寬禁帶功率電子器件及其應用專輯特邀主編述評

謝少軍，吳新科

（南京航空航天大學，浙江大學）

寬禁帶功率電子器件及其應用專輯特邀主編述評

謝少軍，吳新科

（南京航空航天大學，浙江大學）

相較于傳統的硅器件，基于寬禁帶半導體材料的功率電子器件在很多方面都體現出了優越的性能，符合功率變換器高效率、高工作溫度及高功率密度的發展需求。近幾年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件的制造技術發展迅速，多家公司推出了系列商業化產品，寬禁帶功率電子器件及其應用已成為當前電力電子學科研究熱點之一。

為集中展現寬禁帶半導體器件及其應用方面的最新研究成果和進展，《電源學報》特別推出“寬禁帶功率電子器件及其應用”專輯。本專輯征文得到了國內各高校和企業同行的積極響應和大力支持，共收到稿件22篇，經過認真細致的評審，錄用18篇。其中關于器件發展及新型器件相關論文2篇，器件建模及器件應用特性分析相關論文4篇，器件在特定電路中的應用相關論文7篇，應用寬禁帶器件的高密度功率變換器集成封裝相關論文2篇，應用綜述相關論文3篇。

寬禁帶半導體材料及器件的發展是寬禁帶功率電子器件應用的基礎。中山大學劉揚教授等的“第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰”歸納了GaN器件的技術路線、產業化發展現狀，分析了GaN器件的關鍵技術和挑戰，介紹了該器件的國內發展現狀，指出凹槽絕緣柵結構的常關型GaN MOSFET器件是基于CMOS工藝的Si襯底上GaN功率開關器件的產業化發展方向。……