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液相沉積法制備W摻雜ZnO薄膜電極性能的研究

2017-09-09 07:19:21樊明明
科技創新導報 2017年18期

樊明明

摘 要:通過液相沉積法(LPD)在鈦片基底上制備了W摻雜氧化鋅(W-ZnO)薄膜。并對該薄膜進行了場發射掃描電鏡(FESEM)、和紫外-可見(UV-vis)光譜測定,說明該膜為一層致密薄膜,W的引入使得薄膜的最大吸收波長發生了紅移。交流阻抗(EIS)、循環伏安(CV)、光電流響應(CA)等的分析測定結果表明,W-ZnO在紫外光照射下,表現出極強的光電催化性能。

關鍵詞:W-ZnO/Ti 光電催化 PNP

中圖分類號:TU991 文獻標識碼:A 文章編號:1674-098X(2017)06(c)-0028-02

1 材料與方法

1.1 試劑

氧化鋅、PNP、鎢酸鈉,分析純,國藥集團化學試劑有限公司;濃鹽酸、硝酸,分析純,開封東大化工有限公司;雙氧水,分析純,天津凱通化工有限公司;氫氟酸,分析純,天津天力化學試劑有限公司。實驗用水為二次蒸餾水。

1.2 W-ZnO薄膜的制備

本實驗中用LPD法制備了ZnO/Ti薄膜電極。制備前,首先用洗液(HF∶硝酸∶水=1∶3∶6,v/v/v)清洗鈦片,然后分別在乙醇和水中超聲10 min,最后用氮氣吹干備用。沉積液的制備:首先,將過量的ZnO粉溶入50 mL HCl(2.25 mol·L-1)中,在25 ℃下恒溫攪拌1h;然后過濾,濾液盛放在聚四氟乙烯燒杯中,加入8 mL Na2WO4(8.488×10-3 mol·L-1)溶液,將之前準備好的鈦片垂直掛入聚四氟乙烯燒杯中;最后,在40 ℃水浴鍋中預熱3~5 min后,向上述溶液中加入1mLH2O2(1 mol·L-1),形成沉積液。上述體系在40 ℃水浴鍋中沉積2 h后,取出鈦片,用蒸餾水清洗后吹干,于450 ℃退火煅燒2 h。

1.3 實驗儀器與操作

X射線衍射儀(PANalytical B.V,荷蘭);場發射掃描電鏡(Sirion200,荷蘭);紫外-可見分光光度計(UV-2000,尤尼柯(上海)儀器有限公司)。

2 結果與討論

2.1 W-ZnO薄膜的表面特性分析

從圖1中可以看出,純ZnO電極的表面為寬1.2 μm,長3.8 μm的圓柱形棒狀結構,而W-ZnO電極的表面為一層致密的薄膜,說明W的引入改變了ZnO的表面形貌。可能是由于W6+的引入,導致晶粒表面的價態發生變化從而使得晶格尺寸變小,薄膜表面更加均勻[1],從表觀上看,形成了一層致密薄膜。這種均勻的小顆粒有利于對光及污染物分子的吸收。

從UV-vis光譜實驗得出,純ZnO在490 nm處有一個很強的吸收峰,W的摻入改變了薄膜的紫外-可見吸收特性。最大吸收峰從490 nm紅移到535 nm,1.2‰W-ZnO電極吸收強度最大。主要是由于W的摻入,使得ZnO的禁帶寬度變窄。帶隙能量由下述公式決定[2]:

Eg=1239.8/λ (1)

其中λ表示激發光的波長(nm),如表1所示。帶隙能量由純ZnO的2.53 eV降低到1.2‰W-ZnO的2.32 eV。表明摻雜W后,其電子特性影響了ZnO的帶隙,從而促進了其對光量子的吸收,所以1.2‰W-ZnO光催化特性最好。

2.2 光電化學表征

2.2.1 EIS分析

圖2為不同組分W摻雜氧化鋅薄膜的EIS圖譜,從圖中可以看出,當摻雜濃度從0.3‰提高到1.2‰時,阻抗半徑明顯減小,當濃度繼續提高到1.2‰~1.8‰時,阻抗半徑依次逐漸變大,1.2‰W-ZnO的阻抗半徑最小。通過計算各組分電極的界面電阻Rct,結果如表2所示。從表2中可以看出,1.2‰W-ZnO具有最好的界面電子傳遞能力,表明其具有較好的光電催化能力。

2.2.2 光電效應

為了進一步表征所制備薄膜電極的光電特性,對1.2 ‰ W-ZnO薄膜電極進行了線性掃描伏安(LSV)曲線和光電流的檢測,如圖3所示。

從圖3中可以看出,在紫外光光照條件下,其電流-電壓曲線比無光照時明顯增大。同時,較之純ZnO,由于金屬離子可以作為內表面電荷傳送的媒介或者作為復合中心[2],摻雜后的ZnO的光電響應發生了明顯的變化。W-ZnO電極的較之純ZnO電極的具有更高的光電響應性能,從而具有更好的光電催化作用。光電流大小1.358 μmol L-1>2.037 μmol L-1>0.679 μmol L-1>0.340 μmol L-1>ZnO,表明隨著W的摻雜量的增大,光電響應增強,最優摻雜量為1.358 μmol L-1(即1.2 ‰W-ZnO),光電流大約可以達到1 080 μA左右,且在光照開始與結束瞬間電流都立刻發生了響應,如圖4所示。W-ZnO薄膜電極具有良好的光電響應特性,可用于光電催化降解污染物。在這里W作為電子陷阱抑制電子-空穴對的結合率,提高表面電荷的傳遞速率。過高的W摻雜量使得電子-空穴對結合率反而增高[3]。

綜上所述,1.2‰W-ZnO薄膜電極具有較好的光電催化特性。

參考文獻

[1] Moafi,H.F.,M.A.Zanjanchi and A.F.Shojaie,Tungsten-doped ZnO nanocomposite:Synthesis,characterization,and highly active photocatalyst toward dye photodegradation[J].MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS,2013,139(2-3):856-864.

[2] Cong,Y.,et al.,Preparation,photocatalytic activity,and mechanism of Nano-TiO2 co-doped with nitrogen and iron(III)[J].JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2007,111(28):10618-10623.

[3] Subash,B.,et al.,Highly active WO3-Ag–ZnO photocatalyst driven by day light illumination [J].Superlattices and Microstructures,2013(54):155-171.endprint

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