣不相連。
對(duì)于可控型電力電子器件來(lái)說(shuō),其驅(qū)動(dòng)信號(hào)存在諸多要求,如電壓幅值、上升時(shí)間、下降時(shí)間等。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,常采用專用芯片,實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)放大,以滿足驅(qū)動(dòng)信號(hào)的需求。IR系列的芯片,如IR2103、IR2130等,廣泛應(yīng)用于可控型電力電子器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)放大環(huán)節(jié)。
可控型電力電子器件在DC/DC、DC/AC、AC/DC、AC/AC四種電力電子變換電路中,存在廣泛的應(yīng)用。依據(jù)被可控的程度,可分為半控型電力電子器件和全控型電力電子器件。前者的典型代表芯片為晶閘管;后者典型代表芯片為MOSFET、IGBT。基于硅的電力電子器件,幾乎占據(jù)整個(gè)電力電子裝置市場(chǎng)。隨著槽柵、FS、SJ等半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的提升,基于硅的可控型電力電子器件制造技術(shù),遇到瓶頸。寬禁帶半導(dǎo)體器件在耐壓、過(guò)流、開(kāi)關(guān)速度、散熱等方面的優(yōu)勢(shì),使得該類器件具有較大的發(fā)展空間。國(guó)外的Cree、Rohm都有成熟的碳化硅MOSFET的市場(chǎng)產(chǎn)品。
當(dāng)前,應(yīng)用于可控型電力電子裝置的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)主要分類三大類:光電隔離、磁隔離、光纖隔離。下面將針對(duì)這三種隔離技術(shù)進(jìn)行對(duì)比分析。
光電隔離技術(shù)主要通過(guò)發(fā)光二極管和光敏三極管實(shí)現(xiàn)信號(hào)的無(wú)電氣互聯(lián)特性傳輸,且發(fā)光二極管和光敏三極管集成在同一個(gè)芯片中,其原理圖如圖2所示[7,8]。
圖2中,輸入信號(hào)為高電平時(shí),發(fā)光二極管D將導(dǎo)通,發(fā)出光源。光敏三極管T接收到發(fā)光二極管D發(fā)出的光之后,使得集電極和發(fā)射極之間導(dǎo)通。整個(gè)電路會(huì)輸出低電平。輸入信號(hào)為低電平時(shí),發(fā)光二極管D將截止,使得光敏三極管T截止。集電極和發(fā)射極之間斷路。借助于上拉電阻R2,整個(gè)電路會(huì)輸出高電平。電阻R1為限流電阻,用于防止發(fā)光二極管D過(guò)流產(chǎn)生損壞。電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,R1和R2電阻值需要設(shè)計(jì)者根據(jù)實(shí)際信號(hào)的需求自行選取。

圖2 光電耦合信號(hào)傳輸原理圖
光電隔離技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn):
①成本低;
②芯片設(shè)計(jì)制造簡(jiǎn)單;
③輸入信號(hào)的頻率可以高達(dá)數(shù)十MHz。
光電隔離技術(shù)具有如下缺點(diǎn):
①傳輸延遲較大;
②開(kāi)關(guān)速度較慢,對(duì)信號(hào)的前沿和后沿產(chǎn)生較大的延時(shí);
③多路應(yīng)用中,各個(gè)光耦器件的參數(shù)需要一致,增加了電路設(shè)計(jì)難度。
磁隔離技術(shù)主要建立在變壓器的初級(jí)線圈和次級(jí)線圈進(jìn)行能量傳輸時(shí),無(wú)電氣特性相連基礎(chǔ)上上[9,10]。實(shí)現(xiàn)磁隔離的主要途徑是采用ADI公司生產(chǎn)的ADUM系列芯片。該系列芯片將CMOS技術(shù)和芯片尺寸變壓器有機(jī)結(jié)合起來(lái),其基本原理如圖3所示。圖中的變壓器,是實(shí)現(xiàn)信號(hào)隔離的核心部件。

圖3 典型磁隔離芯片工作原理
采用磁隔離技術(shù)具有以下特點(diǎn):
①輸入信號(hào)的頻率可以高達(dá)百M(fèi)Hz;
②單個(gè)芯片可以實(shí)現(xiàn)多路信號(hào)的隔離,在多個(gè)可控型電力電子器件的聯(lián)合控制過(guò)程中,具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì);
③屬于電壓型器件,外圍電路設(shè)計(jì)較簡(jiǎn)單。
磁隔離技術(shù)具有如下缺點(diǎn):
①芯片價(jià)格較高;目前主要采用國(guó)外的ADUM系列器件實(shí)現(xiàn)。
②強(qiáng)磁環(huán)境下應(yīng)用的可靠性較低。
光纖隔離技術(shù)主要通過(guò)光纖進(jìn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)的隔離,由發(fā)射器和接收器兩部分構(gòu)成[11,12]。發(fā)射器和接收器由兩個(gè)獨(dú)立的部件構(gòu)成,有別于光電耦合器件的接收和發(fā)射在同一部件上。其基本工作原理如圖4所示。

圖4 驅(qū)動(dòng)信號(hào)光纖隔離
圖4所示的這種隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中,接收器借助內(nèi)部集成的LED燈,發(fā)出nm量級(jí)波長(zhǎng)的光波。借助于光纖,光波將會(huì)被傳送到接收端。接收器在接收端將光波解碼后,控制可控型電力電子器件的開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)前,絕大多數(shù)光纖隔離,都采用Agilent公司的產(chǎn)品,如HFBR-1522型發(fā)射器、HFBR-2522型接收器。
光纖隔離技術(shù)主要具有以下優(yōu)點(diǎn):
①輸入信號(hào)的頻率可以高達(dá)MHz;
②傳輸距離遠(yuǎn);
③抗電磁干擾性能好;
④隔離電壓較高;
光纖隔離技術(shù)主要具有以下缺點(diǎn):
①同時(shí)實(shí)現(xiàn)多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的隔離,所需的外圍部件較多;
②光纖的機(jī)械強(qiáng)度較低,使得光纖易損壞;
③光纖接口處理需要特殊的設(shè)備,制作較困難。
可控型電力電子器件驅(qū)動(dòng)信號(hào)的隔離,在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中必須十分重視。從隔離信號(hào)處理的原理出發(fā),對(duì)比不同隔離技術(shù)的基本原理、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),給驅(qū)動(dòng)信號(hào)的設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)思想。伴隨著智能功率技術(shù)的提升,給驅(qū)動(dòng)、器件集成化設(shè)計(jì),提供一定的基礎(chǔ)。
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