中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究獲進展

中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究獲進展

中國科學院上海微系統與信息技術研究所的研究人員在絕緣體襯底上直接制備石墨烯研究方面取得了新進展，為獲得晶圓級絕緣體上石墨烯奠定了基礎，有助于推動石墨烯材料在微電子領域的應用。

研究人員基于鍺襯底上生長高質量單層石墨烯的研究基礎，使用鍺薄膜作為催化劑，采用化學氣相沉積（CVD）法，通過優化石墨烯生長溫度和生長時間，在完全蒸發掉鍺薄膜的同時，成功在二氧化硅、藍寶石、石英玻璃等絕緣襯底上制備出了高質量單層石墨烯材料，并成功將其應用于除霧器等電加熱器件中。

研究人員還發現，石墨烯的形狀完全依賴于鍺薄膜的形狀，因此，該方法既可以實現晶圓級石墨烯薄膜的生長，也可以通過預先設計的鍺圖形定義后續石墨烯器件所需圖形化的生長。 (科 苑)