一種高溫壓力傳感器及其加工方法

申請號: 201510023320.3

【公開號】CN104535253A

【公開日】2015.04.22

【分類號】G01L9/06

【申請日】2015.01.19

【申請人】北京大學

【發明人】劉冠東;崔萬鵬;高成臣;郝一龍

【摘 要】公開了一種高溫壓力傳感器及其加工方法，包括硅由敏感膜片、底座、TO管殼。其中敏感膜片采用SOI單晶硅圓片作為基片，在器件層加工電阻及引線互連組成惠斯登電橋，在襯底層進行各向異性腐蝕形成對壓力敏感的膜片結構；底座以玻璃片或單晶硅圓片為基片，與敏感膜片進行陽極鍵合或硅硅直接鍵合或硅硅介質鍵合；以TO型金屬管殼為外殼實現芯片級封裝。本發明用SOI圓片的埋氧層和淀積的二氧化硅/氮化硅鈍化層將硅電阻包裹隔離，消除了高溫時的漏電流；濺射生長二硅化鈦/鈦/氮化鈦/鉑/金多層耐高溫歐姆接觸電極結構；采用耐高溫鍵合及TO封裝工藝，提高傳感器高溫工作穩定性。解決傳統硅基傳感器難以在高溫環境中長期工作的問題。