10W高線性802.11n功率放大芯片設計

陳璐　張曉東　田婷　王鋒

摘要：本文介紹了一款用于無線局域網802.11n的10w功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GdAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內EsD保護電路，方便用戶安全使用。

關鍵詞：功率放大器；802.11n；GdAs HBT；熱分流

引言

802.11n是寬帶無線局域網（WLAN）的一種傳輸標準。在WLAN組網時，可以利用無線橋接技術將兩個不同物理位置，不方便布線的用戶連接到同一局域網內。但是由于WLAN自身發射功率較低，橋接的距離非常有限。因此在為橋接路由器設計大功率、高線性、符合802.11n要求的功率放大器是非常有價值的。

在實際應用中，為滿足傳輸距離要求，需要線性輸出2W的功率放大器。為得到2W的線性輸出，通常功率放大器的飽和輸出功率需要達到10W以上。10W功率放大器通常是由電路模組實現的，體積大，一致性不高。本文介紹的是一款10w功率放大芯片，芯片采用10×10×1.1mm3的LGA封裝，相比于電路模組，大大節約了電路板面積，同時在穩定性、一致性方面具有很大優勢。