脈沖功率電容器的應用和發展

周水杉，章 莉

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脈沖功率電容器的應用和發展

周水杉1，章 莉2

（1. 中國電子科技集團公司第13研究所，河北 石家莊 050051；2. 成都宏明電子股份有限公司，四川 成都 610051）

介紹了國內外脈沖功率電容器的應用和研制現狀，重點介紹了高儲能密度電容器介質材料和脈沖功率電容器的性能參數，指出了今后需要解決的主要問題，總結了脈沖功率電容器的發展趨勢，提出了發展我國脈沖功率電容器的建議。

脈沖功率電容器；高儲能密度；綜述；電介質材料；脈沖參數；發展建議

新概念電磁武器和脈沖功率技術密切相關。脈沖功率技術以電能為基礎，通過對電源能量在時間和空間上進行壓縮，并在特定負載上快速釋放，獲得極高的脈沖功率輸出。脈沖功率電容器是新概念電磁武器包括電磁脈沖武器（微波高功率電磁脈沖武器、強激光武器和粒子束武器）和電磁動能武器（電磁軌道炮、航母飛機電磁彈射器EMALS、衛星變軌、火箭增程）等的脈沖功率電源的關鍵件[1-2]），也是激光激發核聚變系統的基礎件[3]。不同應用要求的脈沖寬度見表1。

表1 不同應用要求的脈沖寬度

Tab.1 The pulse widths of the different applications

美國目前每門電磁軌道炮需儲能電容器約18 t，儲能32 MJ。據CCTV于2010年12月14日新聞報道：美國海軍宣布成功試射電磁軌道炮，炮彈速度達6~7.5倍音速(2~2.5 km/s)，6~7 s射程達110海里(約200 km)。GA公司在3 MJ原形能源模塊(由12個255 kJ電容器構成)試驗基礎上，已經研制成功車載移動、陸基固定式（液體冷卻、重復點火）和艦載三種電磁軌道炮[4]。

美軍每艘航母約需70 t儲能電容器，彈射時間峰值功率達122 MW。EMALS系統包括啟動直線感應電動機組件、儲能子系統、電力電子轉換系統、彈射控制系統和配電傳輸系統。GA的核心技術是大量脈沖功率電容器的接力式放電的精確控制，構成大型脈沖形成網絡(PFN)。GA的EMALS系統已裝備福特號核動力航母，2022年將裝備肯尼迪號航母[4]。

美國NIF（國家點火設施）于2004年完成。每個電容器電容量為299 μF，工作電壓24 kV，工作溫度10~40℃，儲能密度0.84 J/cm3，儲能86.1 kJ，放電電流30 kA（極限電流95 kA），放電壽命為26 kV，100次或24 kV，2萬次，反向電壓10%（極限反向電壓65%），等效串聯電阻ESR≤25 mΩ（100 Hz）、ESR≤8 mΩ（4 kHz）。電容器串聯諧振頻率s=20 kHz，等效串聯電感ESL=183~199 nH，NIF由1 200個電容器組成，總能量103.3 MJ。

我國ICF（慣性約束核聚變）點火工程已列為國家中長期科學和技術發展規劃十六項重大專項之一。中國工程物理研究院研究成功的神光3號[3]，由108套1.2 MJ能源模塊組成，分成兩個能庫，1.2 MJ能源模塊采用34臺脈沖功率薄膜電容器（25 kV，10 kA，110 μF，30.4 kJ，0.5 J/cm3）組成，總儲能110 MJ，脈沖放電寬度610 μs，放電電流250 kA。據中國科學報2014年10月19日報道，中國工程物理研究院研究成功的Z箍縮超高功率脈沖強流加速器-聚龍一號，直徑約33 m，高度近7 m，它由儲能系統、脈沖形成與傳輸系統、電流匯聚系統、物理負載系統和輔助系統等組成，采用144臺脈沖功率電容器、720個場畸變開關、24臺激光觸發氣體開關、12臺高性能激光器，裝置輸出了9×106A峰值電流，電流脈沖上升時間小于1 ns，國內首次獲得軟X射線輻射能量達590 kJ，成為我國超高脈沖功率技術發展的又一里程碑。

新概念電磁武器用儲能電容器不是超級電容器，也不是電池，而是脈沖高功率（3~40 kV，3~150 kA），毫秒、微秒或亞微秒級快放電“脈沖功率電容器”。低電壓(3 V)超級電容器要數千只串聯才能達到3 kV以上，等效串聯電阻和串聯電感太大，難以脈沖快放電。電池也不能用于脈沖快放電。

1 脈沖功率電容器國內外發展現狀

據GA公司報道，在美國國防部和能源部合同支持下，GA公司與陸軍研究實驗室、海軍研究辦公室、美國宇航局噴氣推進實驗室、國家原子能機構和桑迪亞國家實驗室合作，過去十年脈沖功率電容器技術有了長足進步，已經研制成功電磁軌道炮、航母飛機彈射用脈沖功率有機薄膜電容器。在提高儲能密度方面：1999年達0.7 J/cm3，2004年達1 J/cm3，2008年達2 J/cm3，2010年達3 J/cm3。

毫秒級放電電容器現狀見表2。GA公司高儲能密度電容器水平（CMX型）見表3。GA公司網站最新產品目錄有3283CMX2640、3565CMX2160、4113CMX3400三個型號，儲能密度均為2 J/cm3，儲能255 kJ，質量140 kg，尺寸為343 mm×406 mm×914 mm，充放電壽命5萬次。

表2 毫秒級放電電容器發展史

Tab.2 History of millisecond discharge capacitor

表3 GA公司高儲能密度電容器水平（CMX型）

Tab.3 Performance of GA high energy density capacitor (CMX)

西安交通大學電氣工程學院楊蘭均等最早研制成功儲能密度1.3 J/ cm3脈沖功率電容器（452.8 μF，10.2 kV）。華中科技大學林福昌等最近在實驗室研制出儲能密度2.7 J/cm3，放電壽命大于1 000次以及儲能密度2.2 J/cm3，放電壽命大于2 000次的脈沖功率電容器。上海上電電容器廠2008年研制成功儲能50 kJ、儲能密度達2 J/cm3高比能脈沖電容器（7.12 kV，1 975 μF或10.68 kV，876 μF）；2015年研制成功儲能100 kJ、10 kV、儲能密度達2 J/cm3高比能脈沖電容器（充電15~90 s，保持0~10 s，放電壽命達1 000~ 5 000次）。成都宏明電子股份有限公司和銅峰電子公司也開展了脈沖功率電容器的大量研制工作。

2 高儲能密度電容器介質材料的進展

儲能密度的計算公式為：

(J/cm3) = 4.44×10–6×PF×r×2（1）

式中：r為相對介電常數；為場強V/μm；PF為儲能電容器總的體積封裝因子，主要取決于電壓和峰值電流，對毫秒級放電電容、工作電壓≤5 kV，可取70%~80%，而對微秒級放電應取小于50%；的典型值為500~800 V/μm。安全膜電容器短壽命（1 000次）設計，可采用90%的擊穿電壓。對長壽命、高可靠或高穩定的要求，則應顯著減少場強。提高儲能密度主要是提高介質場強，相應要求聚合物薄膜有更高的樹脂純度（如控制相態和分子量分布，提高純度、結晶度和等規度，電子級PP膜要求脫灰等），減少金屬化電極在每次自愈中的損害，工藝最佳化以保證薄膜層間無氣隙，充分考慮充放電過程的熱效應（降低ESR、ESL），改進結構和噴金工藝，降低端接觸電阻等。

目前主要有以下材料體系：

2.1 聚合物介電薄膜

2.1.1 基于線性的耐高壓聚合物介電薄膜

此類材料r不高，耐電強度b較高（可達500~800 V/μm），如BOPP雙向拉伸聚丙烯薄膜，其r=2.2，密度0.905 g/cm3，包括金屬化電極或安全膜電極，浸漬和干式等多種結構，可以滿足電容儲能密度3 J/cm3以下的要求。又如DUPONT公司開發的高壓聚萘脂Teonex，r=2.9，b= 400~500 V/μm，工作溫度可達155℃；GE公司開發的PEI聚醚酰亞胺r=3.4，b= 670 V/μm，電容儲能密度可達4 J/cm3。目前常用薄膜電容器介質材料主要性能見表4。

表4 常用薄膜電容器介質材料主要性能

Tab.4 Properties of dielectric materials used in thin film capacitors

目前國際最高水平的MOPP金屬化聚丙稀薄膜（耐溫105℃）供應鏈為：芬蘭BOREALIS TECH OY有限公司PP聚丙稀原料→奧地利BOREALIS AG公司 HB300BF高等規度條料→德國Treofan Germany Gmbh& Co.KG公司PHD型820 V/μm的BOPP光膜→德國Steinerfilm公司700 V/μm的MOPP金屬化薄膜，最薄的金屬化聚丙稀薄膜為1.9 μm。

2.1.2 用低損耗聚合物改性的鐵電高介聚合物

如基于PVDF的多元氟基高分子材料。美國國防部合同支持的賓州戰略高分子科學公司和賓州大學材料學院合作，章啟明等研制出高能輻照PVDF-TrFE (摩爾比75:25)共聚物和PVDF-TrFE- CFE /CuPc(摩爾比58.3:34.2:7.5)三元共聚物，r分別達16，25，39，46~53，b達400~632 V/μm，tan≤0.08，滿足電容儲能密度9~25 J/cm3，共聚物密度2.2 g/cm3[5]。

2.1.3 有機金屬聚合物

如酞氰銅系高分子材料。美國海軍實驗室支持的美國密歇根大學理查德·伯恩斯坦學院研制成功的有HBCu-Pc，r= 45.8~46.3，b=260 V/μm；HBCuPc-TPA- CN，r=11；HBCu-Pc /PMA，r=15，tan=0.002[6]。后兩個材料體系用熔融擠壓雙向拉伸成2~10 μm薄膜，在實驗室已做出電容儲能密度10 J/cm3的電容器。

2.1.4 紙膜復合

膜材為帶氰基、氟基的硅氧烷聚合物與納米鈦酸鋇陶瓷復合。1992年美國國防部導彈防御局（Missile Defense Agency）根據小企業創新研究計劃（SBIR）向美國TPL公司提供1000萬美元研究經費，用于開發高儲能密度電容器。TPL公司2001年7月24日申請美國專利US6265058，復合材料測試性能為：r=9.3，tan=0.03，b= 374 V/μm，絕緣電阻率為1014Ω·cm，電容儲能密度可達4 J/cm3，比PVDF提高近1倍。

2.1.5 氣相沉積復合薄膜

俄羅斯提出用CVD或微波等離子方法制備的金剛石薄膜r=3.5~5.8，b=1 000 V/μm，且有高導熱系數206 W/mK，低溫度系數1×10–6/K，電容儲能密度可達12 J/cm3，但成本較高，因此建議在高分子薄膜表面氣相沉積一層金剛石薄膜，形成復合薄膜，以改善脈沖功率電容器的散熱特性[7]。

2.2 介電陶瓷

2.2.1 反鐵電陶瓷

Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3系統MLCC工藝，r= 200~500，b=20~50 V/μm，電容儲能密度可達4~12.4 J/cm3，通常工作電壓≤3 kV，放電次數≤3 000次，適合脈沖點火用[8]。美國Novacap公司早已生產基于反鐵電陶瓷的脈沖點火電容器及其組件，但近年因故已將產品目錄刪除。中國專利CN 102432291B介紹了宏明電子科大新材料公司“一種反鐵電陶瓷電容材料及其制作方法”，CP41L-7860-1250V-104K型脈沖儲能電容器，密度7 g/cm3，介質損耗為0.12%，放電電流1 300 A，放電次數1 500 次以上。

2.2.2 交流高壓低損耗Ⅰ類瓷

該類介電陶瓷器件性能參數為：r=410~560，b≥40 V/μm，tan≤0.005，尺寸14.7 mm×17.3 mm×5 mm，約60層，電容量0.8 μF，工作電壓1 500 V，3只并聯，放電電流達2.3 kA，福建火炬電子公司已經投產，其電容儲能密度小于1 J/cm3[9]。

2.2.3 氮化氧鋁（AlON）

由N2和O2反應濺射形成500 nm薄膜，其r=8~9（20 Hz ~ 1 MHz），tan≈0.003，b=600 V/μm，采用鋁電極10~50 nm，7層，電容量1.2×10–9F/mm2，工作溫度范圍可達–200~+400℃，電容儲能密度可達14.1 J/cm3[10]。

2.2.4 高介陶瓷

包括晶界層半導體陶瓷：Nb2O5改性SrTiO3，清華大學專利號CN 94104452.1和CN1063732C，r=1.9×104~9.7×104，tan= 0.8%~1.9%，工作電壓50~100 V，如果實現MLCC工藝，可實現大容量、小體積；鈣鈦礦結構CCTO（CaCu3Ti4O12）巨介電陶瓷材料和LSNO (La2?xSrNiO4)，其r=104~105，tan≈0.03，特別是在很寬的溫區范圍內（100~400 K）介電常數值幾乎不變；澳洲國立大學劉云等研究了NbAl復合摻雜TiO2，即Ti0.995(NbAl)0.005O2，形成表面層半導體陶瓷（SBLC），r＞104，但高介陶瓷通常損耗較大，耐電壓≤16 V，可靠性較差，未見用于脈沖儲能電容器的報道。

2.3 超薄玻璃電介質

美國賓州大學測試了德國Schott Technologies公司生產的AF-45超薄(18 μm)無堿玻璃（63%SiO2-12%BaO-16%B2O3-9%Al2O3），其r=6.2，b=1 200 V/μm，tan=0.000 9，電容器溫度系數(CTE)為4.5×10–6/K，耐高溫（可達200℃），抗輻照（玻璃電容器抗核輻射能力可達1016Flux/cm2，比陶瓷電容器高10倍，比有機薄膜電容器高100倍，比電解電容器高500倍），電容儲能密度可達35 J/cm3[11]。美國康寧公司已可生產超薄柔性玻璃。有報道采用多層銅電極的玻璃電容器平板組成電子設備的外殼，用作系統的儲能單元。

3 脈沖功率電容器的參數

常規參數：電容量、電容器損耗tan、絕緣電阻IR、額定工作電壓R(DC/AC)、RMS(交流有效值）；

脈沖參數：總儲能= 1/22；儲能密度(J/cm3、J/g)；充放電時間（ms、μs、ns），充放電波形（正向、反向），充放電壽命（電壓步進充放電壽命；固定電壓充放電壽命）；ESR、ESL；放電峰值電流PP=d/d，放電速率d/d，d/d；發熱溫升Δ；保險因子2（熔斷電流與熔斷時間），單位J/Ω。

對脈沖功率電容器的設計和工藝應重點瞄準脈沖參數進行，特別應深入開展充放電壽命的研究[7,12-15]。GA公司對脈沖功率電容器的設計和充放電壽命進行了系統研究。如研制的毫秒級放電電容器CMX型工作在3 J/cm3，充放電壽命為1 000次，降額為2.4 J/cm3使用，則壽命延長10倍為1萬次；降額為2 J/cm3使用，則壽命再延長5倍為5萬次；如降額為1 J/cm3，則壽命又提高200倍，達1 000萬次。如將電容器放在液氮溫度下工作，充放電壽命可增至7倍。GA-ESI公司的前身MAXWELL實驗室脈沖電容器充放電壽命5要素：充電電壓下降1/2，充放電壽命增加109倍；反峰電壓下降20%，充放電壽命是80%的100倍；工作溫度上升4.5度，充放電壽命下降1/2；重復頻率提高10倍，充放電壽命下降到1/250；震蕩頻率由40 kHz下降到10 kHz，充放電壽命增加1.7倍。

4 面臨問題

比較聚合物介電薄膜、介電陶瓷和超薄玻璃電介質，由于聚合物介電薄膜有較高的耐電強度，便于大面積拉成超薄薄膜，適應自動化卷繞工藝，金屬化安全薄膜電容器可提供較高的能量密度或給定能量密度下最長的充放電壽命，安全膜允許工作于略低于介質的擊穿電壓下，因此大大提高了體積利用率，同時大幅度降低了電容器的成本；利用金屬化薄膜的自愈特性，用適度的脈沖放電可篩選出金屬化層缺陷導致的早期失效，從而使電容器可靠性大大提高。特別是從性價比、密度（0.905 g/cm3）對比，MOPP金屬化薄膜仍然是滿足電容儲能密度3 J/cm3以下要求的優選方案，也是研制新聚合物性能評估的參考基準。

問題一是新型基于PVDF的多元氟基高分子材料的學術成果能否工程化？由于只注意提高r和b，但介質損耗tan大（>0.01），絕緣電阻IR低，頻率特性較差，充放電能量損失大（>50%），難以工程化。

問題二是國內脈沖功率電容器研制和生產工藝結合不佳，未建立先進的設計平臺、工藝平臺、測試平臺和應用驗證平臺，特別是脈沖功率電容器的脈沖參數研究不深，導致國內脈沖功率電容器的水平至今落后國際水平5年以上。

問題三是國內脈沖功率電容器研制和整機應用結合不深，一方面由于國內脈沖功率電容器研制滯后，使新工程難以啟動立項；另一方面由于整機試驗滯后，整機單位難以提出科學合理的脈沖功率電容器的指標，因此不能獲得最優化的脈沖功率形成網絡（儲能單元）的整體解決方案。

5 發展趨勢和建議

2010年美國國防先期研究計劃局（DARPA)國防科學辦公室（DSO）戰略計劃項目安排了“集成式高能量密度電容器”，鑒于高功率系統中無源元件占數量和質量40%~50%，要求利用多種創新方法改進電介質材料，開發研制200℃，20 J/cm3電容器及材料，實現與電力電子器件和傳感器集成。可以看出，脈沖功率電容器將向高溫、高壓、高儲能密度、高充放電壽命和集成化方向發展。

一方面，MOPP金屬化薄膜電容器可進一步改進。美國提出用氟化二丙稀酸0.1 μm表面處理PP薄膜可使80℃，75V/μm，500 h電容量變化率Δ/從11%降低到1.5%，顯著提高充放電壽命；英國1997年提出邊卷繞、邊涂復浸漬的方法，可提高耐電壓[7]；王喜成高工采用中科院長春應用化學所等提供的純度99.6%以上的氣相沉積高分子材料，如果在BOPP表面涂覆0.1 μm薄膜，可望改善脈沖功率電容器的耐壓特性[16]。華威聚酰亞胺有限責任公司采用紫外輻照交聯，可使155℃，縱向收縮<2%，橫向收縮<0.1%，b>500 V/μm，聚丙烯電容膜最高使用溫度>130℃[17]）。余維清等[18]采用2 g/10 min的熔體流動指數（MFI)在高于所述半結晶PP聚合物熔點163℃的模頭溫度225℃下，使用115或200的拉縮比(模頭間隙與膜厚之比)制造4~12 μm的HTLS-PP膜，在165℃，30 min下收縮率為零，而常規BOPP膜在165℃，30 min下收縮70%，105℃下才能保證尺寸穩定性。中國科學院長春應用化學研究所通過在聚丙烯分子鏈上接枝反應型受阻胺類穩定劑，可以提高抗輻照老化特性[19]。使用超薄的金屬化聚丙烯薄膜，可以在相同體積下增加并聯電容器芯子數量，從而顯著降低ESR和ESL，改善脈沖功率電容器的性能。

第(Ⅰ)問需要考生對三角形的內角∠B進行分類討論，利用正弦定理、同角三角函數基本關系、結合三個內角的關系得到結論．第(Ⅱ)問討論三角形的邊與邊的關系，題目給出了兩邊及其一邊的對角，一般情況下這樣的條件不能確定一個三角形，但是此處蘊含的邊角關系恰好可以唯一確定滿足條件的三角形，這需要學生熟練運用正弦定理、三角形的邊、角關系解三角形，較好地理解三角形的性質，具有解三角形時根據條件判斷所得解是否符合題意的意識．若考生能夠通過邊的關系推知△ABC為直角三角形，也可通過解直角三角形的方法從而完成該題的解答．這也正是考查考生數學思維、數學能力和素養的反映．

另外，可從新電介質材料研制著手，進行顛覆性創新。包括介電薄膜極化機理、分子結構設計和工程化可能性等的創新。選擇科學的階段性目標，例如r=5~9而不是大于10，盡量提高b和IR，降低tan，以便取得工程化的成果。西安交通大學張志成教授等[20]研制高儲能密度聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物已取得進展。電子科技大學劉孝波教授等[21]研制聚芳醚腈和超支化酞菁銅復合薄膜，也已取得進展。電子科技大學徐建華教授課題組[22]在氟基聚合物和多省并醌自由基聚合物（PAQR）等新型電介質材料以及電子離域極化機理研究等方面也取得了一定進展。

三是開發脈沖功率電容器在工業、醫療、能源等領域的新應用。如目前世界油氣資源采收率為30%左右。采用重復脈沖強沖擊波新技術，通過爆震去堵，可提高油氣資源采收率。西安貫通能源科技公司大功率高聚能電脈沖裝置，已經修井1 000多口，能夠恢復或增加產量，有效率達70%。美國鉆井采用中國研制的同軸型電容器60 mm×2 000 mm，12 kV，14 μF，10 kA，10 s充一次，放一次，360次/h，放電壽命要求4萬次，試驗已超過10萬次[23]。又如AVX公司網站介紹DISFIM型電容器，用于能源儲存與放電應用，基于可控的自愈技術，最大儲能150 kJ，儲能密度2 J/cm3，ESL=50~500 nH，充放電壽命為數千萬次。

建議學習美國以專業電容器公司為龍頭，產、學、研、用相結合，整合國內優勢資源，組成國家隊，抓好全產業鏈（聚合物研制、薄膜制備、金屬化、電容器研制、儲能單元研制、應用研究）的系統創新工程，加快我國脈沖功率電容器和脈沖功率形成網絡的發展，滿足工程配套。

[1] 王瑩. 脈沖功率科學與技術[M]. 北京: 北京航空航天大學出版社, 2010.

[2] 張明元, 馬偉明, 汪光森, 等. 飛機電磁彈射系統發展綜述 [J]. 艦船科學技術, 2013, 35(10): 1-5.

[3] 齊珍, 陳德懷, 賴貴友, 等. 神光-Ⅲ主機裝置MJ級能源系統研制現狀[J]. 強激光與粒子束, 2014, 26(5): 4-9.

[4] MACDOUGALL F, ENNIS J, YANG X H, et al. High energy density capacitors for pulsed power applications [C]// Pulsed Power Conference, 2009. PPC '09. New York: IEEE, 2009: 774-778.

[5] ZHANG S, CHU B, XIN X, et al. High energy density polymer dielectrics for capacitor applications [J]. Carts, 2007(1): 141-150.

[6] THEODORE GOODSON. Novel Development of Energy Storage Device: High Energy Density Capacitors [R]. Ann Arbor: University of Michigan, 2009.

[7] 徐智安. 高儲能密度脈沖電容器的理論模型與實驗研究[D]. 武漢: 華中科技大學, 2002.

[8] CHAUHAN A, PATEL S, VAISH R, et al. Anti-ferroelectric ceramics for high energy density capacitors [J]. Materials, 2015, 8(12): 8009-8031.

[9] 王喜成. 一種薄膜電容器及其制作方法: 中國, CN1321993A [P]. 2000-08-12.

[10] BRAY K R, WU R L C, FRIES-CARR S, et al. Aluminum oxynitride dielectrics for multilayer capacitors with higher energy density and wide temperature properties[J]. Thin Solid Films, 2009, 518(1): 366-371.

[11] SMITH N J, RANGARAJAN B, LANAGAN M T, et al. Alkali -free glass as high energy density dielectric material [J]. Mater Lett, 2009, 63(15): 1245-1248.

[12] 陳耀紅. 高儲能密度金屬化膜電容器應用性能及其影響因素研究[D]. 武漢: 華中科技大學, 2013.

[13] 彭波. 金屬化膜電容器自愈關鍵參數研究[D]. 武漢: 華中科技大學, 2010.

[14] 李化, 黃想, 林福昌, 等. 重復頻率脈沖下的金屬化膜電容器的壽命測試系統及方法: 中國, CN105137246A [P]. 2015-09-21.

[15] 孫權. 神光Ⅲ慣性約束聚變激光裝置可靠性研究[D]. 長沙: 國防科技大學, 2005.

[16] 吳金劍, 黃祥賢, 林志盛, 等. 一種線性高壓低損耗電容器陶瓷材料及其制備方法: 中國, CN104609852A [P]. 2015-01-06.

[17] 黃渝鴻. 一種耐高溫雙向拉伸聚丙烯電容膜及其制造方法: 中國, CN103448254A [P]. 2013-08-30.

[18] 余維清, 余杰圣. 包括熔體拉伸膜作為電介質的膜電容器: 中國, CN102723196A [P]. 2011-07-12.

[19] 李敏, 殷敬華, 欒世方. 一種抗輻照老化聚丙烯的制備方法: 中國, CN101602872A [P]. 2009-07-06.

[20] 張志成, 李俊杰. 高儲能密度聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物的制備方法: 中國, CN 103387642B [P]. 2013-07-12.

[21] 鐘家春, 余興江, 劉孝波, 等. 聚芳醚腈/超支化酞菁銅復合薄膜: 中國, CN 101717569A [P]. 2009-11-27.

[22] 徐建華, 蔣亞東. 一種制造有機復合介電薄膜的方法: 中國, CN103289113A [P]. 2013-06-14.

[23] 王海. 高壓脈沖放電電容器及其制作方法: 中國, CN104008882A [P]. 2013-02-22.

（編輯：陳豐）

Aplication and development of pulse power capacitors

ZHOU Shuishan1, ZHANG Li2

(1. CETC No.13th Research Institute, Shijiazhuang 050051, China; 2. Hongming Electronics Co., Ltd, Chengdu 610051, China)

The application and development status of pulse power capacitors at home and abroad are introduced. Dielectric material of the high energy density capacitor and the performance parameters of the pulse power capacitors are mainly discussed. The main problems needed to be solved are pointed out, and the development trends of the pulse power capacitors are summarized. Suggestions on the development of pulse power capacitors in China are also gived.

pulse power capacitors; high energy density; review; dielectric materials; pulse parameters; development suggestions

10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.11.020

TM531.2

A

1001-2028（2016）11-0098-05

2016-09-30

周水杉

周水杉（1961－），男，河北邯鄲人，高級工程師，主要研究方向為微波元器件、電子陶瓷及高端傳感器, E-mail:lxqing9725@sina.com；

章莉（1970－），女，江蘇無錫人，高級經濟師，主要研究方向為新型電子元件與組件，E-mail:maryli11@sina.com。

2016-10-28 14:14:29

http://www.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20161028.1414.020.html