LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電試驗(yàn)與分析

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LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電試驗(yàn)與分析

1 引言

隨著人類(lèi)對(duì)空間環(huán)境的不斷探索，航天器功率供給能力的需求越來(lái)越大，因此高壓大功率太陽(yáng)電池陣成為未來(lái)太陽(yáng)電池陣的重要發(fā)展方向之一。低地球軌道(LEO)大功率航天器平臺(tái)和空間太陽(yáng)能電站的發(fā)展，對(duì)高壓大功率太陽(yáng)電池陣提出了更高的要求。LEO航天器處于稠密的等離子體區(qū)域，當(dāng)高壓大功率太陽(yáng)電池陣電壓超過(guò)一定閾值時(shí)，太陽(yáng)電池陣與等離子體相互作用更易發(fā)生靜電放電(ESD)現(xiàn)象。靜電放電現(xiàn)象會(huì)引起弧光放電，從而導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣局部或整體失效[1]。1997年，勞拉空間系統(tǒng)公司的4顆通信衛(wèi)星由于靜電放電引起弧光放電，導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣輸出功率減少20%以上[2]，造成衛(wèi)星的功率裕度大幅度降低。因此，為提高LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣設(shè)計(jì)的可靠性，應(yīng)開(kāi)展靜電放電現(xiàn)象研究，明確產(chǎn)生靜電放電的原因。

一次放電(Primary Discharge)也稱(chēng)為觸發(fā)放電(Trigger Discharge)，是由于靜電積累造成的電勢(shì)差在短暫的放電通道下發(fā)生放電并導(dǎo)致電荷中和的現(xiàn)象。當(dāng)電池串之間的電勢(shì)差高于閾值電壓時(shí)，在太陽(yáng)電池的電路高電位和低電位之間的電流，在毫秒級(jí)的時(shí)間里流過(guò)高濃度的等離子體通路，形成“二次放電”或“持續(xù)放電”。在LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電研究中，一次放電和二次放電電壓閾值的確定，不但對(duì)太陽(yáng)電池陣的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，而且對(duì)航天器母線(xiàn)電壓的選取具有參考價(jià)值。目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)于上述電壓閾值的研究，主要是通過(guò)搭載試驗(yàn)和地面模擬試驗(yàn)進(jìn)行的。文獻(xiàn)[1]中介紹了NASA在航天飛機(jī)STS-62飛行任務(wù)中進(jìn)行的搭載試驗(yàn)，研究了暴露在空間等離子體環(huán)境中的太陽(yáng)電池邊緣面積變化對(duì)靜電放電和電流收集的影響。文獻(xiàn)[3]中研究了LEO等離子體環(huán)境引起的高壓大功率太陽(yáng)電池陣電弧放電現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)空間等離子環(huán)境造成的偏置電壓與高壓大功率太陽(yáng)電池陣的放電率存在密切關(guān)系。上述文獻(xiàn)主要集中在高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電現(xiàn)象與空間環(huán)境關(guān)系的研究，并未涉及一次放電和二次放電的電壓閾值。文獻(xiàn)[4-8]中通過(guò)地面模擬試驗(yàn)研究了靜電放電現(xiàn)象，獲得了高軌航天器太陽(yáng)電池陣發(fā)生一次放電和二次放電的電壓閾值。由于高軌航天器所處等離子體環(huán)境與LEO航天器不同，因此其放電電壓閾值不能作為L(zhǎng)EO航天器的參考。本文對(duì)LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電電壓閾值進(jìn)行研究，獲得了LEO等離子體環(huán)境下高壓大功率太陽(yáng)電池陣閾值電壓對(duì)靜電放電的影響，可作為母線(xiàn)電壓的選取依據(jù)，也可作為高壓大功率太陽(yáng)電池陣防護(hù)設(shè)計(jì)的參考依據(jù)。

2 靜電放電試驗(yàn)

2.1 靜電放電試驗(yàn)裝置

靜電放電試驗(yàn)裝置如圖1所示。太陽(yáng)電池陣試件懸掛于真空罐內(nèi)，真空罐旁安放有等離子體源；太陽(yáng)電池陣試件附近裝有等離子體探針，用于探測(cè)真空罐內(nèi)的等離子體濃度，模擬LEO等離子體環(huán)境。試驗(yàn)采用微波電子回旋共振(ECR)型等離子體源，等離子體濃度為5×1011～5×1012m-3，電子溫度為1.5 eV。利用Nikon Eclipse Lv150相機(jī)對(duì)放電現(xiàn)象進(jìn)行事后拍攝，以確定放電位置、放電情況和發(fā)生放電時(shí)太陽(yáng)電池串的間隙。

圖1 靜電放電試驗(yàn)裝置Fig.1 Electrostatic discharge test device

圖2和圖3為一次放電和二次放電試驗(yàn)電路，可模擬太陽(yáng)電池陣放電電弧的產(chǎn)生。其中：CP1～CP4為電流測(cè)量探頭(霍爾電流傳感器)，用于測(cè)量試件放電脈沖信號(hào)，CP4監(jiān)測(cè)靜電放電，CP1～CP3監(jiān)測(cè)太陽(yáng)電池串回路中的電流情況，以判斷是否發(fā)生放電現(xiàn)象；電阻R1為模擬基板高阻接地的保護(hù)電阻；電源Vb模擬航天器帶電，Rb為Vb的限流電阻，起保護(hù)作用。圖2中，Cb為模擬航天器本體與周?chē)入x子體環(huán)境的電容。圖3中，直流電流源I1和電壓源V2用于模擬太陽(yáng)電池陣產(chǎn)生的電能；電容Cext、電阻Rext和電感Lext的作用是模擬靜電放電波形；C1，C2，C3為太陽(yáng)電池陣補(bǔ)償電容，C1為串間補(bǔ)償電容，C2和C3分別為夾層補(bǔ)償電容；可變負(fù)載RL模擬航天器負(fù)載；二極管D1，D2，D3用于防止放電電弧對(duì)器件的損壞。在圖3中，未發(fā)生放電電弧時(shí)，電流流經(jīng)I1、上電池串、可變負(fù)載RL和下電池串，再回到I1，此時(shí)由于V2低于RL端電壓，電流不流過(guò)V2；當(dāng)產(chǎn)生放電電弧時(shí)，放電電弧造成上下電池串短路，此時(shí)串間電壓將低于V2兩端電壓，所有電流將由I1流向起始燃弧位置。

圖2 一次放電試驗(yàn)電路Fig.2 Primary discharge test circuit

圖3 二次放電試驗(yàn)電路Fig.3 Secondary discharge test circuit

2.2 靜電放電試件

靜電放電試件由一次放電試件和二次放電試件組成。針對(duì)可能出現(xiàn)的一次放電現(xiàn)象，設(shè)計(jì)了1組6串3并的一次放電試件。由于二次放電現(xiàn)象通常發(fā)生在串間，因此設(shè)計(jì)了6組9串2并的二次放電試件，確保二次放電試驗(yàn)可以充分模擬在軌的放電模式。靜電放電試件的防護(hù)措施采用加寬太陽(yáng)電池串并聯(lián)間隙的方式。

1)一次放電試件

試件尺寸為184.0 mm×247.0 mm，布貼有6串3并的無(wú)防護(hù)三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池組件，電池布局如圖4所示。電池組件使用尺寸為40.0 mm×30.3 mm的疊層三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池。

圖4 一次放電試件布局及實(shí)物圖Fig.4 Layout and sample of primary discharge specimen

2)二次放電試件

6組試件如表1所示。試件尺寸均為142.0 mm×340.0 mm。每組布貼有9串2并的三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池組件，電池布局如圖5所示。電池組件使用尺寸為40.0 mm×30.3 mm的疊層三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池。

表1 二次放電試件

圖5 二次放電試件布局及實(shí)物圖Fig.5 Layout and sample of secondary discharge specimen

3 靜電放電試驗(yàn)結(jié)果及分析

3.1 一次放電試驗(yàn)結(jié)果及分析

在一次放電試驗(yàn)中，采用負(fù)偏壓加等離子體環(huán)境的方法模擬反向電位梯度，引起一次放電，通過(guò)逐步提高一次放電試件接地偏壓來(lái)確認(rèn)試件產(chǎn)生一次放電的電壓閾值。試驗(yàn)中，重點(diǎn)對(duì)電池片間、串間的一次放電現(xiàn)象進(jìn)行觀測(cè)。如果在試件的太陽(yáng)電池電路(圖2的CP4)上監(jiān)測(cè)到峰值不低于0.5 A、持續(xù)時(shí)間不少于5 μs的電流脈沖，則認(rèn)為試件上發(fā)生一次放電現(xiàn)象。

一次放電試驗(yàn)選用-60 V作為起始電壓，等待1.5 h，如果發(fā)生一次放電，則試驗(yàn)結(jié)束；如果未發(fā)生一次放電，則將接地偏壓減小5 V，繼續(xù)等待1.5 h。按照以上步驟進(jìn)行試驗(yàn)，當(dāng)接地偏壓達(dá)到-95 V時(shí)，發(fā)生一次放電現(xiàn)象，一次放電試驗(yàn)波形如圖6所示。通道Ch1～Ch4獲得圖2中電流探頭CP1～CP4的數(shù)據(jù)，分別對(duì)應(yīng)曲線(xiàn)①～④，表示靜電放電發(fā)生時(shí)各部位的電流特性。曲線(xiàn)①說(shuō)明靜電放電發(fā)生在N極附近的電池片上。曲線(xiàn)④用于表征靜電放電發(fā)生時(shí)釋放的補(bǔ)償電容(圖3中的C1)中的電量。曲線(xiàn)①與④的放電電流值基本一致，說(shuō)明靜電放電的電量主要是由電池片導(dǎo)電部位釋放的電荷形成的，根據(jù)電流方向可知，放電過(guò)程是向空間發(fā)射電子。曲線(xiàn)②和③用于表征電池串間的放電，可以看出，串間沒(méi)有發(fā)生靜電放電。

圖6 一次放電試驗(yàn)波形Fig.6 Waveform of primary discharge test

使用Nikon Eclipse Lv150相機(jī)對(duì)一次放電試件拍照。多次試驗(yàn)結(jié)果表明，一次放電多發(fā)生在三交結(jié)區(qū)，一次放電過(guò)程可歸納如下。

(1)光照后，空間環(huán)境的等離子體對(duì)玻璃蓋片進(jìn)行正電流充電，使玻璃蓋片的電勢(shì)升高；空間環(huán)境的等離子體對(duì)互連片進(jìn)行負(fù)電流充電，使互連片的電勢(shì)降低。

(2)玻璃蓋片和互連片之間存在電勢(shì)差，導(dǎo)致交結(jié)區(qū)附近形成電場(chǎng)。

(3)在電場(chǎng)的作用下，互連片表面多次釋放出電子，電子轟擊玻璃蓋片側(cè)面。

(4)隨著電場(chǎng)放電電流的劇增，在玻璃蓋片側(cè)面的轟擊電子數(shù)量也增加。與此同時(shí)，玻璃蓋片側(cè)面吸附的氣體脫離，形成薄薄的氣體層。氣體層電離放電，互連片附近的放電電流的正電荷流向互連片。玻璃蓋片周?chē)罘e的電荷將放電等離子體的電子中和。

通過(guò)放電使玻璃蓋片上的電荷被中和，而等離子體的離子使玻璃蓋片的表面再次處于帶電狀態(tài)，重復(fù)(1)～(4)的過(guò)程。

一次放電時(shí)間極短，放電過(guò)程中產(chǎn)生的熱量不會(huì)導(dǎo)致電池?zé)釗舸圆粫?huì)使太陽(yáng)電池片瞬間失效。但是研究表明，多次的一次放電可能會(huì)造成太陽(yáng)電池陣的性能衰退，影響程度與放電點(diǎn)的位置有關(guān)。

3.2 二次放電試驗(yàn)結(jié)果及分析

在二次放電試驗(yàn)中，采用負(fù)偏壓加等離子體環(huán)境的方法模擬反向電位梯度，引起一次放電，在給定串間電流的情況下，通過(guò)逐步增加串間電壓的方式確定太陽(yáng)電池陣的二次放電電壓閾值。

1)電池串并聯(lián)間隙1.0 mm

在試驗(yàn)中，串間電壓達(dá)到130 V時(shí)發(fā)生二次放電，如圖7所示。通道Ch1～Ch4獲得圖3中電流探頭CP1～CP4的數(shù)據(jù)，分別對(duì)應(yīng)曲線(xiàn)①～④。曲線(xiàn)②和③的數(shù)據(jù)相結(jié)合，可以判斷串間是否發(fā)生二次放電。曲線(xiàn)②表明，太陽(yáng)電池串間電流基本保持穩(wěn)定，而曲線(xiàn)③在曲線(xiàn)④出現(xiàn)脈沖尖峰后下降，說(shuō)明電池串輸出電流在該時(shí)刻并未輸出到模擬負(fù)載端(RL)，卻因串間出現(xiàn)的電弧具有阻抗而被短路分流。根據(jù)曲線(xiàn)②和曲線(xiàn)③的電流特性可知，這種下降過(guò)程持續(xù)約90 μs，而曲線(xiàn)④的脈沖寬度約為120 μs，因此該二次放電并未產(chǎn)生自持，而是隨靜電放電的發(fā)生而開(kāi)始，并在短時(shí)間內(nèi)自行熄滅。

使用Nikon Eclipse Lv150相機(jī)對(duì)試件拍照，得到二次放電位置的并聯(lián)間隙為1.1 mm，該位置上有明顯放電痕跡，實(shí)際放電位置串間電壓為120 V，其他放電位置未出現(xiàn)明顯放電痕跡。

圖7 1.0 mm并聯(lián)間隙時(shí)二次放電波形Fig.7 Waveform of secondary discharge at 1.0mm gap

2)電池串并聯(lián)間隙1.5 mm

在試驗(yàn)中，串間電壓達(dá)到143 V時(shí)發(fā)生二次放電，如圖8所示。通道Ch1～Ch4獲得圖3中電流探頭CP1～CP4的數(shù)據(jù)，分別對(duì)應(yīng)曲線(xiàn)①～④。根據(jù)曲線(xiàn)②和曲線(xiàn)③可知，發(fā)生了二次放電，放電電弧持續(xù)的時(shí)間約為100 μs，此后曲線(xiàn)②約有300 μs時(shí)間下降至0，導(dǎo)致曲線(xiàn)③在這段時(shí)間內(nèi)無(wú)法恢復(fù)至正常狀態(tài)。結(jié)合曲線(xiàn)④可知，該二次放電仍然無(wú)法自持，但放電產(chǎn)生的電流脈沖對(duì)模擬太陽(yáng)電池陣的電源產(chǎn)生影響(如曲線(xiàn)②所示)，從而引起太陽(yáng)電池串在短時(shí)間內(nèi)無(wú)法維持輸出。

對(duì)二次放電試件外觀的檢查結(jié)果表明：試驗(yàn)后未發(fā)現(xiàn)太陽(yáng)電池和玻璃蓋片碎裂，但可以觀測(cè)到較為明顯的放電痕跡。

圖8 1.5 mm并聯(lián)間隙時(shí)二次放電波形Fig.8 Waveform of secondary discharge at 1.5mm gap

3)電池串并聯(lián)間隙2.0 mm

在試驗(yàn)中，串間電壓達(dá)到145 V時(shí)發(fā)生二次放電，如圖9所示。通道Ch1～Ch4獲得圖3中電流探頭CP1～CP4的數(shù)據(jù)，分別對(duì)應(yīng)曲線(xiàn)①～④。根據(jù)曲線(xiàn)②和曲線(xiàn)③可知，發(fā)生了二次放電，放電電弧持續(xù)的時(shí)間約為120 μs，結(jié)合曲線(xiàn)④可知，該二次放電隨即熄滅，因此放電電弧也無(wú)法自持。

使用Nikon Eclipse Lv150相機(jī)拍照后可知，二次放電位置的并聯(lián)間隙為1.8 mm。

圖9 2.0 mm并聯(lián)間隙時(shí)二次放電波形Fig.9 Waveform of secondary discharge at 2.0mm gap

對(duì)二次放電的研究表明：一次放電時(shí)間極短，對(duì)太陽(yáng)電池陣造成的損傷是偶發(fā)和少量的；由一次放電誘發(fā)的二次放電，才是導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣局部失效的原因，其可能的失效機(jī)理分析如下。

(1)在絕緣體、導(dǎo)體和等離子體三交結(jié)區(qū)產(chǎn)生微秒級(jí)的一次放電。

(2)玻璃蓋片側(cè)面吸附的氣體脫離，形成薄薄的氣體層，使發(fā)生靜電放電的位置出現(xiàn)一個(gè)高濃度的等離子體區(qū)域。

(3)當(dāng)串間的電勢(shì)差高于閾值電壓時(shí)，太陽(yáng)電池電路的高電位和低電位之間的電流，流過(guò)高濃度的等離子體通路，持續(xù)時(shí)間一般為毫秒級(jí)，形成二次放電，其電能遠(yuǎn)高于一次放電。

(4)上述通路產(chǎn)生足夠的電量，使太陽(yáng)電池與太陽(yáng)電池陣基板之間的材料發(fā)生熱解，聚酰亞胺膜熱解炭化留下一個(gè)低阻通路，太陽(yáng)電池串電流流過(guò)此低阻通路形成閉環(huán)回路，導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣局部失效。

3.3 小結(jié)

對(duì)上述試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行綜合，如表2所示。在無(wú)防護(hù)措施(太陽(yáng)電池串并聯(lián)間隙1.0 mm)時(shí)，發(fā)生一次放電的閾值電壓為95 V，且多發(fā)生在三交結(jié)區(qū)；當(dāng)太陽(yáng)電池串并聯(lián)間隙由1.0 mm增大到2.0 mm時(shí)，二次放電電壓閾值由120 V提高到145 V，可以明顯地觀測(cè)到放電痕跡。利用相機(jī)對(duì)試驗(yàn)后的試件拍照，對(duì)比可知：發(fā)生二次放電后的試件上并未發(fā)現(xiàn)太陽(yáng)電池和玻璃蓋片碎裂，但能夠觀測(cè)到較為明顯的放電痕跡，這主要是因?yàn)殡娀‰娏鬏^低，燃弧的持續(xù)時(shí)間較短，燃弧的總電能較小，對(duì)試件的損傷程度較輕。隨著電壓閾值的進(jìn)一步提高，如果發(fā)生放電自持，那么長(zhǎng)燃弧時(shí)間和高電能會(huì)造成試件的大面積損傷，導(dǎo)致太陽(yáng)電池串短路。對(duì)比一次放電和二次放電可知：產(chǎn)生一次放電的電壓閾值比二次放電的電壓閾值低，而且一次放電的影響較小，電能也較低。增大電池串的并聯(lián)間隙，發(fā)生二次放電的電壓閾值會(huì)顯著地提高，因此增大并聯(lián)間隙對(duì)防止二次放電發(fā)生具有明顯的作用。

表2 試驗(yàn)結(jié)果

根據(jù)本文的研究結(jié)果，當(dāng)已經(jīng)確定母線(xiàn)電壓時(shí)，可根據(jù)發(fā)生一次放電和二次放電的電壓閾值，選取相應(yīng)的電池串間隙。當(dāng)母線(xiàn)電壓較高、要采取措施防止靜電放電發(fā)生時(shí)，可根據(jù)本文的試驗(yàn)結(jié)果選取相應(yīng)的間隙。以母線(xiàn)電壓100 V、并聯(lián)間隙1.0 mm為例，當(dāng)太陽(yáng)電池陣輸出電壓大于100 V時(shí)，在無(wú)任何防護(hù)情況下，會(huì)發(fā)生一次放電，一次放電也可能引發(fā)二次放電，因此要采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施，包括提高電池串間隙來(lái)減少或避免由于靜電放電導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣功率損失。根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果，當(dāng)間隙提高到1.5 mm時(shí)，發(fā)生二次放電的電壓閾值為143 V，遠(yuǎn)高于母線(xiàn)電壓100 V，因而可以減少靜電放電的發(fā)生。

4 結(jié)束語(yǔ)

本文針對(duì)LEO航天器高壓大功率太陽(yáng)電池陣靜電放電發(fā)生的機(jī)理、放電產(chǎn)生的電壓閾值進(jìn)行試驗(yàn)分析，研究了發(fā)生一次放電和二次放電的電壓閾值與電池串并聯(lián)間隙的關(guān)系，以及一次放電和二次放電對(duì)太陽(yáng)電池片的損傷情況，分析了一次放電和二次放電產(chǎn)生的原因。試驗(yàn)研究結(jié)果表明：加寬并聯(lián)間隙可以有效地提高二次放電電壓閾值；在母線(xiàn)電壓較高情況下，可根據(jù)上述試驗(yàn)結(jié)果選取相應(yīng)的并聯(lián)間隙，防止靜電放電的發(fā)生。上述試驗(yàn)結(jié)果可為L(zhǎng)EO高壓大功率太陽(yáng)電池陣的設(shè)計(jì)提供參考。

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(編輯：夏光)

朱立穎1喬明1劉業(yè)楠2陳琦1

(1 北京空間飛行器總體設(shè)計(jì)部， 北京 100094)(2 北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所， 北京 100094)

為了避免低地球軌道(LEO)航天器的高壓大功率太陽(yáng)電池陣與等離子體相互作用而發(fā)生靜電放電(ESD)現(xiàn)象，導(dǎo)致太陽(yáng)電池陣弧光放電引起太陽(yáng)電池陣失效，須要確定高壓大功率太陽(yáng)電池陣產(chǎn)生一次放電和二次放電的電壓閾值。文章模擬LEO真空等離子環(huán)境，采用剛性基板三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池試件，試驗(yàn)研究了LEO條件下發(fā)生一次放電和二次放電的電壓閾值。試驗(yàn)結(jié)果表明：試件發(fā)生一次放電的電壓閾值為95V；在提高電池串間隙時(shí)，發(fā)生二次放電的電壓閾值由120V提高到145V。分析一次放電和二次放電的產(chǎn)生原因可知：一次放電主要發(fā)生在三交結(jié)區(qū)；二次放電是由電子轟擊產(chǎn)生的，2.0mm間隙可以有效提高二次放電電壓閾值。此研究結(jié)果可為L(zhǎng)EO高壓大功率太陽(yáng)電池陣的設(shè)計(jì)提供參考。

低地球軌道航天器；太陽(yáng)電池陣；靜電放電；電壓閾值

Test and Analysis on Electrostatic Discharge of High Voltage and High Power Solar Array for LEO Spacecraft

ZHU Liying1QIAO Ming1LIU Yenan2CHEN Qi1

(1 Beijing Institute of Spacecraft System Engineering， Beijing 100094， China) (2 Beijing Institute of Spacecraft Environment Engineering， Beijing 100094， China)

The electrostatic discharge is caused by the interactions between high voltage and high power solar array and plasma in the LEO (low earth orbit) space environment. The arcing is caused by the electrostatic discharge which leads to the failures of the solar array. Thus, the threshold voltages of primary discharge and secondary discharge for a high voltage and high power solar array need to be determined. In the paper, the vacuum plasma environment in LEO is simulated to study the threshold voltages of primary discharge and the secondary discharge for high voltage and high power solar array. The triple-junction GaAs solar cell with rigid substrate specimens is used for the test. The test results show that the threshold voltage of primary discharge is 95V, and the threshold voltage of the secondary discharge increases from 120V to 145V with the increased gap of solar cell string. The primary discharge occurs mainly in the three-way cross junction region. Furthermore, the electron bombardment can be the cause of secondary discharge. The tests indicate that a 2.0mm gap can effectively improve the threshold voltage of secondary discharge in solar array. In a word, the study results provide a reference to the design of LEO high voltage and high power solar array.

LEO spacecraft； solar array； electrostatic discharge； threshold voltage

2014-04-11；

2015-06-18

國(guó)家自然科學(xué)基金(51407008)

朱立穎，女，博士，工程師，研究方向?yàn)楹教炱麟娫纯傮w設(shè)計(jì)。Email：zhuliying0123@gmail.com。

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A

10.3969/j.issn.1673-8748.2015.04.011