GaN基LED高能電子束流輻照效應(yīng)研究

劉 超 于莉媛 王志剛 錢 森 夏經(jīng)鎧,4 朱 納 高 峰,4 安廣朋 馬毅超 黨宏社 吳英蕾 楊 潔（天津工業(yè)大學(xué) 天津 300387）

2（核探測(cè)與核電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北京 100049）

3（中國科學(xué)院高能物理研究所 北京 100049）

4（中國科學(xué)院大學(xué) 北京 100049）

5（陜西科技大學(xué) 西安 710021）

GaN基LED高能電子束流輻照效應(yīng)研究

劉 超1于莉媛1王志剛2,3錢 森2,3夏經(jīng)鎧2,3,4朱 納5高 峰2,3,4安廣朋2,3馬毅超5黨宏社5吳英蕾1楊 潔11（天津工業(yè)大學(xué) 天津 300387）

2（核探測(cè)與核電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北京 100049）

3（中國科學(xué)院高能物理研究所 北京 100049）

4（中國科學(xué)院大學(xué) 北京 100049）

5（陜西科技大學(xué) 西安 710021）

使用高能電子輻照對(duì)GaN基藍(lán)光發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)光電學(xué)性能的影響進(jìn)行研究。高能電子束流分別對(duì)不同組別的LED樣品進(jìn)行輻照實(shí)驗(yàn)，并通過自動(dòng)測(cè)控系統(tǒng)對(duì)輻照過程中LED的電流、光強(qiáng)、光譜峰值波長進(jìn)行全程測(cè)控。隨后，在室溫?zé)o輻照環(huán)境下對(duì)上述不同組別的LED樣品進(jìn)行跟蹤對(duì)比測(cè)試研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，高能輻照對(duì)LED的改性有明顯效果，具體表現(xiàn)在工作電流和發(fā)光功率變化時(shí)受輻照影響的穩(wěn)定性有所改善，光譜峰值波長出現(xiàn)藍(lán)移。同時(shí)，GaN基LED在輻照過程中是否通電對(duì)LED的光電學(xué)性能有顯著影響。

高能電子輻照，GaN，發(fā)光二極管，光電學(xué)性能

GaN作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在室溫下其直接帶隙寬度為3.39eV，具有熱導(dǎo)率高、耐高溫、耐酸堿、高硬度等特性，是第三代半導(dǎo)體的代表?；谝陨咸匦裕鳛榘l(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)重要的發(fā)光材料的GaN，一直是國內(nèi)外關(guān)于LED輻照實(shí)驗(yàn)研究的熱點(diǎn)，并在GaN外延材料以及發(fā)光器件的電子束輻照效應(yīng)研究中取得了一定成果。……