先進節(jié)點接觸層照明類型優(yōu)化解決光刻制造要求

劉　　娟

（1.上海交通大學(xué)，上海 200240；2.中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，上海 201203）

先進節(jié)點接觸層照明類型優(yōu)化解決光刻制造要求

劉娟1，2

（1.上海交通大學(xué)，上海 200240；2.中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，上海 201203）

先進節(jié)點邏輯集成電路制造是當前工業(yè)界的領(lǐng)先工藝。為實現(xiàn)接觸（Contact）層的光刻工藝，需要從兩個關(guān)鍵方面進行處理：解析度和全間距的共有工藝窗口。離軸照明+相移掩模+亞解析度輔助圖形多種解析度增強技術(shù)的組合使用是解決光刻成像的方法。從優(yōu)化接觸層離軸照明的類型方面解決光刻制造工藝的問題。

離軸照明；照明類型；工藝窗口；掩模誤差增強因子

1　　引言

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的縮小和設(shè)計圖形復(fù)雜度的增加，關(guān)鍵層圖形在硅片上成像并達到制造容忍度要求已經(jīng)變得越來越困難，因此也成為整個技術(shù)節(jié)點半導(dǎo)體制造工藝能否成功的關(guān)鍵。在先進技術(shù)節(jié)點下邏輯集成電路制造工藝的各個關(guān)鍵層中，由于接觸層連接制造前段和后段電路，并且自身在掩模板上的傳輸率（transmission rate）低，因此接觸層的成功成像成為整個半導(dǎo)體制造工藝的重中之重。離軸照明（Off-Axis-Illumination，OAI），浸沒式曝光（Immersion Lithography）和光學(xué)臨近效應(yīng)修正 （Optical Proximity Correction，OPC）結(jié)合的分辨率增強技術(shù)［1］（Resolution Enhancement Technology，RET）是先進技術(shù)節(jié)點下接觸層光刻制造的解決方案。本文著重研究離軸照明［2］類型的優(yōu)化，以使得密集圖形和孤立圖形都能達到光刻制造需要的工藝窗口（Process Window，PW）。

2　　照明類型的選擇和評估

在之前的實驗中發(fā)現(xiàn)45°四極照明式（Quasar）離軸光源對密集圖形（如圖1）的成像分辨率（Resolution）高、焦深（Depth Of Focus，DOF）足夠，但是孤立接觸層圖形的成像焦深較低，導(dǎo)致密集圖形和孤立圖形的共有焦深不足。……