一種TFT源漏極溝道尺寸的自動測量方法

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TFT技術是20世紀90年代發展起來的，采用新材料和新工藝的大規模半導體全集成電路制造技術，是液晶(LC)、無機和有機薄膜電致發光(EL和OEL)平板顯示器的基礎。目前TFT器件發展情況下，TFT已經成為電子平板顯示行業的核心部件。根據器件的特點與存在問題，很多學者都在努力嘗試尋求新材料、新工藝、優化合理的制備工藝參數，從而制備性能更優異的TFT器件。而在TFT的改進過程中，主要研究的是濕法刻蝕工藝中刻蝕液對薄膜晶體管源漏極形狀的影響，在多次實驗后，從中找到理想的刻蝕液配比。在制備完成后，通過測量TFT源漏極的尺寸，與以前工藝效果做對比，從而得到改進FTF制備工藝的配比方法。而TFT源漏極尺寸的測量因為處在毫米水平，尋找一個合適的測量方法就顯的極其重要。本文對TFT的自動測量方法進行了研究，并設計了一個基于機器視覺的FTF源漏極高精度自動測量方法。