先進半導體材料及器件

K.M.+Gupta

本書主要介紹了半導體材料和器件的基本概念、工作原理及最新研究進展。涉及的器件主要包括光電器件、金屬半導體結、異質結、MISFETs、LEDs、GaN HEMTs、半導體激光器、光電二極管、開關二極管、隧穿二極管、耿氏二極管、太陽能電池、變容二極管、IMPATT 二極管以及其它先進的半導體器件。同時，還講述了一些半導體中常見的現象，如高場效應、霍爾效應、渡越時間效應、漂移和擴撒、擊穿機制等。

全書由6個部分組成，分為16章。第1部分 主要講述了半導體的基礎知識，含第1-4章。第2部分 主要講述了P-N結相關內容，含第5-6章。第3部分 講述了多數載流子二極管、微波二極管和幾種光電子器件，含第7-9章。第4部分 講述了BJT、場效應晶體管和幾種功率半導體器件，含第10-12章。第5部分 主要講述了半導體材料生長和器件制備技術，含第13章。第6部分講述了一些特殊的半導體材料和器件（如熱電器件、集成電路、光催化材料和自旋電子器件等）、納米結構半導體材料和器件的最新進展，含第14-16章。

此書介紹的半導體材料和器件內容非常全面，基礎知識講解透徹，對半導體材料和器件的發展現狀總結合理，數學公式簡明扼要，配圖清晰準確。同時，每章都有配套的練習題和答案，因此，很適合作為電子科學與技術、材料科學與工程和應用物理等專業本科生和研究生的參考教材，以及半導體材料和器件等相關領域科研人員的參考書。

王兆剛，博士研究生

（中國科學院半導體研究所）