我國碳化硅材料襯底產品研制獲重大突破
2015-03-09 06:04:11KJ.0713
軍民兩用技術與產品 2015年15期
關鍵詞：產品
我國碳化硅材料襯底產品研制獲重大突破
山東天岳晶體材料有限公司承擔的“4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料”項目通過科技成果鑒定。專家認為，山東天岳公司自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產品性能達到國際先進、國內領先水平。
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率、耐高溫等特性，是新一代雷達系統的核心器件。長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產品的生產、加工難度大，世界上僅有少數國家掌握其制造技術，并一直對我國實施技術封鎖和產品禁運。山東天岳公司通過自主創新，開發出了滿足客戶需求的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產品，填補了國內空白，實現了該重要戰略半導體材料的自主生產。
4英寸高純半絕緣碳化硅半導體材料的研制成功，對于我國功率器件、深亞微米器件和微波功率器件的開發和應用具有重要意義，將在各種先進雷達系統等產品領域實現應用。 (KJ.0713)
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