納米氧化亞銅薄膜的制備及光電性能研究

胥桂萍，邱 黎

（江漢大學(xué) 光電化學(xué)材料與器件教育部重點實驗室，化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院，湖北 武漢 430056）

納米氧化亞銅薄膜的制備及光電性能研究

胥桂萍，邱 黎

（江漢大學(xué) 光電化學(xué)材料與器件教育部重點實驗室，化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院，湖北 武漢 430056）

采用水熱法制備n型和p型Cu2O薄膜，并采用電化學(xué)法制備p型Cu2O薄膜。通過X-射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）等方法對Cu2O薄膜進行表征，研究了p型Cu2O薄膜的光電性能。實驗結(jié)果表明：在弱酸性溶液中，用水熱法制備的Cu2O薄膜導(dǎo)電類型為n型；在堿性溶液中，Cu2O薄膜導(dǎo)電類型為p型；電化學(xué)法制備的p型Cu2O為立方型晶體。

納米氧化亞銅薄膜；水熱法；電化學(xué)法；光電性能

0 引言

納米氧化亞銅（Cu2O）是新型的可被可見光激發(fā)的p型半導(dǎo)體材料，Cu2O薄膜比Cu2O粉體在電學(xué)和光學(xué)屬性方面表現(xiàn)更好，然而到目前為止，人們對粉末狀Cu2O的研究卻比薄膜Cu2O的研究多得多。

筆者對Cu2O的研究主要集中在光電應(yīng)用方面，Cu2O材料的形貌和晶體結(jié)構(gòu)對其光電性質(zhì)影響很大，因此制備各種形貌的Cu2O材料具有重要的意義。已報道的制備方法有化學(xué)沉積法［1］、溶膠凝膠法［2］、水熱法［3］、反應(yīng)濺射法［4］、多元醇法［5］、微乳法［6］、電化學(xué)法［7-8］等，其中電化學(xué)法對納米Cu2O晶型有較強選擇性，可通過電流、電壓等條件控制其形態(tài)、尺寸。

本研究采用水熱法以乙酸銅為原料，在不同pH值下制備Cu2O薄膜。采用電化學(xué)法以硫酸銅和乳酸的混合液為電解液在堿性條件下制備Cu2O薄膜。通過掃描電子顯微鏡（SEM），X-射線衍射（XRD）等方法對所制備樣品結(jié)構(gòu)和形貌進行分析；……