模擬軟件在基區方阻實驗中的應用

宋玲玲，劉 劍，李 浩

（1.中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032；2.93271部隊，沈陽110032）

模擬軟件在基區方阻實驗中的應用

宋玲玲1，劉 劍1，李 浩2

（1.中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032；2.93271部隊，沈陽110032）

隨著IC工藝和器件物理研究的進展以及計算機技術的發展成熟，集成電路模擬軟件的功能和應用也同步擴展。目前國內大型生產線上幾乎均采用了同類軟件，主要用于工藝建模、優化工藝流程，一旦模擬與實驗擬合較好，建立模型庫，將極大的節省實驗所需時間、人力和物料。主要采用的是Sentaurus TCAD軟件模擬了TTL工藝的基區注入后擴散情況，模擬結果與實驗結果非常接近，該結果已經多次應用在產品的研制生產中。

模擬；工藝；結深；方阻

1 引 言

“模擬”英譯是simulation，目前國內比較普遍的定義有三類：

（1）一個系統或過程的功能用另一個系統或過程的功能模仿表示；

（2）用能適用于計算機的數學模型表示實際物理過程或系統；

（3）不用實驗對問題進行檢驗［1］。

目前微電子產業發展迅速，工序步驟細化，流片周期越來越長，以工藝試驗形式取得最佳工藝條件的傳統做法，已經不能滿足生產需要。而隨著半導體理論知識的深入、數字模擬技術的發展及計算機性能的不斷提高，采用以計算機為平臺、以半導體理論模型為基礎利用數字模擬技術進行工藝及器件性能仿真逐步代替了傳統的工藝制造方法，SUPREM－2是1978年就已經成功試制和釋放使用的IC工藝模擬軟件。由于模擬軟件簡便高效、節約成本等優點，該類軟件迅速占領了市場，目前已經在集成電路生產工藝中起到了不可替代的作用。

2 模擬、實驗過程及結論

采用Sentaurus Process工藝級仿真工具模擬TTL型電路的基區注入退火，該軟件可以通過模擬及仿真來驗證和預期工藝制程中尚存在的設計結構缺陷，甚至是工藝級設計所存在的問題［2］，是目前應用較廣的一款TCAD工藝模擬軟件。

2.1 模型建立

模擬軟件的應用首先需要對基礎網格進行定義，接著需要輸入選取的襯底材料（包括材料的電阻率、類型及晶向等）、注入雜質（包括雜質類型、注入劑量、能量及偏角等）和擴散條件（包括氧化溫度、時間、氣體及流量等）等相關信息，最后指定需要輸出結果的命令（包括輸出方阻、結深和氧化層厚度等指令）。其主要程序語句［3］如下：

2.1.1 初始化網格

line x loc＝0.0 tag＝SiTop spacing＝0.05

line x loc＝6 tag＝SiBottom spacing＝0.05

line y loc＝0.0 tag＝left spacing＝0.05

line y loc＝1 tag＝Right spacing＝0.05

2.1.2 定義電阻率為5的N＜111＞硅片

init concentration＝［CalcConcfromResistivity Silicon Phosphorus 5］field＝Phosphorus wafer.orient＝111！DelayFullD

2.1.3 注入基區需要硼雜質

implant Boron dose＝＠zhuru＠energy＝60 tilt＝7 rot＝0

2.1.4 擴散包括溫度時間氣氛

diffuse temp＿ramp＝T＿E4110A

2.1.5 提取結果

（1）提取氧化層厚度

sel z＝l

set xB1［interface Oxide／Silicon y＝1］

set xB2［interface Oxide／Gas y＝1］

puts＂DOE：OxB［expr（$xB1－$xB2）］＂

（2）提取結深

select z＝＂NetActive＂

set xB0［interpolate Silicon y＝1 value＝0］

大屏在線教育作為教育行業的新風口，持續成為資本市場的熱點，行業內并購融資頻發，一大批在線教育企業涌現。甚至有人斷言，未來30年，互聯網將是最好的“學區”。海信電視在大屏在線教育的細分市場方面，已搶占先機，取得了絕對優勢。

set xB3［lindex$xB0 0］

set xB4［interface Oxide／Silicon y＝1］

puts＂DOE：Xj［expr（$xB3－$xB4）］＂

（3）提取方阻

SheetResistance y＝1

Set sheetresistance［SheetResistance y＝1］

Puts“DOE：SheetR”

2.2 模擬結果

程序語言中的dose＝＠zhuru＠為可變參數，本論文模擬的注入劑量分別為3.0E14、4.5E14、 5.5E14和6.5E14四個值，對應的模擬結果如表1所示。

表1 不同注入劑量對應的模擬結果

2.3 實驗過程及結論

采用相同條件的生產線進行流片，選用電阻率為5的N＜111＞型單晶硅片，注入不同劑量的11B＋后進行清洗、氧化擴散，具體實驗結果如表2所示。這里需要指出的是，本實驗測試數據是任意五點取值，且由于實際注入氧化屏蔽層的厚度不均勻，及注入、氧化擴散的不均勻性，以及測試誤差都能造成差異。

表2 不同注入劑量對應的實驗結果

3 模擬結果優化及實驗對比分析

通過實驗和模擬結果的對比可以看出，無論是氧化層厚度、方阻或是結深的測試結果都與模擬結果十分接近。為了繪制趨勢圖，隨后又進行了2.0E15、2.5E15、3.0E15、3.5E15四個不同注入劑量的實驗，具體結果如表3所示。

表3 擴展實驗結果表

利用語句中temp＿ramp＝T＿E4110A調整氧化程序，優化模擬結果，與實驗數據統計結果如表4所示。

依據表4繪制趨勢圖，如圖1所示。

4 結論評價

集成電路工藝不斷發展，如何縮短開發周期并控制開發資金投入是新工藝開發的重要課題，虛擬環境下進行工藝設計為新工藝開發提供了一條低成本且高效的途經［4］。借助于TCAD虛擬FAB系統，可以完成從器件設計到器件模型參數的提取等工藝開發的所有工作。然而想要建立適合自己生產線上的標準模型，就必須完成單步工藝實驗檢驗，優化模擬程序使模擬結果更加接近實驗結果，最終建立的模型庫才能應用于該生產線上正式產品的研制生產過程。

目前本論文模擬的基區注入模型已經應用于生產線上雙極產品的生產，產品測試正常，且該模型在TTL工藝的新品研制過程中具有指導意義，直接應用不僅節省了研制周期，而且節省了大量實驗成本。

表4 實驗數據及優化后的模擬結果

圖1 模擬及實驗數據趨勢對比圖

［1］阮剛等.集成電路工藝和器件的計算機模擬［M］.上海：復旦大學出版社，2007.

［2］張憲敏，李惠軍，侯志剛，于英霞，等.新一代納米級器件物理特性仿真工具—SenTaurus Device［J］.納米器件與技術，2007（6）：299－304.ZHANG Xian min，LIHui jun，HOU Zhi gang，YU Ying xia.New Generation Physical Characteristic Simulation Tool of Nano－Level Device－－Sen Taurus Device［J］.Nanoelectronic Device＆Technology，2007（6）：299－304.

［3］Synopsys.Sentaurus device user guide［Z］.Synopsys Version Y－2006.06，2006.

［4］關彥青，程東方，王邦麟.用TCAD進行IC新工藝的開發［J］.微計算機信息，2006，22（28）：131－133，169.Guan Yan qing，Cheng Dong fang，Wang Bang lin.Using TCAD In ICProcess Development［J］.Control＆Automation，2006，22（28）：131－133，169.

Application of Simulation Software in Square Resistance Experiment of the Base Regain

SONG Ling－ling1，LIU Jian1，LIHao2
（1.The47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shenyang 110032，China；2.93271 Troops，Shenyang 110032，China）

With the progress of the IC technology and device physics research and the developmentof computer technology，function and application of the integrated circuit simulation software is also synchronized expansion.For processmodeling and optimization of process procedure，the same software is almost used in the domestic large production line.As the simulation and experiment fitting are better，the establishment of model base will greatly save the time for the experiment，the manpower and materials.The Sentaurus TCAD software is used to simulate the situation of the base region spread after injection of TTL process.The simulation results are close to the experimental ones，which are used in the development and production of the product formany times.

Simulation；Process；Junction depth；Junction depth

10.3969／j.issn.1002－2279.2014.06.005

TN402

：A

：1002－2279（2014）06－0014－03

宋玲玲（1982－），女，河北深州人，工程師，碩士研究生，主研方向：微電子學與固體電子學。

2014－04－22