
摘 要:采用兩靶共濺射的方法,分別采用GZO靶材及Al靶材,在不同的Al靶材濺射時間下制備AGZO薄膜。測試分析了不同Al靶濺射時間下,AGZO薄膜晶體結構、成分及相關性能的變化。其中當鋁靶濺射時間為5分鐘時制得的薄膜具有最優性能。
關鍵詞:共濺射;AGZO薄膜;結構;電阻率
ZnO是一種n型半導體材料,其本征電阻率非常高,所以一般對 ZnO進行n型摻雜以減少其電阻率,比較常用的為Al、Ga、In等元素。但是目前的摻雜常常局限于一種元素,且單一元素摻雜常常伴隨著一些弊端,例如Al摻雜容易形成穩定的Al2O3相,影響薄膜性能,而Ga、In元素儲量較少,成本很高等。所以文章同時將Al、Ga元素摻雜進入ZnO體系中,并改變Al靶的濺射時間,測試分析相關性能。
1 實驗
文章采用兩靶磁控共濺射的方法制備AGZO薄膜。其中,GZO靶材純度為99.99%,Ga2O3:ZnO=3:97wt.%;Al靶純度為99.99%,基片為石英玻璃,靶基距為100mm。實驗參數設置如下:背底真空7×10-4Pa,濺射時壓強為0.5Pa,通入氬氣,在正式濺射之前先進行10分鐘的預濺射,GZO靶材濺射功率為150W,GZO靶材濺射時間為20分鐘,Al靶材濺射功率為50W,Al靶濺射時間分別為1、3、5、7、9分鐘,分別為1-5號樣品。
2 結果與討論
XRD分析結果顯示,1-5號AGZO薄膜均有比較良好的(002)方向即c軸擇優取向。同時,根據XRD分析軟件JADE可以求出對應(002)峰的半高寬,再根據謝樂公式即可估算出薄膜的平均晶粒尺寸。
結果顯示,隨著Al靶濺射時間從1分鐘逐步增加為5分鐘時,AGZO薄膜的平均晶粒尺寸有小幅增加,隨后開始減少,當Al靶濺射9分鐘時,平均晶粒尺寸劇烈減少到了20.18nm。
對于光學透過率的測試顯示,1-5號薄膜在可見光波段的平均透過率均在87.5%以上,其中3號薄膜的平均透過率最好,在整個可見光波段(400-760nm),其平均透過率達到了91.41%。
隨后對1-5號樣品的電阻率等參數進行了測試。測試結果顯示,在Al靶濺射時間為5分鐘和7分鐘時,電阻率較低,接近1×10-2Ωcm。
薄膜殘余應力的計算公式,可以從雙軸應力模型中推導出[1],公式為[2,3]
其中Cii為彈性勁度常量,其中C13=1.05×1011Nm-2,C11=C33=2.1×1011Nm-2,C12=1.2×1011Nm-2。[4]
其中c和c0分別是樣品和無應變塊體ZnO的晶格常數,c0為0.52069nm,c=2d。
即可利用JADE軟件求出晶面間距d值,進而求出c值,再帶入式(1),最后求得薄膜的殘余應力。
1-5號樣品,求出的應力均為壓應力,最小值出現在1分鐘時,最大值出現在9分鐘時,高達5.70GPa。
將1-5號樣品的薄膜的平均晶粒尺寸、殘余應力、電阻率聯合分析時,我們可以看到,薄膜成膜質量的急劇下降,大大減少了薄膜的平均晶粒尺寸,而成膜質量的下降,也會大大增加薄膜的殘余應力。隨著殘余應力的增加,表明薄膜中晶體失配等現象越嚴重,則對電子造成的散射就越明顯,所以電阻率一般會隨著殘余應力的增大而增大。隨著5號樣品平均晶粒尺寸的大幅減少,帶來了殘余應力的顯著增加,也導致了5號樣品的電阻率明顯的提高,這和理論是相符的。
3 結束語
利用雙靶磁控共濺射制備AGZO薄膜,當GZO靶材濺射功率為150W,GZO靶材濺射時間為20分鐘,Al靶材濺射功率為50W,Al靶濺射時間為5分鐘時,其具有最佳性能。其平均晶粒尺寸達到27.47nm,電阻率為11.57×10-3Ωcm,平均透過率為91.41%,殘余應力為2.82GPa。
參考文獻
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[2]B. C. Mohanty, Y. H. Jo, D. H. Yeon, I. J. Choi, and Y. S. Cho, Appl.Phys. Lett. 95, 62103 (2009).
[3]C. Koidis, S. Logothetidis, S. Kassavetis, A. Laskarakis, N. A. Hastas, andO. Valassiades, Phys. Status Solidi A 207, 1581-1585 (2010).
[4]B. K. Sharma and N. Khare, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 465402 (2010).
作者簡介:劉結(1991-),男,四川省成都市人,工作單位:電子科技大學,職務:學生,研究方向:半導體薄膜材料。