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TDD—LTE基站電磁輻射等效輻射功率解析

2017-01-20 18:16:44張平范磊

張平 范磊

摘 要:目前TDD-LTE基站的電磁輻射等效發(fā)射功率計(jì)算方式各式各樣,有些參數(shù)還相互矛盾。究其原因就是因?yàn)門(mén)DD-LTE特殊的信號(hào)發(fā)射模式所致。本文通過(guò)從底層分析TDD-LTE信號(hào)傳輸機(jī)制、發(fā)射機(jī)制,從根本上理清了TDD-LTE基站的輸出功率,并給出了全面的數(shù)據(jù)表格。不僅可以有效解決當(dāng)前各成一派的說(shuō)法,還可以全面簡(jiǎn)化和指導(dǎo)TDD-LTE基站電磁輻射發(fā)射功率的計(jì)算工作。

關(guān)鍵詞:基站;電磁;功率;解析

中圖分類(lèi)號(hào):TN929 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

移動(dòng)通信技術(shù)已經(jīng)從主要滿足語(yǔ)音通話的2G變化為同時(shí)滿足語(yǔ)音通話和大量數(shù)據(jù)信息傳輸?shù)?G技術(shù),隨著信息技術(shù)的不斷革新,數(shù)據(jù)信息無(wú)線傳輸量所占比重和時(shí)長(zhǎng)越來(lái)越大,這導(dǎo)致了4G技術(shù)與2G/3G技術(shù)的差異性明顯。自4G基站投入運(yùn)行以來(lái),各地區(qū)、各家運(yùn)營(yíng)商上報(bào)的4G基站等效輻射發(fā)射功率數(shù)據(jù)是多種多樣,計(jì)算方式也是千差萬(wàn)別,而等效輻射發(fā)射功率是基站電磁環(huán)境管理的重要技術(shù)指標(biāo),因此急需從根本上解決這一問(wèn)題。

一、問(wèn)題現(xiàn)狀

同一運(yùn)行商的同一批次建設(shè)的4G基站,功率各不相同,如某運(yùn)營(yíng)商建設(shè)的TDD-LTE基站,RRU機(jī)頂輸出功率分別為:2.5W、5W、10W、15W、20W,通道數(shù)2~8個(gè),其饋線損耗分別為1dB和0.2dB,按照保守預(yù)測(cè)的原則,則等效輻射功率分別為P=機(jī)頂輸出功率/100.2/10和P=機(jī)頂輸出功率/101.0/10,則天線發(fā)射功率為:3.97W~38.20W。

而另外一個(gè)地區(qū)的某運(yùn)營(yíng)商建設(shè)TDD-LTE基站則全部按照基站業(yè)務(wù)子幀配置(上行∶下行子幀)1∶3、特殊子幀配置(下行∶空白∶上行)為10∶2∶2計(jì)算,其各下行時(shí)隙實(shí)際有能量發(fā)射的時(shí)間占比為(3+10/14)/5=74.3%,通道數(shù)3~8個(gè),實(shí)際功率不超過(guò)標(biāo)稱(chēng)功率的40%,

饋線損耗取1dB;根據(jù)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃需要,TDD-LTE系統(tǒng)控制發(fā)射功率為5W/載波/通道。則天線發(fā)射功率為:5W/通道×8通道×40%×74.3%×10-0.1=9.443W。

二、物理層分析

LTE系統(tǒng)是一個(gè)多天線多載波系統(tǒng),其功率不僅和帶寬有關(guān),還與天線配置有關(guān),甚至和信號(hào)發(fā)送方式有關(guān)。對(duì)于TDD-LTE系統(tǒng),下行并不總是發(fā)射信號(hào),會(huì)導(dǎo)致不同的平均發(fā)送功率。因此在測(cè)量TDD-LTE基站的發(fā)送功率時(shí),會(huì)導(dǎo)致測(cè)量的發(fā)送功率波動(dòng)較大。為此通過(guò)分析不同TDD-LTE時(shí)隙配比、功率分配下發(fā)送功率的大小,確定典型場(chǎng)景下的平均發(fā)射功率的變化范圍。下面我們將逐一進(jìn)行分析。

1. TDD-LTE幀結(jié)構(gòu)

TDD-LTE幀結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度為10ms,有兩個(gè)長(zhǎng)度為5ms的半幀構(gòu)成,在5ms切換點(diǎn)周期情況下,每一個(gè)半幀由4個(gè)1ms的常規(guī)子幀和一個(gè)1ms的特殊子幀構(gòu)成;在10ms切換點(diǎn)周期情況下,第一個(gè)半幀由4個(gè)1ms的常規(guī)子幀和一個(gè)1ms的特殊子幀構(gòu)成,第二個(gè)半幀有5個(gè)1ms的常規(guī)子幀構(gòu)成。一個(gè)常規(guī)子幀由2個(gè)長(zhǎng)度為0.5ms的時(shí)隙構(gòu)成;一個(gè)特殊子幀由DwPTS、GP以及UpPTS構(gòu)成。上下行子幀配比一共有7種模式。

一個(gè)常規(guī)子幀包含兩種配置,常規(guī)CP和擴(kuò)展CP,包含的OFDM符號(hào)個(gè)數(shù)以及CP長(zhǎng)度不同。特殊子幀中DwPTS和UpPTS的符號(hào)數(shù)量取決于特殊子幀的配置,其符號(hào)配置與常規(guī)子幀對(duì)應(yīng)的符號(hào)相同。

2.物理信道功率分配

根據(jù)用戶的CQI反饋判斷當(dāng)前分配給該用戶的下行功率是偏高還是偏低,進(jìn)而進(jìn)行相應(yīng)的功率調(diào)整,以在滿足用戶接收質(zhì)量的前提下減輕對(duì)鄰小區(qū)的干擾。LTE系統(tǒng)中下行功率的調(diào)整是較為慢速的,而不是像上行那樣通過(guò)閉環(huán)的TPC命令進(jìn)行快速調(diào)整。

LTE下行信道或符號(hào)的功率控制基于兩種方式:靜態(tài)方式和動(dòng)態(tài)方式。所謂靜態(tài)方式即為信道配置一個(gè)固定值,而動(dòng)態(tài)方式即所謂的功率分配,就是把基站總功率在某個(gè)時(shí)刻按照一定規(guī)則分配到各個(gè)信道上。

EPRE(即每RE上的能量,Energy Per Resource Element),TDD-LTE功率分配是基于EPRE的。假定每個(gè)天線端口上的公共導(dǎo)頻的EPRE為ECRS,EA表示下行每個(gè)天線端口上不包含CRS的OFDM符號(hào)上的數(shù)據(jù)EPRE,EB表示下行每個(gè)天線端口上包含CRS(或?qū)ьl空洞)的OFDM符號(hào)上的數(shù)據(jù)EPRE。定義數(shù)據(jù)EPRE和導(dǎo)頻EPRE的比值為

通常情況下,LTE不對(duì)下行做功控。下行公共參考信號(hào)的功率分配由基站決定,決定原則為根據(jù)小區(qū)大小,信道環(huán)境等因素,考慮小區(qū)邊緣用戶的下行測(cè)量性能和信道估計(jì)性能進(jìn)行靜態(tài)或半靜態(tài)配置。下行公共參考信號(hào)EPRE通過(guò)系統(tǒng)信息(SIB)向小區(qū)廣播,用戶可依此計(jì)算路損等信息。

用戶數(shù)據(jù)信道功率分配。基于UE的下行功率分配,具體是設(shè)置分配給某一UE的物理資源上數(shù)據(jù)RE的能量,即EA和EB,具體的分配和調(diào)整原則是根據(jù)用戶的反饋(例如CQI),為接收質(zhì)量較差的用戶分配較大的功率。具體如何根據(jù)反饋信息決定功率的升降以及調(diào)整幅度,屬于算法實(shí)現(xiàn)問(wèn)題,標(biāo)準(zhǔn)上不進(jìn)行規(guī)定。

3. LTE導(dǎo)頻覆蓋功率

用于覆蓋的主要是導(dǎo)頻RS,RS功率越高,覆蓋越好,但用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓β试叫。瑫?huì)造成系統(tǒng)容量的下降;RS功率設(shè)置需要綜合各方面因素,既要保證覆蓋與容量的平衡,又要保證信道估計(jì)的有效性,還要保證干擾的合理控制。RS導(dǎo)頻功率為

E_CRS=P_total-10lg(N_sc)+10lg(P_B+1)

其中Ptotal是每通道發(fā)送總功率,Nsc是子載波數(shù)量。

三、TDD-LTE基站平均輸出功率

TDD-LTE上下行在相同的頻段,下行占比對(duì)平均輸出功率的大小有很大影響。特別是特殊時(shí)隙,其DwPTS的占比隨著配置的不同,會(huì)導(dǎo)致不同的下行占比。常規(guī)CP下,下行占比最高為0.89,最低為0.22;擴(kuò)展CP下,下行占比最高為0.88,最低為0.23。

從功率測(cè)量角度看,導(dǎo)頻功率可以測(cè)量,而業(yè)務(wù)信道功率難以測(cè)量,系統(tǒng)總功率也是可測(cè)量的。下行滿載時(shí),不同OFDM符號(hào)的總功率是相同的,平均功率的差異主要取決于時(shí)間占比。每端口平均功率為

其中ε為下行傳輸時(shí)間占比。

四、實(shí)際使用說(shuō)明

1.單通道輸出功率

4G基站的RRU設(shè)備其最大發(fā)射功率為20W/通道,但在實(shí)際輸出時(shí)可以通過(guò)軟件加以調(diào)整,因此,2.5W、5W、10W、15W和20W都可以作為輸出功率。

2.單扇區(qū)輸出功率

每個(gè)扇區(qū)有多少通道,其扇區(qū)輸出功率就是每個(gè)通道的功率之和。

3.業(yè)務(wù)負(fù)載

單個(gè)扇區(qū)的實(shí)際發(fā)射功率與標(biāo)稱(chēng)功率的百分比。

4.上下行子幀配置

根據(jù)上下行信號(hào)切換點(diǎn)周期配置基站不同的信號(hào)發(fā)射時(shí)間。

五、TDD-LTE等效輻射功率

由于TDD-LTE業(yè)務(wù)信道平均功率和輸出總平均功率會(huì)根據(jù)業(yè)務(wù)負(fù)載、時(shí)隙配比的不同而不同,在實(shí)際電磁環(huán)境管理中更加關(guān)注總平均功率。而且總平均功率與具體配置的帶寬大小關(guān)系不大(即與具體子載波數(shù)量無(wú)關(guān)),為簡(jiǎn)單起見(jiàn)取平均業(yè)務(wù)負(fù)載計(jì)算負(fù)載功率,則平均發(fā)射功率=每通道功率×通道數(shù)量×業(yè)務(wù)負(fù)載×下行占比×饋損。

現(xiàn)列出通道數(shù)為1、單通道最大發(fā)射功率20W、業(yè)務(wù)負(fù)載為100%、饋損為0的情況下TDD-LTE平均發(fā)射功率一覽表(表1),其他功率和業(yè)務(wù)負(fù)載只需要乘以相應(yīng)的比例系數(shù)即可得到。

參考文獻(xiàn)

[1]王映民,孫韶輝.TD-LTE技術(shù)原理與系統(tǒng)設(shè)計(jì)[M].北京:人民郵電出版社,2010.

[2]田桂賓,姬剛,石朗昱.TD-LTE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)廣覆蓋技術(shù)研究[J].郵電設(shè)計(jì)技術(shù),2016(3):46-49.

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