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北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)體聲波濾波器設計

2014-06-01 09:07:05
中國新技術新產品 2014年4期
關鍵詞:模型

(中國海洋大學信息科學與工程學院,山東 青島 266100)

北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)體聲波濾波器設計

王 帥 徐凌偉

(中國海洋大學信息科學與工程學院,山東 青島 266100)

隨著無線通訊市場對微型化通信設備需求的增長,普通的聲表面波濾波器已經無法滿足集成化需求,一種具有更高諧振頻率和穩(wěn)定性的體聲波濾波器應運而生。本文以薄膜體聲波濾波器為模型,在ADS仿真基礎上設計出了適用于北斗B1頻點的窄帶濾波器。濾波器頻帶范圍為1550Mhz~1570Mhz,帶外抑制48.8dB,插損3.1dB可以有效屏蔽GPS L1頻段信號的干擾。

體聲波濾波器;氮化鋁材料;梅森模型;北斗導航系統(tǒng)

隨著無線通信技術的發(fā)展,通信設備對頻帶的需求日益激增,寬頻帶通信已經逐漸被碎片化的窄帶通信所代替,較小的帶寬對濾波器的漂移和滾降提出了更高的要求。同時,隨著通信電子類產品微型化、集成化的發(fā)展趨勢,傳統(tǒng)濾波器濾的應用已受到體積的制約。作為曾經大規(guī)模應用的聲表面波濾波器,其制作工藝和材料決定了它功率低且無法與半導體襯底集成,制約了通訊產品的微型化進程。薄膜體聲波諧振器(FBAR)自1965年研制成功以來,它的高頻率、高功率容量、低功耗與微型化的體積逐漸受到人們的關注。2000年,安捷倫公司研制成功基于AlN的FBAR雙工器,一舉占領美國雙工器市場,FBAR成為濾波器行業(yè)性的熱點。

本文采用AlN薄膜為主要材料。通過ADS仿真軟件對電極層、壓電層、襯底層進行建模和聯(lián)合仿真。成功設計出適用于北斗二代衛(wèi)星導航系統(tǒng)B1頻點的前端濾波器。通過對襯底厚度和串并聯(lián)單元數進行優(yōu)化,最終得到的仿真結果為頻帶范圍1550MHz~1570MHz,帶外抑制60dB,插損4.3dB,滿足的既定的設計要求。

圖1 空氣隙型濾波器結構圖

1 FBAR諧振器結構與工作原理

FBAR諧振器整體結構一般有膜安裝方式(MMR)、固態(tài)安裝方式(SMR)與空氣隙安裝方式(AGR)。膜安裝方式諧振器通過腐蝕底層襯底層形成,材料利用率低,同時壓電材料與襯底接觸面積小,因此容易脫落。固態(tài)安裝方式諧振器采用布拉格反射層形成,其接觸面積在三者之中最大,但制作周期同樣較大,不利于大規(guī)模生產。空氣隙安裝方式的性能與成本介于兩者之間。綜合考慮,本文采用空氣隙型濾波器作為仿真對象。

圖1是空氣隙型濾波器結構圖,它由上下電極層、壓電層、支撐層、Si襯底層組成,在支撐層與Si襯底層之間通過刻蝕技術形成空氣隙。

對于壓電材料,我們可以通過一維梅森公式建立其等效模型。對于壓電層的阻抗,如公式(1)~(4)所示:

圖2 諧振器模型

對于北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng),其B1頻點為1561.098Mhz,而與之臨近的GPS的L1頻段為1575.42MHz,頻點相距僅14.4MHz,這就要求前端濾波器具有窄頻帶和快速滾降的特點,通過調整FBAR諧振器的壓電層、電極層與支撐層厚度總能使串聯(lián)諧振器的串聯(lián)諧振頻率落在L1頻段;同時為了保證阻抗最小值在北斗B1頻點附近,需要在允許的范圍內減薄壓電層的厚度。

圖3 系統(tǒng)阻抗特性

表1 諧振器參數

圖4 濾波器仿真結果

2 體聲波濾波器建模

對FBAR濾波器的建模可以基于聲學層和電學層。分別稱為FBAR濾波器的Mason模型和MBVD模型。為了較為方便的對各層參數進行調整,本文對各層建立了Mason模型,采用一維聲學壓電方程對各層進行描述。

聲波由材料至空氣面能夠發(fā)生全反射,因此對各層按上電極、壓電層、下電極和支撐層的順序進行串聯(lián),如圖2所示。其中壓電層3、4端口為電學接口,可以采用散射參數對系統(tǒng)進行測量。

采用雙端口網絡仿真時,系統(tǒng)的S參數與阻抗特性參照公式5。

考慮到設計對快速滾降的需求,本文采用梯形濾波器進行多級仿真。同時對于這種連接方式,并通過增加串并聯(lián)單元數量提高濾波器性能。根據濾波器中心頻率,可以計算出串、并聯(lián)諧振器的初始頻率,從而獲得諧振器的初始結構參數,如表1所示。

圖4為三級濾波器串聯(lián)獲得的S參數仿真曲線,可以看到,初始通帶范圍為1.55GHz~1.57GHz,通帶插損3.1dB,帶外抑制達到48.8dB。窄通帶范圍能夠很好的抑制GPS信號的干擾。

結語

本文以性能優(yōu)異的AlN材料為基礎,通過ADS仿真設計出了符合北斗B1頻段的濾波器。其快速滾降和帶外抑制能力能夠很好的濾除帶外干擾。同時在制備的過程中應注意提高工藝,減少寄生頻率,使生產成品能夠達到預期效果。

[1]M.Norling ,J. Enlund,S. Gevorgian and I. Katardjiev “A 2 GHz oscillator based on a solidly mounted thin film bulk acoustic wave resonator”, IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig.,pp.1813-1816 2006

[2]Hara M,etal.MEMS based thin film 2 GHz resonator for CMOS integration [C].Philadelphia∶2003 IEEE MTT-S InternationalMicrowave Symposium Digest, 2003∶ 1797-1800.

[3]Lakin KM. Modeling of thin film resonators andfilters[C]. Albuquerque∶ 1992 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1992∶ 149-152.

TU85 < class="emphasis_bold"> 文獻標識碼:A

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