張遠見++胡應添
【摘 要】為了提高并發雙頻段功放的數字預失真性能,對現有的二維記憶多項式(2D-MP)模型進行優化,提出一種2D-DDR模型,2D-DDR相比于2D-MP具有更好的建模精度和線性化性能,并且在實現過程中,通過將2D-DDR擴展成TM-2D-DDR模型,解決了現實中兩個頻段鏈路時延不一致的問題。實驗表明,TM-2D-DDR模型比現有的2D-MP模型線性化性能可改善2 dB以上。
【關鍵詞】數字預失真 并發 多頻 功率放大器
1 引言
隨著對5G研究的深入,并發多頻段無線傳輸技術受到了廣泛關注。根據ITU建議書,5G系統將支持高頻超大帶寬信號以滿足超高的峰值速率需求,結合中低頻段信號實現連續廣覆蓋、低時延高可靠性以及海量機器連接的通信能力[1]。受限于現有數字器件的采樣速率,超大帶寬信號可能需要分割成多個頻段,同時,現有的中低頻段資源也均比較分散。并發多頻段無線傳輸技術可以有效利用分散的5G頻譜資源,同時處理多路并發信號,為5G的實現提供有效技術支撐。與此同時,并發多頻段無線傳輸技術還可以用于多標準多制式系統的整合,實現無線系統的小型化、綠色化。
并發雙頻預失真技術作為并發多頻段無線傳輸中的關鍵技術,受到國內外學者的廣泛關注。單頻預失真的算法不能直接用于雙頻預失真[2],因為兩個并發信號一起通過功放時,除了信號自身會產生交調,兩個信號之間還會相互作用,產生互調[3-4]。自身交調和相互之間的互調大小屬于同一個數量級[5],無法忽略。典型的單頻段預失真算法只有一個頻段的信號作為輸入,無法描述兩個頻段之間的相互作用。并發雙頻預失真模型應該以兩個頻段的信號作為輸入,以補償兩個頻段之間的互調失真。
2D-MP(2D-Memory Polynomial,二維記憶多項式)模型[6]是將MP(Memory Polynomial,記憶多項式)模型[7]推廣到并發雙頻場景,模型增加了兩個頻段之間的相互交叉項,能同時補償自身交調和頻段間互調。但是MP模型的建模精度較低[8-9],基于MP模型擴展的2D-MP模型也存在同樣的問題。
DDR(Dynamic Deviation Reduction,動態偏差截斷)模型是一種精度更高的功放模型[10]。本文對DDR模型進行了改進,將其擴展到并發雙頻模式,并引入時延差參數,得出基于DDR模型的并發雙頻數字預失真模型,通過實驗平臺驗證了其有效性。
2 并發雙頻數字預失真
2.1 單頻段DDR模型
DDR模型和記憶多項式(MP)模型類似,也是一種簡化Volterra級數模型[11],對比MP,DDR模型精度更高,使用DDR模型進行DPD(Digital Pre-Distortion,數字預失真)可以取得更好的線性化性能。
DDR模型引入動態偏差,將過去時刻的信號分離成當前時刻的信號和一個動態偏差函數,動態偏差函數表達式為:
e(n, l)=x(n-l)-x(n) (1)
其中,x(n)是實時輸入的信號,x(n-l)是之前的輸入信號,e(n, l)表示兩個信號之間的偏差。
將公式(1)代入Volterra級數模型,可以將模型等效分離成靜態非線性分量ys(n)和動態非線性分量yd(n),表達式如公式(2)所示:
(2)
其中,vk為非線性階數為k時對應的靜態非線性特性系數,wk,r(l1, …, lr)為r階動態非線性特性系數,K為非線性項的階數,L是記憶深度。
結合實際情況,一般動態非線性分量會隨著階數的增高而迅速減少,通常情況下,為了取得建模精度與模型復雜度之間的平衡,會取“r=2”,得到的2階DDR模型如公式(3)所示:
(3)
其中,K是非線性項的階數,L是記憶深度,akl是非線性階數為k、記憶深度為l時對應的DDR模型系數。
DDR模型的第一項是一般記憶多項式項,即為MP模型;剩下3項是交叉項,用于描述當前信號與時延信號之間的相互作用。實際使用時,交叉項的階數與記憶深度通常要小于一般項的階數與記憶深度。
2.2 并發雙頻段2D-DDR模型
在并發雙頻模式下,頻率間隔“?ω=2ω”的功放雙頻輸入信號x(n)可以表示為:
(4)
其中,x1(n)是低頻段信號的復包絡,x2(n)是高頻段信號的復包絡,T是信號的采樣間隔。
將公式(4)代入公式(3),舍掉±ω以外的分量,并將同一頻點的分量合并,就能得到低頻段(-ω)和高頻段(ω)的輸出信號表達式,也就是2D-DDR模型。其中低頻段的輸出信號表達式為:
(5)
高頻段輸出信號的表達式為:
(6)
從2D-DDR模型可以看出,每個頻段附近的失真產物不僅包括該頻段信號自身產生的交調失真,還包括由于另一個頻段信號同時存在而產生的互調失真。
3 并發雙頻段2D-DDR模型實驗驗證
為了完成2D-DDR模型的預失真實驗,搭建了如圖1所示的并發雙頻DPD系統,其中x(n)、y(n)、z(n)分別表示基帶輸入信號、PA輸出信號和預失真信號。數字基帶信號板輸出兩路峰均比為7.5 dB的20 MHz LTE信號,然后射頻搬移至2 310 MHz和2 380 MHz,最后通過合路器進入GaN功放。
在實際應用中實現并發雙頻預失真時,發現由于電子器件精度或者信號處理問題,兩條鏈路之間存在數個采樣間隔的差距。設△tT1和△tT2為功放前鏈路的時延,△tR1和△tR2是反饋鏈路的時延,有高、低頻段信號進入功放前的時延差是△T=△tT2-△tT1,實測系統的時延差范圍在0~10個采樣間隔。endprint
為觀察時延對性能影響,對比實驗結果,如表1所示。其中,時延單位為采樣周期Ts,對于采樣率為307.2 MHz的系統,采樣周期Ts為3 ns,表格中成對給出了載波的低頻/高頻鄰道的功率比的結果(ACPR(Adjent Channel Power Rate,鄰信道功率比))。可見,并發雙頻段數字預失真算法對于兩個頻段之間進入功放前的時延(△tT1和△tT2)敏感,時延問題是實現并發雙頻預失真系統必須要解決的問題。
4 并發雙頻段TM-2D-DDR模型
為了解決時延對2D-DDR性能產生影響的問題,重新對實際進入功放的信號建模,如公式(7)所示:
(7)
?T是高、低頻段信號進入功放前的時延差。由于?T是一個較小的值,可以將x2(nT+?T)表示為x2(n)附近2J個采樣點的的線性插值[12]:
(8)
插值點數代表容忍的時延差范圍,使用2J個點插值表示可以容忍±J個采樣間隔內的時延誤差。將公式(8)代入公式(5)、(6)即可得到能夠容忍時延差的TM-2D-DDR預失真模型:
(9)
(10)
5 并發雙頻段TM-2D-DDR模型實驗驗證
對優化后的模型TM-2D-DDR再次進行對比實驗驗證。對比實驗中的2D-MP模型采樣參考文獻[13],同時結合公式(6)進行時延容忍優化而得到TM-2D-MP模型。預失真器中的2D-DDR、2D-MP模型參數設置均為:一般項階數Kp=K=5,一般項記憶深度Lp=L=3,交叉項階數Kq=Kr-Ks=3,交叉項記憶深度Lq=Lr=Ls=2,時延容忍長度J=2。
表2列出了使用不同功放模型預失真后的線性化性能,圖4是不同功放模型預失真前后的頻譜圖。從實驗結果可見,2D-DDR模型比2D-MP模型具有更好的線性化性能,而引入時延參數優化的TM-2D-DDR模型性能最好,ACPR改善幅度達到18 dB左右。
6 結論
本文提出了一種基于DDR模型的并發雙頻DPD模型2D-DDR,并在實現的過程中發現時延差會對DPD性能產生影響,在2D-DDR模型的基礎上引入了時延差參數得到TM-2D-DDR模型。實驗結果表明,在相同的情況下,2D-DDR模型相對于2D-MP模型,建模精度更高,線性化性能更好。另外,由于雙頻系統中存在的時延差會顯著影響DPD性能,使用TM-2D-DDR模型可以很好地處理兩個頻段之間時延差的問題,優化DPD性能。
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