安森美半導體推出全系列雙倍數據速率（DDR）終端穩壓器

安森美半導體（ON Semiconductor），推出一系列新的高性能器件進一步加強了低壓降（LDO）線性穩壓器產品陣容，以支持雙倍數據速率（DDR）內存。NCP51200、NCP51400、NCP51510和NCP51199采用內置功率MOSFET，針對在電腦、數據網絡、工業和手持消費市場等廣泛應用中的特定應用如SDRAM DIMM內存、伺服器、路由器、智能手機、平板電腦平臺、機頂盒、智能電視、打印機和個人電腦/筆記本電腦主機板。還提供經AEC-Q100認證的版本用于汽車應用如嵌入式GPS定位系統、信息娛樂和無線網絡及藍牙通信。

這些高性能 LDO 支持 DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4 和 LPDDR4 標準，終端電壓（VTT）低至 500 毫伏（mV）。 當與DDR4和LPDDR4使用時，每一種的主動源電流和汲電流能力達2安培（A）。此外，當使用DDR4和LPDDR4時，NCP51145可支持高達1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2 A和1.5 A源汲電流，而NCP51200和NCP51510指定運行于3 A峰值電流并支持遠程感測。這些高度集成的DDR終端LDO的優勢還包括軟啟動、片上熱關斷和（對一些器件）欠壓鎖定機制。每一款器件都有高速差分放大器，對線性電壓和負載電流瞬變提供超快響應。所有這些器件還都兼容DDR1和DDR2，易于升級到更新的DDR內存。工作溫度范圍指定為-40~+125°C，可擴展至+150°C用于汽車版本。