這里是我和氮化鎵成長的沃土

○文 徐科

2006年8月，我第一次來到蘇州工業(yè)園區(qū)的獨墅湖畔，這里正在籌建中國科學院蘇州納米所。幾天后我聯(lián)系上了畢業(yè)后一直在蘇州工作的大學同學，告訴他我來蘇州了，在獨墅湖這邊。

他很驚訝：“你在那里干什么啊，那邊都是水稻田?！蔽覀兡莻€時候臨時在獨墅湖圖書館辦公，然后搬到了仁愛路上的南京大學蘇州研究院，并有了臨時實驗室。

來蘇州工業(yè)園區(qū)不到兩周，我就感覺到了這里的不一樣，從園區(qū)領(lǐng)導到一線人員，大家做事風風火火、爭分奪秒，充滿了激情。那個時候籌建中的蘇州納米所也提出了“一邊建設、一邊科研”，園區(qū)更鼓勵研究所能夠?qū)⒖蒲腥藛T成果盡快產(chǎn)業(yè)化。

我從1995年讀博士的時候就開始從事氮化鎵半導體材料的研究，氮化鎵的化學符號是GaN，一般大家讀為“干”。 到蘇州的時候我從事這個領(lǐng)域的已經(jīng)研究20年了，受到園區(qū)氛圍的影響，所以下決心要好好干一番，瞄準產(chǎn)業(yè)界的難題“氮化鎵單晶襯底”開始出發(fā)，創(chuàng)辦了蘇州納維科技有限公司。

今天來看，第三代半導體已經(jīng)被認為是支撐未來智能時代發(fā)展的基礎材料，是我們目前提出的物聯(lián)網(wǎng)、5G通信甚至到萬物互聯(lián)全面發(fā)展所必須的半導體材料，以GaN為代表的第三代半導體材料在照明、顯示、通信、電力等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展有著舉足輕重的戰(zhàn)略地位。

過去的10年是氮化鎵發(fā)展最快的10年，也是氮化鎵半導體技術(shù)在蘇州園區(qū)生根發(fā)芽的10年，很多同事和朋友都說我趕上了個好時候。確實如此，從我們創(chuàng)辦蘇州納維科技有限公司向氮化鎵單晶材料發(fā)起沖鋒的時候，蘇州工業(yè)園區(qū)出臺了“科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才”項目，我有幸成為第一批科技領(lǐng)軍人才，獲得了項目啟動資金和園區(qū)風險投資基金的支持，隨后又獲得蘇州市的首屆姑蘇人才項目支持。

回頭看一下我來蘇州的12年，正是園區(qū)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的12年，正是堅定推進科技領(lǐng)軍人才政策的12年，歷盡艱難終于打造出獨具特色的納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)和生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)，近年來又在向人工智能等領(lǐng)域延伸發(fā)展。盡管這些科技領(lǐng)軍企業(yè)的產(chǎn)值還不高，但是在眾多的細分領(lǐng)域已經(jīng)出現(xiàn)了隱形冠軍，技術(shù)和產(chǎn)品具備了國際競爭力，逐步涌現(xiàn)出獨角獸企業(yè)，一片高科技產(chǎn)業(yè)的森林已經(jīng)郁郁蔥蔥了。

我們2007年從生產(chǎn)設備的自主研發(fā)開始，解決了氮化鎵單晶材料生長的系列難題，研發(fā)成功了2英寸氮化鎵單晶材料并推向了市場。近兩年蘇州納維分別研發(fā)出4英寸和6英寸GaN單晶襯底，從材料質(zhì)量和晶圓尺寸上全面走到國際前列。

蘇州納維是目前國際上僅有的三家能夠批量生產(chǎn)2英寸氮化鎵單晶材料并擁有4—6英寸生長技術(shù)的公司，而且是國際上唯一一家提供2英寸以上半絕緣氮化鎵單晶襯底的公司，得到了國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學術(shù)界的矚目。

千里之行始于足下，蘇州納維厚積薄發(fā)，正在為下一個10年打造千億量級的產(chǎn)業(yè)群而揚帆奮進。