張艷飛,耿 楊
(無錫中微億芯有限公司,江蘇無錫214072)
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FPGA配置SRAM設計技術
張艷飛,耿楊
(無錫中微億芯有限公司,江蘇無錫214072)
摘要:首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介紹了配置SRAM的單元結構及在設計中的要點。設計實現了一種基于65 nm工藝的SRAM結構,并針對讀寫能力、功耗、噪聲給出相應的仿真結果。此電路結構具有低功耗、抗噪聲能力強的優點,已被應用于FPGA設計中并流片成功。
關鍵詞:現場可編程門陣列;配置SRAM;靜態噪聲容限;讀穩定性
現場可編程門陣列(FPGA,Field Programmable Gate Array)是一種半定制集成電路,在其內部集成了大量的門和觸發器等基本邏輯電路,用戶通過編程來改變其內部的邏輯關系或連線,就可以得到需要的設計電路。FPGA按照編程方式可分為SRAM型、ANTI-FLASH型、FLASH型等,SRAM型是迄今為止應用范圍最廣的架構,具有密度高、速度快且具有可重復編程能力。配置SRAM作用是用戶編程后存儲配置的代碼,同時對于采用SRAM工藝的可編程邏輯器件而言,要求每次上電對可編程邏輯器件進行重配置[1],因此SRAM的設計是FPGA芯片能否正常實現配置及功能的關鍵。
結構上,FPGA包含了各種可編程資源,包括可編程邏輯塊(CLB)、布線資源以及可編程輸入輸出模塊(IOB)等[2]。配置SRAM在FPGA內部有廣泛的分布,它們以列的形式穿插在邏輯模塊及布線資源的中間,被寫入“0”或“1”后,可以實現對附近邏輯模塊的控制。以布線開關陣列和CLB為例,配置SRAM的分布如圖1所示。在FPGA內部配置SRAM的數量是巨大的,例如Xilinx公司Virtex4系列的XC4VLX100芯片內部配置SRAM數量可達到25 Mbit。……