接口和驅(qū)動(dòng)器

與處理器技術(shù)相比，大容量存儲(chǔ)器和接口方面的新技術(shù)進(jìn)步更大。

固態(tài)硬盤自推出以來(lái)，其容量和速度的增長(zhǎng)一直非常迅速，直到驅(qū)動(dòng)器開始受制于SATA接口極限速度（略低于600MB/s）的影響。為突破這一瓶頸，固態(tài)硬盤技術(shù)需要引入新的接口和協(xié)議。從Haswell-E開始到現(xiàn)在大眾市場(chǎng)的Skylake架構(gòu)平臺(tái)，現(xiàn)在可以通過(guò)這兩個(gè)平臺(tái)4個(gè)速度高達(dá)4GB/s的PCI-E 3.0通道連接新的M.2固態(tài)硬盤和PCI-E插卡式的固態(tài)硬盤，徹底解決固態(tài)硬盤接口瓶頸的問(wèn)題，讓固態(tài)硬盤的速度完全取決于數(shù)據(jù)載體的存儲(chǔ)技術(shù)。目前，要使用M.2（PCI-E 3.0）接口的固態(tài)硬盤，可以選擇配備英特爾Z170和H170芯片組的主板。

如果我們正處于選購(gòu)階段，那么必須留意這個(gè)新的技術(shù)，因?yàn)樗瑫r(shí)也是未來(lái)使用NVMe固態(tài)硬盤的先決條件。NVMe是一個(gè)針對(duì)閃存和多核處理器進(jìn)行優(yōu)化的傳輸協(xié)議，因而，它可以提供更好的性能，雖然部分的性能提升未必能夠在私人電腦上被利用。目前，Windows 8.1和Windows 10已經(jīng)提供NVMe驅(qū)動(dòng)程序，在NVMe協(xié)議下，多個(gè)固態(tài)硬盤可以組合成一個(gè)存儲(chǔ)池，像一個(gè)驅(qū)動(dòng)器一樣地使用。

除了內(nèi)部接口之外，使用外部接口的設(shè)備也同樣不能錯(cuò)過(guò)新的接口：USB 3.1和C型USB插座。前者是USB標(biāo)準(zhǔn)的最新版本，可以使用后向兼容的插座，以GB級(jí)的速度（1.25GB/s）傳輸數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)傳送操作比USB 3.0快兩倍。而C型USB插座是一種新的連接器，使用這種插座不需要識(shí)別插頭的正反面，只需要插入即可正常使用。此外，一個(gè)C型USB插座可以提供更高的功率（100W），可以非常迅速地為移動(dòng)設(shè)備充電。

采用新技術(shù)的驅(qū)動(dòng)器

每一個(gè)新的電腦都必須配備一個(gè)最小250GB的固態(tài)硬盤作為系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器，而使用3D-NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤是目前最佳的選擇，這種固態(tài)硬盤可靠而且價(jià)格低廉：使用3D-NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤存儲(chǔ)單元采用堆疊式的結(jié)構(gòu)，而不像普通固態(tài)硬盤一樣存儲(chǔ)單元并排平躺著。在絕緣層較厚的情況下，不僅能夠更快速地執(zhí)行讀取和寫入操作，而且使用壽命也更長(zhǎng)。目前，三星的850 Evo和850 Pro都屬于這種類型的固態(tài)硬盤，最新的950 Pro也是，并且它結(jié)合了3D-NAND、NVMe、M.2等多種技術(shù)。

對(duì)于機(jī)械硬盤來(lái)說(shuō)，容量是非常重要的，而傳統(tǒng)的技術(shù)已經(jīng)很難進(jìn)一步提升容量，為此，制造商希望通過(guò)兩種方式來(lái)突破物理限制：第一種是疊瓦式磁記錄技術(shù)，通過(guò)縮小磁道并將磁記錄如同瓦片一樣重疊的方式提升容量，希捷采用這一技術(shù)的硬盤容量可達(dá)8TB，但重寫磁道的速度相對(duì)緩慢。其次是填充氦硬盤，氦氣的低流阻能夠支持更精細(xì)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，硬盤不僅可以更大，還可以更快，但是充氦硬盤的外殼成本極高。