安森美半導體和Transphorm推出600VGaN晶體管

安森美半導體（ON Semiconductor）和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關系，把基于氮化鎵（GaN）的電源方案推出市場，近日又宣布推出聯名的NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS）600VGaN共源共柵（cascade）晶體管和使用這些器件的240 W 參考設計。

NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS），導通阻抗典型值為150mΩ和290mΩ，采用優化的TO－220封裝，易于根據客戶現有的制板能力而集成。NCP1397GANGEVB（TDPS250E2D2）評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現和評估他們的電源設計中的GaN 共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數校正控制器。LLC DC－DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200＋千赫茲（kHz）運行時實現，而且能滿足EN55022的B類電磁兼容（EMC）性能。完整的文檔請從安森美半導體網站獲取。