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半閃速結構高速模數轉換器

2014-06-09 05:53:28徐東明王薈玲
西安郵電大學學報 2014年2期
關鍵詞:信號結構設計

徐東明,王薈玲

(1.西安郵電大學 深亞電子技術研究所,陜西 西安710061; 2.西安郵電大學 通信與信息工程學院,陜西 西安710121)

在不斷豐富的數字世界里,數據轉換器扮演著重要的角色。越來越多的數字產品需要在離散時序執行計算功能,就必須采用具備更高性能的數據轉換器,將模擬世界中的模擬信號轉換成數字信號。

常用的幾種模數轉換器類型包括積分型、逐次逼近型、閃速比較型、電容陣列逐次逼近型等,其中,閃速比較型模擬數字轉換器[1-2]將一個模擬信號轉換為碼字需要一個時鐘周期,共兩個相位階段:第一階段,模擬輸入電壓被采樣并輸入到比較器;第二階段,數字編碼網絡判斷正確的輸出碼字,并將其存入緩存中。由于在第一階段僅作了一次比較而實行轉換,所以其轉換速率高,但是n位轉換需要2n-1個比較器,造成電路規模大,芯片成本高,因而只適用于視頻模數轉換器等要求高速的領域。

針對以上問題,本文擬介紹一種半閃速結構,同閃速比較型一樣,它也需要兩個階段,但在第一階段通過兩步比較實現轉換,從而可減少比較器的數目,而在第二階段,則通過數字編碼網絡進行糾錯,以增加糾錯功能,提高電路的準確性。

1 總體設計思路

SE5510是一款CMOS、8位、20MSPS模數轉換器(Analog Digital Converter,ADC)[1],它利用了兩步閃速結構[2],又稱半閃速結構。SE5510用單5V電源工作且只消耗典型值為100mW的功率,它還包括有內部采樣和保持電路[3-8],具有高阻抗方式的并行口以及內部基準電阻[9-12]。

與閃速轉換器相比,半閃速結構僅采用了57個比較器,而閃速結構用到了28-1=255個比較器。因而半閃速結構大大的減少了功率損耗和芯片尺寸,通過在兩步過程中實現轉換,在高速轉換的同時能夠保持較低的功耗。

轉換數據的等待時間為2.5時鐘。內部基準電阻使用外部電壓源可產生標準的2V滿刻度轉換范圍。為了實現此選項,只需利用外部跳線器即可,如此可減少對外部基準和電阻器的要求。差分線性度在25℃時為0.5倍的最低有效位(Least Significant Bit,LSB),而在整個工作溫度范圍(-20~75℃)內的最大值為0.75LSB,用差分增益1%和差分相位0.7%可以規定動態特性范圍。

由于SE5510不僅具有高速的A/D轉換功能,而且還帶有內部采樣保持電路,從而大大簡化了外圍電路的設計;同時,由于其內部帶有了標準分壓電阻,因而可以從+5V的電源獲得2V滿刻度的基準電壓。SE5510可應用于數字TV、醫學圖像、視頻會議、高速數據轉換以及解調器等方面。

2 系統主要設計模塊

2.1 分壓器

如圖1所示,在基準電壓分壓器中,參考電壓被16個量化電阻平均劃分為16個粗比較值,由15個電阻分接頭引出連接到高4位編碼比較器的同相端,與模擬輸入信號進行比較,比較的結果再經過高4位編碼器,產生一個模擬輸入信號所在區間值和高四位編碼輸出值。在基準電壓分壓器中每個粗比較值又被劃分為16個細比較值,由15個電阻分接頭引出,由區間值選擇與粗比較值相對應的15個細比較值,輸出到低四位編碼比較器的同相端,與模擬輸入電壓比較,比較結果再經過低4位編碼器編碼,產生一個低四位編碼輸出值。

圖1 整體框架

2.2 比較器

如圖1所示,高4位采樣比較器包含15個高速采樣比較器,用來對內部參考電壓和模擬輸入信號進行比較;含有兩組低4位比較器,每組各包含21個高速采樣比較器,其中15個用來對電阻分壓值和模擬輸入信號進行比較,剩下的6個用來對與分壓值緊鄰的6個細電阻值和模擬輸入進行比較。總共用到了57個比較器。其中低4位采樣比較器的可能輸出結果如圖2所示。0表示模擬輸入信號比參考電壓高,1表示模擬輸入信號比參考電壓低。

2.3 高/低4位編碼

2.3.1 低4位編碼

低4位編碼器對低4位采樣比較器的輸出結果進行編碼,并產生EN1、EN2用來控制高4位編碼器。在圖2中,對于前3列有

對于后3列,有

對其余的中間16列,有

圖2 低4位比較器輸出

2.3.2 高四位編碼

高4位編碼器,如圖3所示。如果(EN1EN2)的輸出是(11),則正常編碼輸出,不需要校正,如果是(01)或者(10),則需要校正成相應行的(11)值。

由于輸入是一個變化且含有噪聲的信號,如果輸入信號和參考電壓很接近時,比較器的輸出就有可能為低也有可能為高,這樣就會產生比較誤差,而且高、低比較器的采樣是在兩個時間段進行的,因此采樣數據也會有偏差。為了防止在高4位粗值比較時產生偏差,可在低4位比較時在15個比較器的基礎上多用6個比較器,以對與分壓值緊鄰的6個細電阻值和模擬輸入進行比較。如果兩次比較的結果在同一個粗值區間內,則正常輸出。如果兩次比較的結果不再同一個粗值區間內,則高4位編碼按細比較的結果重新進行編碼。

圖3 EN1EN2所對應的高4位編碼輸出

3 時序分析

如圖4所示,先在第一個時鐘周期的下降沿開始采樣高4位比較器的模擬輸入電壓,在第二個時鐘周期的上升沿確定高位采樣數據并產生高4位編碼值,并輸出到寄存器中;再在第二個時鐘下降沿采樣低4位比較器的模擬輸入電壓,在第三個時鐘上升沿確定低位采樣數據,產生低4位編碼值,并輸出到寄存器中,由此產生校準信號EN1和EN2;接著在第三個時鐘下降沿校準高4位編碼值,在第四個時鐘上升沿輸出最終結果。這樣,第N次采集的數據經過2.5時鐘周期的延遲之后,便可送到內部數據總線上。

需要注意的是,這種半閃速結構是每隔一個時鐘周期輸出一次轉換結果,與閃速結構相比,轉換速率是相同的,僅僅是延遲了2.5時鐘周期輸出結果,而閃速結構是延遲1.0時鐘周期輸出結果。

圖4 內部功能時序

4 系統仿真結果

應用Hspice軟件[13]進行仿真,輸入信號頻率為546 875Hz,采樣頻率為20MHz時,其信噪比為49dB,有效位數為7.8bit,仿真結果如圖5所示。

曲線analog_in是待轉換的模擬輸入正弦波形,曲線Vout_Idea為輸入正弦波經過理想A/D轉換和理想D/A還原后得到的波形,曲線Vout_5510為輸入正弦波通過SE5510進行A/D轉換和理想D/A還原后得到的波形,通過對比發現,SE5510轉換結果與理想A/D基本吻合,只是延時輸出了2.5時鐘周期。

圖5 仿真結果

5 結語

SE5510在電路結構上能實現和閃速結構同樣的精度與速度,由于比較器個數的減少,降低了功耗,通過版圖布局[14]可降低芯片面積。在實際設計的過程中發現SE5510的精度和速度在很大程度上取決于內部比較器的結構和參數,設計時需要在功耗,速度,精度之間進行折中。不同的版圖布局和走線對它的影響也非常的大,因為較大的版圖失配和寄生電阻和電容引入的誤差往往無法忽略。本文所設計的A/D轉換器用Cadence軟件分析設計,并在Hspice軟件中完成了功能仿真。仿真結果表明,設計的8位A/D動態參數接近理想A/D的動態參數,達到了預期設計目標。

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