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高頻返回散射探測中一種特殊現(xiàn)象成因及特性分析

2015-07-30 06:49:52李吉寧楊東升
電波科學(xué)學(xué)報 2015年4期
關(guān)鍵詞:模型

李吉寧 李 雪 楊東升

(中國電波傳播研究所,山東 青島266107)

引 言

高頻(High Frequency,HF)返回散射利用電離層反射和地海面散射實現(xiàn)遠(yuǎn)距離電離層探測和超視距目標(biāo)探測[1].其探測方式包括掃頻探測和定頻探測兩種:掃頻探測通過發(fā)射掃頻(3~30MHz)探測信號,獲得頻率-時延-能量三維圖形,是遠(yuǎn)距離電離層探測的重要手段之一;定頻探測是在固定頻率上長時間相干積累探測獲得多普勒-時延-能量信息,用于遠(yuǎn)距離目標(biāo)探測(即天波超視距雷達(dá))及電離層信道特性研究.

高頻返回散射定頻探測多普勒譜主要由無線電噪聲和地海雜波組成,如圖1左圖所示,與常規(guī)多普勒譜圖不同,在日常探測中,會出現(xiàn)一種具有“彎鉤”形狀的地海回波,如圖1右圖所示.

圖1 實測正常譜圖與具有“彎鉤”的譜圖

這種“彎鉤”現(xiàn)象,距離延伸可達(dá)100~400km,多普勒頻移也達(dá)2~3Hz,在天波超視距雷達(dá)探測中極易將其判斷為艦船目標(biāo)信號,造成虛警,該現(xiàn)象已成為影響天波超視距雷達(dá)低速目標(biāo)檢測的重要因素之一.

目前已有多篇文獻(xiàn)對電離層探測中的異常現(xiàn)象進(jìn)行分析,如文獻(xiàn)[2]針對電離層垂直探測中一種“微笑”型回波進(jìn)行分析,文獻(xiàn)[3]利用電離層射線追蹤對電離層擾動現(xiàn)象進(jìn)行分析.文獻(xiàn)[4]對返回散射掃頻探測中Es層情況進(jìn)行了研究,但本文提及的高頻返回散射定頻探測“彎鉤”現(xiàn)象未見相關(guān)分析.

本文針對上述“彎鉤”現(xiàn)象,在建立時變電離層模型基礎(chǔ)上,利用電離層射線追蹤技術(shù),獲得各射線的多普勒信息,實現(xiàn)返回散射定頻探測仿真,進(jìn)而對“彎鉤”現(xiàn)象進(jìn)行分析.

1 電離層射線追蹤技術(shù)

1.1 電離層模型

電離層是地球高層大氣電離的部分,其中包含大量自由電子,顯著影響無線電波的傳播.目前已建立了多個電離層電子濃度分布模型,常用模型包括線性層、指數(shù)層、拋物層、準(zhǔn)拋物層等,還包括一些經(jīng)驗?zāi)P?,如卡普曼層、Bent模型、國際參考電離層、中國參考電離層等[1].

準(zhǔn)拋物模型電子密度分布與實際分布相當(dāng)接近,其數(shù)學(xué)表達(dá)式比較簡單,方便求得解析解,本文電離層模型采用該模型,其表達(dá)式為[5]

式中:r為相對于地球球心的徑向距離;Nm為最大電子密度,與電離層臨界頻率(以下簡稱臨頻)fo關(guān)系為Nm=f2o/80.6;rb為電離層底高;ym為層的半厚;rm為最大電子密度Nm的高度(簡稱峰高),rm=rb+ym.

1.2 電離層射線追蹤

射線追蹤是研究高頻電波在電離層中傳播的重要手段之一,主要包括解析射線追蹤和數(shù)字射線追蹤.解析射線追蹤能夠提供射線傳播路徑參數(shù)的解析表達(dá)式,可精確獲取電離層參數(shù)細(xì)微變化對射線路徑的影響,本文采用解析射線追蹤.

解析射線追蹤通常忽略地磁場和碰撞影響,并且假設(shè)電離層球形對稱分布,基于準(zhǔn)拋物電離層模型獲得的射線傳播地面距離D、群路徑P′、相位路徑Pr解析表達(dá)式為[6]:

式中:A =1-(fo/f)2+(forb/fym)2,f為工作頻率,fo為臨 界頻率;B =-2rm(fcrb/fym)2;C =(fcrbrm/fym)2-rr0cos2β0;X =Ar2+Br+C;Xb=-cos2β0;βb=cos-1((r0/rb)cosβb),β為射線與水平面夾角,β0為r=r0處的夾角,r0為地球半徑.

電離層射線追蹤詳細(xì)實現(xiàn)方式可參考文獻(xiàn)[6-8].

假設(shè)電離層為單層,設(shè)置參數(shù)為:rb=180km,rm=240km,fo=9MHz,f=15MHz,利用電離層射線追蹤程序?qū)Ω哳l電波射線路徑進(jìn)行計算,結(jié)果如圖3所示,圖中兩條橫線表示電離層底高和峰高.

圖2 電離層射線追蹤路徑圖

從圖2可以看出:在低仰角情況下,射線傳播到遠(yuǎn)區(qū),每條射線具有不同的群路徑;當(dāng)仰角增大時,出現(xiàn)了高仰角傳播模式,形成了多條射線具有相同群距離,從而產(chǎn)生聚焦效應(yīng)(由于多條路徑回波落在同一群距離內(nèi),能量顯著增強(qiáng));當(dāng)仰角進(jìn)一步增大時,射線將穿透電離層,無回波.

由于高低角傳播模式的存在,同一群距離可能包含不同仰角的射線,每條射線具有不同相路徑,從而使同一群距離上出現(xiàn)不同多普勒頻率(即“彎鉤”現(xiàn)象)成為可能.

2 返回散射定頻多普勒譜仿真

2.1 時變電離層

準(zhǔn)拋物電離層模型提供了電離層電子濃度靜態(tài)模型,為仿真獲得電離層變化多普勒信息,需要建立電離層電子濃度時變模型.

從電子濃度表達(dá)式(1)看出,影響電離層電子濃度的參量包括電離層底高rb、峰高rm和臨頻fo,因此時變電離層模型可通過建立上述三個參量的時變函數(shù)實現(xiàn),本文建立線性時變關(guān)系如下:

式中:rb0、rm0、fo0分別為電離層底高、峰高和臨界頻率初始值;vb、vm、vf分別為電離層底高、峰高和臨頻變化速度.

2.2 高頻返回散射定頻多普勒譜

電離層引起的多普勒頻移fd可以通過時變電離層引起的相路徑變化計算獲得,即

高頻返回散射回波除受電離層運動產(chǎn)生多普勒頻移外,還受到海面散射運動特性影響,對于回波較強(qiáng)的一階海雜波,其多普勒頻移由下式給出[9]:

式中,f為返回散射探測工作頻率,單位為MHz.

假設(shè)電離層電子濃度存在變化,依據(jù)公式(8)計算電離層射線多普勒頻移,同時疊加一階海雜波多普勒頻移,結(jié)果如圖3所示.從圖3可以看出明顯的“彎鉤”現(xiàn)象.通過對不同多普勒點的射線進(jìn)行分析,結(jié)果表明,“彎鉤”現(xiàn)象主要由電離層高低角傳播以及電離層電子濃度變化引起,低仰角射線多普勒頻率較小,高仰角射線多普勒頻率較大,從而產(chǎn)生“彎鉤”形狀.

圖3 仿真獲得的具有“彎鉤”形狀的多普勒譜圖

3 不同電離層參數(shù)“彎鉤”特性

3.1 電離層不同參數(shù)變化影響分析

前文分別建立了電離層底高rb、峰高rm和臨頻fo三個參量的時變函數(shù),為分析不同參量變化形成“彎鉤”的不同,設(shè)置其中一個參數(shù)值隨時間變化,其他兩個參量不變,結(jié)果如圖4所示(為顯示方便,僅以負(fù)一階海雜波為例進(jìn)行分析,下同).從圖4可以看出:三個參數(shù)變化均會產(chǎn)生“彎鉤”現(xiàn)象,但三者形成的“彎鉤”多普勒頻移具有明顯不同:底高變化速度vb為正值時,即底高向上運動時,“彎鉤”方向朝向負(fù)多普勒方向,但非“彎鉤”部分則朝向正多普勒方向偏移;峰高變化速度vm為負(fù)值時,即峰高向下運動時,“彎鉤”方向朝向負(fù)多普勒方向,非“彎鉤”部分也朝向負(fù)多普勒方向偏移;當(dāng)臨頻變化速度vf為正時,即最大電子濃度增加時,“彎鉤”方向朝向負(fù)多普勒方向,但非“彎鉤”部分無多普勒偏移.

3.2 電離層參數(shù)變化速度影響

為分析電離層參數(shù)變化速度對“彎鉤”影響,對不同峰高速度vm進(jìn)行分析(其他參數(shù)不變),圖5分別給出了不同峰高變化速度下返回散射定頻譜圖仿真圖.從圖5可以看出:電離層峰高正速度時,“彎鉤”朝正多普勒方向偏移;負(fù)速度時,“彎鉤”朝負(fù)多普勒方向偏移;電離層峰高速度越大,“彎鉤”部分及非“彎鉤”部分多普勒頻率偏移越大,但“彎鉤”距離延伸基本差異不大.

通過對電離層底高變化速度vb和臨頻變化速度vf的分析表明,其變化特性基本與峰高變化相同.

圖4 三個參量變化形成的“彎鉤”多普勒譜圖

圖5 不同電離層速度返回散射多普勒譜圖

3.3 電離層參數(shù)初始值影響分析

電離層底高、峰高和臨界頻率是描述電離層狀態(tài)的重要參數(shù),分別更改時變函數(shù)中三個參量的初始值rb0、rm0,fo0,其他參量不變,對返回散射定頻譜圖進(jìn)行仿真,圖6~8給出了峰高變化速度為-1 m/s,底高和臨界頻率變化速度為零,不同電離層參數(shù)初始值變化的仿真結(jié)果.

從仿真結(jié)果可以看出,電離層參數(shù)初始值變化對“彎鉤”現(xiàn)象影響明顯:

圖6 電離層不同底高多普勒譜圖

圖7 電離層不同峰高多普勒譜圖

圖8 電離層不同臨界頻率多普勒譜圖

1)電離層參數(shù)初始值變化主要影響“彎鉤”出現(xiàn)的距離位置;

2)電離層底高和峰高初始值變化對“彎鉤”多普勒偏移影響不大,而電離層臨頻初始值對多普勒頻移具有明顯影響.

3.4 與實測“彎鉤”對比

為分析圖1實測“彎鉤”現(xiàn)象對應(yīng)的電離層電子濃度變化情況,調(diào)整電離層電子濃度模型中相關(guān)參數(shù),獲得電離層定頻多普勒仿真圖,并與實測“彎鉤”現(xiàn)象進(jìn)行比較,使兩者較為吻合,結(jié)果如圖9所示,獲得的電離層電子濃度參數(shù)為:rb0=160km,rm0=240km,fo0=7MHz,vb=1m/s,vm=-1m/s,vf=0.01Hz/s.

仿真結(jié)果表明,實測獲得的“彎鉤”現(xiàn)象不是電離層電子濃度表達(dá)式中某單一參數(shù)變化造成,而是多個參數(shù)綜合變化結(jié)果,表現(xiàn)為電子濃度的復(fù)雜變化.

上述對比方法為電離層電子濃度變化反演提供了一種參考思路.

圖9 仿真多普勒譜線(白色線)與實測圖對比

4 結(jié) 論

本文在建立時變電離層模型基礎(chǔ)上,利用射線追蹤技術(shù),對高頻返回散射定頻探測回波譜中一種具有“彎鉤”形狀的地?;夭ㄟM(jìn)行仿真,在此基礎(chǔ)上對該現(xiàn)象的成因及變化特性進(jìn)行了分析.結(jié)果表明該現(xiàn)象主要由電離層高低角傳播及電離層電子濃度變化引起,電離層參數(shù)變化對“彎鉤”存在顯著影響.

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