氣相法合成偏二氯乙烯的高穩定CsNO3/SiO2催化劑

靳燕霞　湯　岑　孟秀清　王小霞謝冠群,,*　羅孟飛,*　李小年

(1浙江師范大學物理化學研究所，先進催化材料教育部重點實驗室，浙江 金華321004；2浙江工業大學工業催化研究所，綠色化學合成技術國家重點實驗室培育基地，杭州 310032)

氣相法合成偏二氯乙烯的高穩定CsNO3/SiO2催化劑

靳燕霞1湯岑1孟秀清1王小霞1
謝冠群1,2,*羅孟飛1,*李小年2

(1浙江師范大學物理化學研究所，先進催化材料教育部重點實驗室，浙江 金華321004；2浙江工業大學工業催化研究所，綠色化學合成技術國家重點實驗室培育基地，杭州 310032)

用浸漬法制備CsNO3/SiO2催化劑，用于氣相催化裂解1,1,2-三氯乙烷(TCE)制偏二氯乙烯(VDC)反應，考察了反應溫度對CsNO3/SiO2催化劑失活的影響。研究發現，在較低反應溫度(<350°C)時，CsNO3/ SiO2催化劑容易失活，在較高反應溫度(>400°C)時催化劑的活性較高且不易失活。反應后CsNO3/SiO2催化劑中CsNO3物種轉變為CsCl，催化劑表面存在積炭。導致催化劑失活的主要原因不是Cs物種轉變和積炭，而是含氯反應產物在低溫反應時難以從催化劑表面脫附。這些含氯反應產物能夠高溫脫附，從而使低溫反應失活的催化劑再生。CsNO3/SiO2催化劑在400°C下100 h壽命實驗中，TCE轉化率和VDC選擇性分別穩定為98%和78%，具有較好的工業應用前景。

偏二氯乙烯；1,1,2-三氯乙烷；CsNO3；脫氯化氫反應；多相反應

doi:10.3866/PKU.WHXB201511134

1　引言

偏二氯乙烯(VDC)主要用于聚偏二氯乙烯(PVDC)樹脂和乳膠的合成單體1－3。PVDC具有優良的隔氧性和保味性，非常適合熟食保鮮冷藏和微波爐直接加熱的覆蓋，保鮮效果遠高于聚乙烯(PE)等同類產品，在西方發達國家被譽為“綠色”包裝材料4,5。隨著人們越來越重視食品安全，國內PVDC市場發展前景非常廣闊。目前工業上生產VDC主要采用濃堿溶液對1,1,2-三氯乙烷(TCE)脫HCl的皂化工藝路線6－12，但皂化工藝會產生大量高鹽有機廢水，面臨巨大環保壓力，迫切需要開發新工藝路線以取代皂化工藝。采用TCE氣相催化裂解制備VDC路線，可以有效避免高鹽有機廢水等問題，是綠色生產VDC的發展方向13－16。

實現TCE氣相催化裂解制VDC的關鍵是研發高效催化劑，目前主要有堿性有機物催化劑和堿金屬催化劑。Mochida等17利用硅膠負載有機胺1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)氣相催化TCE脫HCl，得到VDC選擇性90%，但TCE穩態轉化率非常低(5%)。Fujitsu等18用硅膠負載二苯并-18-冠醚-6(B18)和KCl的配合物(KCl-B18)作為催化劑，進行TCE氣相脫HCl反應，得到VDC選擇性為90%左右，TCE穩態轉化率小于25%，并指出脫氯反應中產生的HCl難以脫附，是造成催化劑失活的主要原因。Serhuchev等19將負載在活性炭上的苯并咪唑作為催化劑進行TCE氣相催化脫HCl，得到VDC收率為30%－50%。

在堿金屬氣相催化TCE脫HCl制VDC研究中，Zoltanski與其合作者14,20－21比較了不同種類的堿金屬鹽催化劑，發現采用硅膠負載銫鹽具有較好的催化性能。袁向前11，王越22及金海龍23在氣固相催化裂解TCE方面也取得了一些成果。蔣鵬13利用氧化鋁負載堿金屬Cs催化裂解TCE時，得到VDC的選擇性為89%，TCE的轉化率為12%，指出催化劑表面結焦(炭)是失活主要原因。王越22對氯化鋇、果殼活性炭、石墨三種催化劑的性能進行了比較研究，發現石墨催化劑表現出良好活性，TCE穩態轉化率可達11%。

在負載型堿金屬氣相催化TCE脫HCl制VDC研究中，Mochida與其合作者24－27取得了一系列成果。Mochida等25用硅膠負載CsCl氣相催化TCE脫HCl時，得到TCE的轉化率為26%和VDC選擇性90%。Mochida等26發現CsCl/SiO2氣相催化裂解TCE反應時，350°C脈沖反應可以獲得TCE轉化率和VDC選擇性均為90%，但在連續反應中TCE轉化率迅速降低，認為HCl難以脫附是CsCl/SiO2催化劑失活的主要原因。Mochida等27比較了硅膠負載不同Cs鹽催化裂解TCE制VDC反應，如CsCl、CsNO3、CH3COOCs、Cs2CO3、Cs2SO4等，發現CsNO3具有較好的催化活性，CsNO3在脫氯化氫反應中變成CsCl，但沒有說明CsCl的作用是促進催化活性或降低催化活性。Mochida等28利用Cs交換的ZSM-5沸石分子篩催化劑進行TCE氣相裂解反應，得到CsOH和Si羥基為催化活性中心，當CsOH轉變為CsCl后就失去了催化活性。

國內外至今沒有氣相催化裂解TCE工業化生產VDC的報道，其中一個重要原因是氣相裂解TCE催化劑存在嚴重的失活問題。根據前述文獻可知，氣相裂解TCE催化劑失活的可能原因有三種：一是反應后產生CsCl物種28，二是催化劑表面積炭13，三是反應中產生的HCl難以脫附18,26。為了探討堿金屬催化劑失活的本質原因，以期得到一種高穩定的堿金屬催化劑，本文以CsNO3為前驅體制備了CsNO3/SiO2催化劑，重點考察反應溫度等對氣相裂解TCE脫HCl反應影響，結合熱重分析(TGA)、X射線衍射(XRD)和O2程序升溫脫附(O2-TPD)等物理化學表征手段，探索導致CsNO3/SiO2催化劑失活的關鍵因素。

2　實驗部分

2.1催化劑制備

主要化學試劑：1,1,2-三氯乙烷(TCE,99.8%)、CsNO3(99.9%)和CsCl(99.9%)購自上海阿拉丁生化科技股份有限公司；載體SiO2從青島美高集團有限公司購買(比表面積379 m2?g－1,孔容積1.02 cm3?g－1，平均孔徑15 nm）。

采用浸漬法制備不同負載量的CsNO3/SiO2催化劑29。典型制備過程如下：取0.733 g的CsNO3溶于去離子水中，加入2 g SiO2，超聲0.5 h，在室溫下浸漬6 h，90°C水浴炒干，之后置于烘箱中120°C烘干12 h，得到白色固體粉末，其中Cs的質量分數為20%，標記為20%CsNO3/SiO2。采用同樣的方法制備不同Cs負載量的催化劑，標記為wCsNO3/SiO2，其中w(Cs)代表CsNO3/SiO2催化劑中Cs的質量分數(w)，即Cs負載量，相應的計算公式：w(Cs)=m(Cs)/(m(Cs)+m(SiO2))×100%。

采用同樣方法制備以CsCl為前驅體，Cs負載量為20%的參照催化劑20%CsCl/SiO2。

2.2催化劑表征

TGA表征在德國Netzsch STA 449C儀器上進行。在氮氣氣氛下從室溫升溫至800°C，升溫速率10°C?min－1。

NO質譜表征在自制的固定床層反應裝置上進行，CsNO3/SiO2催化劑用量為50mg，進行兩個階段加熱處理。典型過程為：第一階段在氮氣氣氛中將催化劑床層從室溫加熱至450－600°C，保持1.5h，升溫速率為20°C?min－1，主要考察不同預處理溫度對催化劑分解的影響；第二階段在催化劑床層降溫至50°C后，用He吹掃0.5h，然后在He氣氛下升溫至800°C，升溫速率為10°C?min－1，主要考察不同溫度預處理后催化劑中CsNO3剩余量。采用與反應裝置連接的質譜儀檢測兩個階段的NO，質譜儀為英國HidenAnalyticalLtd公司QIC-20型。

XRD表征在荷蘭PANalytical公司的X′Pert PROMPD型X射線粉末衍射儀上進行，Cu Kα輻射源，λ=0.1542 nm。儀器的管電壓40 kV，管電流40 mA，掃描步長0.014°，掃描范圍10°－90°。樣品測試是在室溫狀態下，空氣氣氛中進行。

O2-TPD表征在自制的固定床層反應裝置上進行，典型過程為：稱取50 mg的脫氯反應后的NO3/ SiO2催化劑于反應器中，在氮氣氣氛中120°C預處理2 h，冷卻至室溫，然后在氧氣氣氛下升溫至800°C，升溫速率為10°C?min－1。采用質譜檢測所產生的HCl和CO2，質譜為英國Hiden Analytical Ltd.公司QIC-20型質譜儀。

2.3催化劑活性評價

在微型固定床反應裝置上進行CsNO3/SiO2催化劑評價。取0.2 g的CsNO3/SiO2催化劑置于石英反應管中(i.d.=8 mm)，熱電偶放置于石英管內催化劑的中心位置以控制反應溫度。催化劑先在氮氣氣氛中經過一定的高溫預處理2 h，氮氣氣體流速為30 mL?min－1，并經過DQ型高效脫氧管除氧和5A分子篩除水。氮氣下預處理后，使催化劑床層降至一定的反應溫度，進行氣相裂解TCE脫HCl反應。TCE置于被冰浴冷卻的飽和器中，由N2將TCE帶入催化劑床層，N2流速為10－30 mL?min－1，對應的空速為1200－3600 h－1。反應產物用安捷倫6890型氣相色譜儀(FID)分析，DB-1毛細管柱，30 m×0.25 mm。

CsNO3/SiO2催化劑高溫再生實驗：(1)將300°C反應后第一次失活的CsNO3/SiO2催化劑在氮氣氣氛下升溫至450°C并保留30 min，然后降溫到300°C再進行脫氯反應，考察熱處理對催化劑再生影響；(2)將第二次失活的催化劑在氮氣氣氛升溫至550°C并保留30 min，然后降溫到300°C再進行脫氯反應，考察較高溫度熱處理對催化劑再生影響。

3　實驗結果與討論

3.1實驗結果

圖1　在N2氣氛下新鮮20%(w)CsNO3/SiO2催化劑的熱重分析曲線Fig.1　Thermogravimetric analysis(TGA)curve of fresh 20%(w)CsNO3/SiO2catalysts in N2atmosphere

圖1是新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑的熱重表征。20%CsNO3/SiO2催化劑的失重過程可以分為四個階段，其中第一個階段為160°C以下范圍，失重約1%，歸屬于新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑表面吸附水的失重。第二個階段為160－410°C范圍，催化劑失重約2%，歸屬于20%CsNO3/SiO2催化劑中或載體SiO2孔道中較強吸附水的失重，原因是新鮮催化劑在裝入反應裝置前沒有經過高溫焙燒處理，會含有較多的水分。第三個階段為410－690°C范圍，催化劑失重約7%，稍微大于CsNO3分解為Cs2O過程的理論計算值(6%)，考慮CsNO3的熔點為414°C，因本段失重歸屬于CsNO3的分解與少量蒸發30。685°C以上的第三個階段失重，歸屬于Cs2O氧化物進一步分解和升華過程31,32。

圖2　新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑分解的NO質譜圖Fig.2　Mass spectra of NO from the decomposition of fresh 20%CsNO3/SiO2catalysts

圖2是不同預處理溫度時20%CsNO3/SiO2催化劑分解的NO質譜表征。采用兩個階段對催化劑進行熱處理：第一階段在氮氣中室溫升至450－600°C，并保持1.5 h，考察不同溫度預處理對CsNO3分解影響；第二階段在催化劑統一降溫至50°C后，He氣氛中升溫至800°C，考察不同溫度預處理后催化劑中CsNO3剩余量。從圖2中可以看出，20%CsNO3/SiO2催化劑在熱處理過程中有NO產生，預處理溫度越高NO量越大。NO產生表明有亞硝酸銫(CsNO2)存在32，而亞硝酸銫是來自于硝酸銫分解，由此推測新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑中CsNO3的分解過程：CsNO3先分解產生CsNO2，然后CsNO2再分解產生NO和Cs2O，其中部分NO被原位產生的O2氧化得到NO2。

NO是CsNO3分解的主要產物之一，可以從NO產生量判斷CsNO3的分解程度。從第一階段(圖2(a))不同預處理溫度的NO質譜表征中可以看到，隨著預處理溫度升高，NO產生量顯著增加，表明高溫預處理時引起較多CsNO3分解，低溫預處理CsNO3分解較少。第二階段(圖2(b))在相同熱處理條件下考察不同溫度預處理后，催化劑中CsNO3剩余量。從圖2(b)可以看出，隨著第一階段的預處理溫度升高，第二階段中NO產生量越來越少，表明預處理溫度升高導致催化劑中CsNO3剩余量減少。

綜合兩個熱處理階段的NO和NO2質譜結果，可知催化劑中CsNO3在450－600°C區間發生分解。550°C以上高溫預處理時CsNO3分解較多，并產生較多NO和Cs2O；450°C以下低溫預處理時CsNO3幾乎沒有分解，催化劑中CsNO3剩余量較多。

NO質譜結果可以與熱重結果相互印證(圖1)，熱重表征中第一階段和第二階段的溫度低于410°C，相當于低溫預處理催化劑的情況，催化劑中擁有較多尚未分解的CsNO3，因此熱重分析中第一階段和第二階段的失重不是CsNO3分解引起，而是催化劑中吸附的水引起的失重；熱重中第三階段的溫度為410－690°C，相當于高溫預處理催化劑的情況，催化劑中CsNO3發生分解，因此這個階段的失重主要由CsNO3分解到Cs2O產生的。

圖3是不同預處理溫度對20%CsNO3/SiO2催化劑上的TCE脫HCl的影響結果。從圖3中可以看出，隨著預處理溫度升高，TCE轉化率和VDC選擇性均呈現先升高后降低的趨勢，其中在焙燒溫度為550°C時達到較好催化性能，TCE轉化率為98.5%，VDC選擇性為77.5%，而且在反應過程中基本保持穩定。由TGA和NO質譜表征(圖1和2)可知，CsNO3/SiO2催化劑在550°C預處理后有較多的CsNO3分解，并產生Cs2O物種，這可能是其具有較高催化活性的原因。

圖3　預處理溫度對20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫的影響Fig.3　Effect of pretreatment temperature on the dehydrochlorination of 1,1,2-trichloroethane(TCE) over 20%CsNO3/SiO2catalysts

圖4是CsNO3負載量對CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫HCl的影響結果。由圖4看出，TCE轉化率隨著CsNO3負載量而增加，但負載量在20%以上時增加幅度不大。負載量為20%的20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE轉化率穩定在98%以上。CsNO3負載量對VDC選擇性影響不大，除了負載量較低的5% CsNO3/SiO2催化劑稍高(79%)，其它負載量催化劑的VDC選擇性基本相同(ca 78%)。

圖4　CsNO3負載量對CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫HCl的影響Fig.4　Effect of CsNO3loading on the dehydrochlorination of TCE over CsNO3/SiO2catalysts

圖5是空速對20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫的影響結果。本研究中反應原料TCE置于冰浴的飽和器中，利用氮氣將TCE帶入催化劑床層進行反應。通過改變氮氣流量，考察空速對20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫的影響。從圖5中可以看出，空速對TCE轉化率有較大影響。隨著空速增加，TCE轉化率呈現顯著的下降趨勢，但在不同空速下TCE轉化率是保持基本穩定的。空速在1200 h－1時，TCE穩態轉化率達到98%以上。空速對VDC選擇性影響不大，不同空速下VDC選擇性約為78%。

圖6是反應溫度對20%CsNO3/SiO2催化劑上的TCE脫HCl的影響結果。從圖6中可以看出，對于任一個反應溫度來說，20%CsNO3/SiO2催化劑均具有很高的初始活性(98%)，但隨著TCE脫HCl反應進行，350°C以下TCE轉化率明顯失活，400°C以上TCE轉化率較高(98%)且保持穩定。VDC選擇性隨反應溫度升高有所降低，在400°C以下變化不明顯，但450°C反應有明顯下降，可能是高溫引起較多副反應。各個反應溫度下得到的副產物中，主要是VDC的異構體1,2-二氯乙烯、順-1,2-二氯乙烯(cis-DCE)和反-1,2-二氯乙烯(trans-DCE)。

Mochida等18,25利用脈沖反應研究TCE脫氯化氫時得到VDC選擇性為90%，有別于本研究結果，這可能有兩個原因：一是在較低反應溫度下(250°C)進行反應，副反應發生較少，而Mochida等27在后期工作中發現，升高反應溫度導致VDC選擇性降低；二是Mochida等采用高表面積硅膠載體(650 m2?g－1)，可能有利于VDC選擇性。有關載體對TCE脫氯化氫影響將在今后工作中作進一步研究。

圖5　空速對20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫反應影響Fig.5　Effect of space velocity on the dehydrochlorination of TCE over 20%CsNO3/SiO2catalysts

催化劑穩定性是衡量催化劑優良的一個重要指標，目前氣相催化裂解TCE制備VDC的最大難點就是催化劑壽命短13。在本研究中，我們發現20%CsNO3/SiO2催化劑在400°C下裂解TCE時具有高穩定活性(圖6)，為此我們進行了CsNO3/SiO2催化劑的100 h穩定性試驗，實驗條件為Cs含量為20%，焙燒溫度為550°C，反應溫度為400°C，空速為1200 h－1，所得結果見圖7。從圖7可以看出，CsNO3/SiO2催化劑在100 h試驗中保持非常好的催化效果，TCE穩態轉化率為98%，VDC穩態選擇性為78%，具有較好的工業應用前景。

圖6　反應溫度對20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫影響Fig.6　Effect of reaction temperature on the dehydrochlorination of TEC over 20%CsNO3/SiO2catalysts

3.2催化劑失活機理

反應溫度對CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫HCl有顯著影響(圖6)，400°C以上反應具有高穩定的活性，350°C以下反應存在明顯失活現象。在TCE氣相脫HCl反應中催化劑失活原因一般有三種：一是反應前后Cs物種變化，二是催化劑表面積炭，三是反應過程中產生的HCl等難以從催化劑表面脫附。

首先考察反應前后催化劑中Cs物種變化情況，對新鮮及不同溫度反應的20%CsNO3/SiO2催化劑進行了XRD表征(圖8)。從圖8可以看出，新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑中的Cs物種主要為CsNO3衍射峰，這是由于浸漬法得到新鮮20%CsNO3/SiO2催化劑沒有經過高溫焙燒處理，基本沒有改變前驅體CsNO3形態。不同溫度反應后20%CsNO3/SiO2催化劑中CsNO3都變成了CsCl，沒有觀察到其它Cs物種衍射峰。需要指出的是，20%CsNO3/SiO2催化劑在不同溫度脫氯反應之前，均經過氮氣中550°C預處理。由20%CsNO3/SiO2催化劑的熱重和NO質譜表征結果(圖1和2)可知，經過550°C預處理，催化劑中存在較多Cs2O和少量CsNO3，而反應后催化劑的XRD表征中沒有發現Cs2O和CsNO3衍射峰，表明它們在TCE脫HCl中被氯化形成CsCl物種27。

圖7　20%CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫HCl的100 h穩定性實驗Fig.7　Life test of 20%CsNO3/SiO2catalysts for the dehydrochlorination of TEC in 100 h

Mochida等28在研究Cs交換的ZSM-5沸石分子篩催化劑中，認為催化劑中生成了CsCl是催化劑失活主要原因。本研究中CsNO3/SiO2催化劑經過不同反應溫度后，催化劑中Cs物種都變成CsCl物質(圖8)，而且350°C以下較低溫度反應時催化劑失活較快(圖6)，是否脫氯反應中生成的CsCl物種導致CsNO3/SiO2催化劑低溫反應失活？

圖8　新鮮及不同反應溫度脫氯化氫后的20% CsNO3/SiO2催化劑XRD譜圖Fig.8　X-ray diffraction(XRD)patterns of the fresh 20% CsNO3/SiO2catalyst and the used 20%CsNO3/SiO2catalysts with different reaction temperatures

為了驗證CsCl對催化劑失活影響，我們設計一個對照實驗，直接以CsCl為前驅體制備20% CsCl/SiO2催化劑，考察CsCl物種對催化劑活性影響，所得結果見圖9。從圖9中可以看出，相對于CsNO3為前驅體的20%CsNO3/SiO2催化劑，20% CsCl/SiO2催化劑具有類似的催化性能，TCE轉化率和VDC選擇性分別為95%和78%，這表明脫HCl反應中生成的CsCl物種不是CsNO3/SiO2催化劑失活的主要因素。

圖9　20%CsNO3/SiO2和20%CsCl/SiO2催化劑對TCE脫氯化氫反應的對照實驗Fig.9　Control experiment between 20%CsNO3/SiO2and 20%CsCl/SiO2catalyst for the dehydrochlorination of TEC

第二個可能導致催化劑失活原因是催化劑表面積炭，而研究積炭一般采用O2-TPD表征。圖10是400°C反應后20%CsNO3/SiO2催化劑的O2-TPD表征。從圖10中可以看出，使用后的20%CsNO3/ SiO2催化劑在氧化氣氛下，產生HCl和CO2脫附峰。HCl脫附峰在340°C附近，并有對應的CO2脫附峰，歸屬于催化劑表面吸附的含氯有機物種。CO2在較高溫度440和534°C位置還有脫附峰，但沒有HCl伴隨出現，這些CO2脫附峰歸屬于催化劑表面積炭引起的。圖10中O2-TPD結果表明，400°C反應后20%CsNO3/SiO2催化劑上有積炭產生，但400°C反應時20%CsNO3/SiO2催化劑具有高穩定的催化活性(圖6和7)，因此，催化劑表面積炭也不是造成催化劑失活的主要原因。

Cs基催化劑失活的第三個原因可能是反應過程中產生的HCl難以脫附。Mochida等26研究CsCl/ SiO2催化劑時，指出TCE脫氯反應中產生的HCl難以從催化劑表面脫除，是造成CsCl/SiO2催化劑失活的主要原因。如果催化劑失活主要由于HCl難以脫附引起的，那么通過高溫處理可以使得催化劑再生。為此，我們設計了非氧化氣氛高溫再生試驗：(1)將300°C反應失活的CsNO3/SiO2催化劑在氮氣氣氛下450°C處理后，再進行300°C脫氯反應，考察熱處理對催化劑再生影響；(2)將第二次失活的催化劑在N2中550°C處理，再進行300°C反應，考察非氧化氣氛高溫熱處理對催化劑再生影響。

圖10　經400°C反應后20%CsNO3/SiO2催化劑的O2-TPD圖Fig.10　O2temperature programmed desorption (O2-TPD)patterns of used 20%CsNO3/SiO2catalysts with a reaction temperature of 400°C

圖11是CsNO3/SiO2催化劑在300°C反應后高溫再生實驗的結果。從圖11中可以看出，20% CsNO3/SiO2催化劑在300°C反應時TCE轉化率下降很快，記作第一次失活過程。對第一次失活后的20%CsNO3/SiO2催化劑，在N2中采用450°C處理后，TCE轉化率達到65%，表明熱處理能夠對催化劑再生。當采用550°C高溫處理第二次失活的催化劑后，TCE轉化率達到96%，幾乎完全恢復了初始催化活性。相對于高溫處理，450°C較低溫處理只恢復部分催化活性，可能原因是較低溫度不能完全解除吸附物種，從非氧化氣氛中(N2)高溫熱處理使催化劑再生的實驗可以推測，低溫反應時催化劑活性中心被一些物種覆蓋，導致催化劑失活，而高溫處理能夠使這些物種解離脫附，從而恢復催化活性。結合O2-TPD表征(圖8)，使用后的催化劑上有含氯有機物存在，因此，可以推斷引起催化劑失活的物質，可能是一些能夠在高溫下脫附的含氯小分子反應產物，如HCl和VDC等，究其具體物種有待進一步研究中。

圖11　300°C反應后20%CsNO3/SiO2催化劑的高溫再生實驗Fig.11　High temperature regeneration for used 20% CsNO3/SiO2catalyst with a reaction temperature of 300°C

4　結論

550°C以上熱處理CsNO3/SiO2催化劑時，較多的CsNO3分解為Cs2O，而450°C以下熱處理催化劑時CsNO3分解較少。在脫氯反應過程中CsNO3/SiO2催化劑中所有Cs物種會轉變為CsCl，且催化劑表面出現積碳。反應溫度對CsNO3/SiO2催化劑上TCE脫氯化氫有重要影響，其中350°C以下反應時CsNO3/SiO2催化劑容易失活，400°C以上反應時催化劑活性較高且不易失活。導致催化劑失活的主要原因不是Cs物種轉變和積炭，而是含氯反應產物在低溫反應時難以從催化劑表面脫附。這些含氯反應產物能夠高溫脫附，從而使低溫反應失活的催化劑再生。通過優化反應條件，CsNO3/SiO2催化劑在400°C下100 h壽命實驗中，TCE轉化率和VDC選擇性分別穩定為98%和78%，具有較好的工業應用前景。

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Highly Stable CsNO3/SiO2Catalysts for the Synthesis of Vinylidene Chloride Using a Gaseous Phase Method

JIN Yan-Xia1TANG Cen1MENG Xiu-Qing1WANG Xiao-Xia1XIE Guan-Qun1,2,*LUO Meng-Fei1,*LI Xiao-Nian2
(1Key Laboratory of the Ministry of Education for Advanced Catalysis Materials,Institute of Physical Chemistry,Zhejiang Normal University,Jinhua 321004,Zhejiang Province,P.R.China;2State Key Laboratory Breeding Base of Green Chemistry Synthesis Technology,Industrial Catalysis Institute,Zhejiang University of Technology,Hangzhou 310032,P.R.China)

CsNO3/SiO2catalysts were prepared using an impregnation method,and were applied in the vapor phase catalytic synthesis of vinylidene chloride(VDC)from 1,1,2-trichloroethane(TCE).The influence of reaction temperature on the deactivation of CsNO3/SiO2catalysts was investigated in detail.It was found that low reaction temperatures(<350°C)lead to a rapid deactivation,while high reaction temperatures(>400°C)result in a high and stable catalytic activity.During the dehydrochlorination process,CsNO3species were transformed into CsCl,and coke was formed and deposited on the catalyst surface.However,the chemical change of the Cs species and deposited coke were not the main reason for the deactivation of CsNO3/SiO2catalyst.Some chlorine-containing species(organic products or HCl)were formed during the reaction and were difficult to desorb from the catalyst surface,which accounts for thedeactivation of CsNO3/SiO2catalysts at low reaction temperatures.High temperature treatment(550°C)in a non-oxidizing atmosphere could remove the contaminants and regenerate the catalysts completely.The life test of CsNO3/SiO2catalyst was carried out at 400°C for 100 h.The TCE conversion and the selectivity to VDC remained stable at 98%and 78%,respectively,showing good prospect for industrial applications.

Vinylidenechloride;1,1,2-Trichloroethane;CsNO3;Dehydrochlorination; Heterogeneous reaction

September 14,2015;Revised:November 13,2015;Published on Web:November 13,2015.

O643

?Corresponding authors.XIE Guan-Qun,Email:gqxie@zjnu.edu.cn;Tel:+86-13867975729.LUO Meng-Fei,Email:mengfeiluo@zjnu.cn; Tel:+86-579-82283910.

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China(21476207),and Open Research Fund of Top Key Discipline of Chemistry in Zhejiang Provincial Colleges,China,and Key Laboratory of the Ministry of Education forAdvanced Catalysis Materials,China (ZJHX201413).

國家自然科學基金(21476207),浙江師范大學浙江省省屬高校化學重中之重學科和先進催化材料教育部重點實驗室開放課題基金(ZJHX201413)資助項目

?Editorial office ofActa Physico-Chimica Sinica