濺射時(shí)間對Ni/SiO2玻璃光衰減片衰減性能的影響
2015-06-23 18:10:51李磊湯卉王文雪
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年1期
李磊 湯卉 王文雪
摘要：為了提高光衰減片整體的光衰減效果，采用真空磁控濺射法，利用真空磁控濺射儀制備納米級厚度的Ni/SiO2玻璃光衰減片.利用X-射線衍射（XRD）、原子能譜、掃描電鏡和722分光光度計(jì)等表征手段，研究濺射時(shí)間（5、10、15、20、25 min）對透光率、微觀結(jié)構(gòu)的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)濺射工作壓力為0.4Pa，濺射時(shí)間為25 min時(shí)，金屬Ni在siO，玻璃基片上形成（111）和（200）晶面取向的鍍Ni薄膜；SiO2玻璃基片上沉積的薄膜平整，顆粒分布均勻、排列緊密；試樣的透光率達(dá)到0.41，采用磁控濺射法制備金屬Ni/SiO2玻璃復(fù)合薄膜式光衰減片滿足光纖通信需求.
關(guān)鍵詞：磁控濺射；Ni/SiO2，玻璃光衰減片；濺射時(shí)間
DoI：10.15938/j.jhust.2015.01.004
中圖分類號：TN715+.1 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：1007-2683（2015）01-0016-04
