原子序數(shù)對反散射峰與散射體飽和厚度的影響
2016-11-04 02:57:55肖明白宇軒艾爾肯阿不列木
科技與創(chuàng)新 2016年17期
肖明++白宇軒++艾爾肯?阿不列木
文章編號：2095-6835（2016）17-0019-02
摘 要：利用137Cs放射源放出能量為662 KeV的光子在距離探測器10 mm、20 mm和30 mm時，經(jīng)厚度為0.4 cm的石蠟、玻璃、Al、Fe、Cu和Pb散射后，找出了原子序數(shù)對反散射峰面積的影響。通過MCNP5程序模擬確定了散射體的飽和厚度，并得出了其與原子序數(shù)的關(guān)系。結(jié)果表明，反散射峰面積在原子序數(shù)達到26以后開始減小，飽和厚度隨原子序數(shù)增加呈現(xiàn)出指數(shù)衰減的趨勢。在源與探測器的距離為10 mm、20 mm、30 mm時，F(xiàn)e、Cu和Pb的飽和厚度的理論值與模擬值的平均誤差為0.11、0.06和0.31.由此可見，源與探測器的距離對反散射的影響較大。試驗結(jié)果對進一步開展反散射在工業(yè)、農(nóng)業(yè)和醫(yī)療業(yè)的輻射屏蔽的研究有一定的指導作用。
關(guān)鍵詞：散射體；反散射；MCNP5；飽和厚度
中圖分類號：O571.33 文獻標識碼：A DOI：10.15913/j.cnki.kjycx.2016.17.019
