中科院半導體所研制出GaN基紫外激光器

中科院半導體所研制出GaN基紫外激光器

中國科學院半導體研究所的研究人員研制出了新型GaN基紫外激光器，取得了我國繼GaN基藍光和綠光激光器之后的又一突破進展。

GaN基紫外激光器在紫外光固化、紫外殺菌等領域具有重要的應用價值，但其制造技術難度很高。研究人員掌握了InGaN量子阱局域態調控和缺陷抑制方法，提高了發光效率；闡明了碳雜質的補償機制，獲得了高質量的p-GaN材料；優化了器件結構，減小了吸收損耗和電子泄漏；利用變程跳躍的物理機制，實現了良好的p-GaN歐姆接觸；解決了同質外延中襯底翹曲的難題，生長出了高質量的器件結構。在此基礎上，研究人員與中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所進行了工藝合作，實現了GaN紫外激光器的室溫電注入激射。據介紹，條寬10μm、腔長600μm的激光器的閾值電流密度為1.6kA/cm2～2.0kA/cm2，激射波長為392nm～395nm，連續激射輸出光功率可達80mW。

(中科院)