超低功耗高性能集成路器件與工藝基礎研究立項報告

張興　劉曉彥

摘 要：該研究將針對集成電路特征尺寸發展至16 nm及以下技術節點后所面臨的關鍵科學問題，以在16 nm及以下技術節點集成電路技術擁有自主知識產權的若干關鍵核心技術和解決方案為目標，圍繞納米尺度下集成電路進一步發展所面臨的核心矛盾；從材料體系、集成工藝、新結構邏輯器件、新型存儲器件與互連技術等基礎層面進行系統深入的研究；將新材料體系、新的器件結構、存儲單元、互連技術以及集成工藝技術基礎等方面的研究工作有機結合，多層次、綜合性地解決16 nm及以下技術節點集成電路器件和工藝所面臨的關鍵科學問題。使我國在新一代集成電路技術領域擁有自主知識產權的若干關鍵核心技術，推動我國硅基集成電路產業的可持續發展，為國家重大科技專項開展16 nm特征尺寸集成電路產業化技術奠定理論和技術基礎，同時為我國納米尺度硅基集成電路科學技術和產業培養一批高水平人才。

關鍵詞：集成電路技術 低功耗 邏輯器件 非易失存儲器件 器件模型模擬 互連技術 工藝集成

Abstract：This project will focus on the critical issues of the science and technology as IC technology scaling down to 16 nm node and beyond. Aimed to have a number of core technologies and proprietary solutions for 16 nm node and beyond integrated circuit technology， organizes researches on the basics science and technology problems from material systems， integrated technology， the new structure logic devices systematic in-depth research， new technology and other memory devices and interconnect. Combined the material， devices structure， interconnect and process integration researches to investigating systematic solutions of the key scientific issues of 16 nm and beyond IC technology. The achievements of this project will support the sustainable development of silicon-based integrated circuit industry in our country.

Key Words：Integrated circuit technology；Low power；logic devices；NV memory devices；Devices modeling and simulation；Interconnect technology；Process integration

閱讀全文鏈接（需實名注冊）：http：//www.nstrs.cn/xiangxiBG.aspx？id=51557&flag=1