一種基于金屬電極的納米線陣列的生長(zhǎng)方法

授權(quán)公告號(hào)：CN104909336B

授權(quán)公告日：2016.07.13

專利權(quán)人：清華大學(xué)

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發(fā)明人：任大海；尤政；邊濰；魏福建；郭甜薇

Int.Cl.：B82B3/00（2006.01）I；B82Y40/00（2011.01）I

摘 要：該發(fā)明屬于微電子工藝領(lǐng)域和儀器儀表技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于金屬電極的納米線陣列的生長(zhǎng)方法。該發(fā)明方法步驟包括：步驟1，在多孔模板兩側(cè)分別制作電極A和電極B，其中電極B需確保不會(huì)堵塞多孔模板的孔洞；所述電極A為濺射得到的金屬電極，所述電極B為濺射得到的金屬電極；步驟2，電極A和電極B分別與電源相連，并浸入裝有電解液的溶液槽中，直至生長(zhǎng)出均勻的納米線陣列。相比于采用化學(xué)機(jī)械拋光來保證納米線長(zhǎng)度的一致性的方法，該發(fā)明方法對(duì)于納米線的長(zhǎng)度控制更加簡(jiǎn)單易行，不再需要拋光工藝介入。同時(shí)，該發(fā)明所提供的工藝途徑避免了拋光過程對(duì)多孔模板的損傷，有利于良品率的提高。