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以陶瓷拋光廢渣為發泡原料制備輕質釉面磚的研究

2016-10-11 02:48:55許林峰曾德朝鐘保民
陶瓷 2016年9期

許林峰 曾德朝 鐘保民

(廣東東鵬陶瓷股份有限公司 廣東 佛山 528031)

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以陶瓷拋光廢渣為發泡原料制備輕質釉面磚的研究

許林峰曾德朝鐘保民

(廣東東鵬陶瓷股份有限公司廣東 佛山528031)

以拋光廢渣為發泡原料,結合粘土、石英、鉀長石等陶瓷原料,制備出抗變形能力好的輕質陶瓷磚坯;并研制出熱膨脹系數與輕質磚坯適配的高溫釉料和低溫釉料;采用雙層布釉的方法,制備出釉面質量良好的輕質釉面磚。測試結果表明:輕質陶瓷磚釉面具有優異的防污性能,抗折強度達到8.47 MPa,導熱系數為0.39 W/m·K。

陶瓷拋光廢渣釉面磚輕質磚防污性能

從2014年開始,我國陶瓷磚產量已突破100億m2,其中需要拋光的產品超過35%。每生產1 m2拋光磚需要拋掉厚度為0.8~1.2 mm的磚表面層,從而產生2.0 kg左右的陶瓷廢料。這些廢料中通常含有少量的碳化硅,其來源于拋光磨頭。由于碳化硅顆粒尺寸細小(微米級),性質穩定,因此難以通過普通的物理或化學方法進行分離或去除。在堿性熔體侵蝕下,碳化硅在氧化氣氛中容易氧化(反應溫度低于700 ℃)產生氣體。這些廢料作為陶瓷原料循環再利用時,在燒成過程中容易引起陶瓷磚嚴重發泡、變形,使得生產工藝難以穩定,產品不合格。同時,拋光廢渣成分不穩定也是限制其應用的因素之一。

拋光廢渣每年的排放量超過700萬t,又難以資源化利用,生產所產生的大量廢料已經不能用簡單的填埋方法來解決了。大量堆積的陶瓷廢料侵占土地,污染水源、空氣和土壤環境[1~3]。如果不對這些廢料進行加工處理或再利用,不斷產生的陶瓷廢料將嚴重破壞我們的生存環境。如何將其變廢為寶,廢料資源化利用,己成為陶瓷生產企業和環保部門共同關注的問題[4~7]。

拋光廢渣資源化利用的研究和實踐工作早在十多年前就已經開展了。許多高校和科研院所對拋光廢渣進行了詳盡的基礎研究,發表了大量的論文。一些企業也對將拋光廢渣作為陶瓷原料,用于制備陶瓷磚的實踐工作進行了大膽的嘗試。有企業將少量(5%左右)拋光廢渣加入到拋光磚底料中,由于雙層布料的拋光磚底層可以燒結程度低一點,從而可抑制碳化硅的氧化。另外,底層有少量的發泡不會引起磚的變形和表面防污性能;也有企業將拋光廢渣加入到生燒的釉面瓷片中,加入量可以達到30%;還有企業直接利用拋光廢料的發泡性質制備輕質陶瓷磚,加入量可以超過50%,甚至達到80%。這種輕質陶瓷磚由于體積密度小(可以達到0.4 g/cm3),因此具有良好的隔熱和隔音性能[8]。這種陶瓷磚既符合目前國家提倡的“綠色環保”政策,又具有良好的經濟效益和社會效益,值得研究開發。

目前,利用拋光廢渣制備輕質陶瓷磚,面臨的問題主要有兩方面:一是控制坯體變形,二是表面防污。針對這兩方面的問題,筆者對采用拋光廢渣為發泡原料,制備表面平整且防污的輕質釉面磚進行了研究。

1 實驗

1.1原料

實驗使用的原料有:建筑陶瓷企業的拋光廢渣、球土、桂丹泥、鉀長石、滑石、氧化鋁和石英砂。原料的化學組成見表1。

表1 原料的化學組成(質量%)

1.2工藝流程

1.2.1輕質磚坯的制備工藝

本研究中的輕質磚坯的基礎配方(質量%)為:球土20,桂丹泥35,鉀長石20,石英23,氧化鋁2。經大量的實驗研究發現,此配方的抗變形能力較好,加入拋光廢渣后,依然具有良好的尺寸穩定性。坯體的制備工藝流程見圖1,其中行星球磨時間為10 min。

圖1 坯制備的工藝流程圖

1.2.2釉料的制備工藝

本研究采用的釉料配方有兩個,一個是熔融溫度較高,其配方組成(質量%)為:球土15,桂丹泥27,滑石24.5,鉀長石18,石英15,氧化鋁0.5;另一個是熔融溫度較低,其配方組成(質量%)為:球土15,桂丹泥13,滑石20,鉀長石22,石英30。釉料的制備工藝流程見圖2,其中行星球磨時間為30 min,過250 目篩。

圖2 釉制備的工藝流程圖

1.2.3噴釉工藝

采用空氣噴槍對干燥的磚坯進行噴釉,可以連續噴2次。如果還需要繼續噴釉,必須對磚坯先進行干燥,然后再噴釉。

1.2.4燒成工藝

對生坯進行干燥處理后,將其置于耐火墊板上,在輥道窯中直接燒成。燒成周期為100 min,燒成溫度為1 200 ℃。

1.3測試方法

1.3.1顯微結構觀察

采用荷蘭Philips公司的XL30FEG型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察樣品的表面和斷面形貌。

1.3.2抗折強度測試

采用三點抗彎法,在CMT系列電子萬能試驗機上測試其抗折強度,加載速率為0.5 mm/min。測試樣品數量為10個,測量樣品的寬度和長度時分別取兩邊和中間的3個點,計算其平均值。抗折強度的計算公式為:

σ= 3FL/(2bh2)

式中:F——最大載荷;

L——跨距,cm;

b——樣品寬度,cm;

h——樣品厚度,cm。

1.3.3體積密度的測定

采用排水法測定樣品的體積密度,測試樣品數量為每種5片。體積密度的計算公式為:

ρb=M1×D1/(M3-M2) ×100%(g/cm3)

式中:M1——干重,g;

M2——水中浮重,g;

M3——飽和濕重,g。

1.3.4導熱性能測試

樣品的導熱性能采用熱線法進行測定,測試設備采用Hot Disk公司生產的熱常數分析儀。測定的條件:溫度為25 ℃,平衡時間為10 s,輸出電壓為0.1 V。試樣長×寬×高=50 mm×50 mm×10 mm,而且必須保證測試面平整。

1.3.5表面防污性能測試

將黑色墨水滴于樣品表面放置1 h后,將樣品置于水龍頭下進行沖洗,再用濕布進行擦拭后,觀察樣品表面是否存在污染痕跡,從而判斷樣品的防污效果。

2 結果與分析

2.1拋光廢渣添加量對樣品體積密度的影響

在配方中大量引入拋光廢渣雖然有利于廢料的資源化利用,但是在高溫階段產生的劇烈發泡容易引起陶瓷磚膨脹不均勻。為了制備表面平整的輕質釉面磚,本研究從以下3個方面控制陶瓷磚的變形:

1)在基礎配方中盡量不采用含鈣和鈉的原料。因為鈣和鈉都會急劇降低液相的高溫粘度,導致氣泡在低粘度的液相中容易膨脹、連通并形成大孔,最后使得輕質陶瓷磚中的孔結構粗大,不規則,而且在燒成過程中,低粘度的液相在重力的作用下向周邊流動,導致磚的外形呈饅頭狀。

圖3 拋光廢渣含量對體積密度的影響Fig.3 Effect of polished waste content on bulk density

2)在燒成過程中采用低溫慢燒工藝。這樣可以使氣泡膨脹的速率減慢,磚體各部分的膨脹程度接近,從而保證陶瓷磚的尺寸穩定。

3)采用合適的拋光廢渣添加量,既保證了拋光廢渣的利用率,又保證了產品性能和工藝的穩定性。

為了兼顧輕質陶瓷磚的體積密度和尺寸的穩定性,以及釉面質量,本研究將輕質陶瓷磚的體積密度設定為0.9~1.0 g/cm3。圖3為拋光廢渣添加量對樣品體積密度的影響。

從圖3中可以看出,隨著拋光廢渣添加量的增加,樣品的體積密度降低。當拋光廢渣的添加量為30%時,樣品的體積密度為0.95 g/cm3,繼續增加拋光廢渣的添加量,樣品體積密度的下降幅度減小,且樣品的變形也沒有明顯增加。這是由于孔隙率的增加除了與拋光廢渣的用量有關外,還與高溫液相粘度有關,且后者的影響更為顯著。當拋光廢渣含量增加時,空氣擴散的速率并不會增加。所以碳化硅的氧化會受到限制,導致氣體不會顯著增加。正是由于液相粘度大,少量的氣體增加不會引起顯著的膨脹。為了更好的控制釉面的質量,本研究將拋光廢渣的用量設定為30%。

2.2釉面質量的影響因素分析

影響輕質磚釉面質量的因素主要有:熱膨脹失配引起釉面的開裂或剝離;釉的粘度或表面張力不合適引起釉面鼓泡或針孔;釉層的厚度太薄引起的釉面鼓泡或針孔等。熱膨脹失配通過調整釉料配方改變其熱膨脹系數就可以解決。通過試驗,配制出了熱膨脹系數合適的釉料配方。而釉面鼓泡和釉面針孔的問題解決起來難度要大一點。因為普通的陶瓷磚在預熱帶或燒成帶前期排氣基本上就已經結束,或者大部分氣體已經排出。輕質陶瓷磚在到達燒成帶時排氣才剛剛開始,而且會有大量的氣體產生。產生的氣體很容易引起釉面氣泡和針孔,難以形成平整光滑的釉面。由于氣體會源源不斷的產生,因此不能通過釉面的自流平或自排氣來解決問題。只能直接將氣體封在釉面下,所以我們采用雙層布釉的方法來解決這個問題:先布一層高溫釉,減少氣體的穿透,阻止形成氣泡,再布一層低溫釉,提高釉面的平整度和光澤度。

表2為釉面質量的實驗結果。

表2 釉面質量的實驗結果

由表2可以看出,噴超過兩次高溫釉,就可以保證不出現針孔和釉泡缺陷。但是,由于高溫釉的粘度較大,導致輕質磚膨脹時的阻力大,大的表面膨脹阻力會導致磚面上翹。噴低溫釉可以提高輕質磚的表面光澤度,但是厚度較薄時,會產生嚴重的釉面針孔和釉泡缺陷。即使釉層較厚時,也會產生小的釉泡,形成釉面凸包;而采用雙層布釉時,就可以得到表面平整,沒有明顯缺陷的釉面,并且可以任意調整釉面的光澤度,既可以得到亞光、半亞光,也可以得到高光的釉面。

2.3輕質釉面磚的顯微結構觀察

圖4為輕質釉面磚的表面和斷面的顯微結構圖。

圖4(a)為釉面與磚坯的界面形貌圖,從圖中可以看出,釉面的厚度大約為100 μm。高溫底釉層和低溫面釉層已經融合在一起,沒有明顯的界線。在存在孔洞的地方,釉面將孔洞牢牢地封住,且釉面沒有鼓起(如黑色箭頭所指示)。在面釉層存在明顯的凹坑,但是凹坑沒有發生貫穿,因此不影響釉面的防污性能。這說明底層的高溫釉層可以阻止氣體的膨脹,防止釉面產生釉泡。

圖4(b)為釉表面的掃描電鏡圖,從圖中可以看出,釉面平整,沒有明顯的小針孔和鼓泡。

圖4(c)為未上釉的輕質磚坯表面,從圖中可以看到明顯的孔洞和凹坑,其表面很容易吸污,而且由于孔洞細而深,吸污之后很難清理。

圖4(d)為輕質磚坯的斷面形貌圖,從圖中可以看出,孔的分布均勻,沒有明顯的異常大孔,均勻的顯微結構有利于提高材料的性能穩定性和力學強度。

圖4 輕質釉面磚表面與斷面的顯微結構觀察圖

2.4輕質釉面磚的性能測試結果

圖5為輕質釉面磚樣品的光學照片,其中圖5(a)中的樣品經過了滴墨處理,圖5(b)中的樣品未經過任何處理。

從圖5中可以看出,經過滴墨處理的樣品和未經過處理的樣品沒有明顯的差異。測試過程中注意到,滴墨處理的樣品經清水沖洗,濕抹布擦拭后,光潔如新,沒有留下明顯的痕跡。同時,從照片中可以看出,輕質釉面磚的表面平整,沒有明顯的變形。輕質釉面磚的抗折強度達到8.47 MPa,導熱系數為0.39 W/m·K。

3 結論

1)提高拋光廢料的含量可以降低輕質磚的體積密度,但是添加量超過30%后,如果繼續增加拋光廢料的量,體積密度的下降趨勢將減緩。

2)釉的高溫粘度大可以防止針孔和釉泡的產生,但是會引起磚面上翹;釉的高溫粘度小雖然可以得到光滑的釉面,但是容易產生針孔和釉泡。將高溫釉和低溫釉結合起來使用,可以得到表面光滑的,沒有針孔和釉泡缺陷的釉面。

圖5 樣品的光學照片

3)研究制備的輕質釉面磚表面防污效果好,抗折強度達到8.47 MPa,導熱系數為0.39 W/m·K。

1徐建國.佛山陶瓷企業開展清潔生產的現狀及方向.佛山陶瓷,2007,17(3):11~15

2王繼杰,李旭.中國陶瓷產業與環境保護的協調性發展.中國陶瓷,2006,42(10):3~6

3Rambaldi E,Esposito L,Tucci A.Recycling of polishing porcelain stoneware residues in ceramic tiles.Journal of the European Ceramic Society,2007,27:3 509~3 515

4蔡祖光.陶瓷工業廢料廢渣的處理.佛山陶瓷,2002,2(3):11~12

5李玉峰.陶瓷廠廢料的開發和利用.佛山陶瓷,2003,13(3):16~18

6Nuran A.The use of waste ceramic tile in cement production.Cement and Concrete Research,2001,31:163~166

7夏海斌.利用拋光磚廢料制備功能性建筑材料的研究:[碩士學位論文].廣州:華南理工大學,2009

8繆松蘭,馬光華,李清濤,等.建筑陶瓷廢渣制備輕質陶瓷材料的研究.陶瓷學報,2005,26(2):71~79

Ceramic Polishing Slag as Foaming Material for Preparation of Light Glazed Tile

Xu Linfeng,Zeng Dezhao,Zhong Baomin

(Guangdong Dongpeng Limited Liability Company,Guangdong,Foshan,528031)

A light ceramic tile body with outstanding non-deformability was produced by using ceramic polishing slag as foaming material and clay, silica sand, potash feldspar as raw materials. And a high temperature glaze and a low temperature glaze with coefficient of thermal expansion adapting to the body were also produced. Light ceramic glazed tiles with excellentglaze surface were prepared by a method of double-layer glazing. The test results indicate that the light ceramic glazed tiles show excellentantifouling property, and the flexural strength of 8.47 MPa and heat conductivity coefficient of 0.39 W/m·K were reached.

Ceramicpolishing slag; Glazed tile; Light tile; Antifouling property

許林峰(1984-),博士;主要研究方向為陶瓷納米粉體合成、多孔陶瓷制備。

TQ174.76

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1002-2872(2016)09-0022-06

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