“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”獲國家專利優(yōu)秀獎

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“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”獲國家專利優(yōu)秀獎

中國科學院上海硅酸鹽研究所的研究人員發(fā)明的“一種高純二氧化碲單晶及制備方法”（專利號：200910048849.5），獲得了第十七屆中國專利優(yōu)秀獎。

該項專利利用晶體生長過程中生長基元從無序變?yōu)橛行蜻M而提高純度的原理，首創(chuàng)了兩次生長制備方法，獲得了鈾、釷等雜質(zhì)含量達到10-14g/g的高純二氧化碲單晶，推動了中微子探測項目的發(fā)展。采用該項專利技術(shù)制備的二氧化碲單晶優(yōu)越的聲光性能和寬波段透過性能滿足了我國探月工程的紅外成像要求，在國際上首次成功應(yīng)用于月球探測。

該項專利還通過國際PCT（專利合作協(xié)定）申請途徑，先后申請了美國、歐洲專利，并獲得了專利授權(quán)（歐洲專利號：EP2415912，美國專利號：US8480996）。

(科 苑)