TI：600 V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能——TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅(qū)動器解決方案可實現(xiàn)2倍的功率密度，同時將功率損耗減半

TI：600 V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
——TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅(qū)動器解決方案可實現(xiàn)2倍的功率密度，同時將功率損耗減半

基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600 V氮化鎵（GaN）70 mU場效應(yīng)晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。

“通過3百萬小時以上的可靠測試，LMG3410使電源設(shè)計人員對GaN的無限潛能充滿信心，并且這也使他們用之前認為根本不可行的方法重新思考電源架構(gòu)和系統(tǒng)，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說，“隨著TI在生產(chǎn)制造能力和大量系統(tǒng)設(shè)計專業(yè)知識方面的聲譽不斷擴大，全新的功率級成為TI邁向GaN市場的重要一步。”

借助集成驅(qū)動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中更是如此；在這些應(yīng)用中，它能夠極大地降低開關(guān)損耗，最多能降低80%。與獨立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了針對溫度、電流和欠壓閉鎖（UVLO）故障保護的內(nèi)置智能化等功能。

LMG3410是第一款包含了由TI生產(chǎn)的GaN FET的半導體集成電路（IC）。基于在制造和工藝領(lǐng)域多年形成的專業(yè)技術(shù)，TI在其硅技術(shù)兼容的工廠內(nèi)創(chuàng)造出了GaN器件，并且通過不斷的實踐，使這些器件的質(zhì)量超過了電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）標準的要求，以確保GaN在嚴酷的使用環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)健耐用性。

（TI供稿）