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多晶硅片清洗制絨均勻性的研究

2014-05-10 06:46:32楊飛飛王森濤賈彥科
通信電源技術 2014年1期

楊飛飛,張 欣,王森濤,賈彥科

(山西潞安太陽能科技有限責任公司,山西 長治046000)

0 引 言

多晶硅電池因其成本低,占據了很大的光伏市場。在太陽能電池的生產工藝中,硅片表面絨面可以有效地降低太陽電池的表面反射率。酸腐蝕絨面技術是成本最低、應用廣泛的多晶硅電池片制絨技術。但是在實際應用中,酸腐蝕制絨存在刻蝕不均勻問題,制絨不均勻會造成氮化硅減反射膜的嚴重色差。本文對制絨引起的色差進行了詳細的研究。

1 酸制絨機理

HF-HNO3腐蝕系統是由 HF,HNO3和 H2O(或CH3COOH)按一定比例混合而成,本實驗使用去離子水H2O作為緩沖劑。一般認為多晶Si片的酸腐蝕過程由兩步進行,Si的氧化還原過程和中間物SiO2的溶解過程[1]。整個反應過程如下:

反應發生時,硅片表面的陽極反應為:

陰極反應為:

總反應為:

式中,h表示空穴;e表示電子[2]。通常n為(2~4),和腐蝕電流的倍增因子有關。

酸制絨中影響因素比較多,包括酸混合液的配比、緩沖劑、溫度和時間,都會對硅片表面微觀結構產生影響,而且會導致不同的腐蝕速率。

2 實驗方案及實驗結果

實驗所用硅片為賽維LDK多晶P型硅片,面積為156×156 mm2,電阻率為1~3Ω·cm,厚度為200μm,使用Centrotherm制絨設備,HF酸原液的質量分數為49%,HNO3的質量分數為68%。硅片經不同配比HF與HNO3溶液腐蝕后,依次經堿洗、酸洗、水洗、烘干工序,再用金相顯微鏡、反射率及少子壽命測試儀分析,觀察硅片表面形貌、少子壽命大小、反射率情況,然后按正常電池工藝生產,PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)鍍膜后觀察電池片表面色差情況,根據色差情況確定最優的制絨工藝配方。

實驗使用三組晶花分布一致的硅片,排除微晶硅片對實驗結果的影響。每組數量20片,制絨前測試每組硅片的平均反射率及少子壽命,記錄其大小如表1。

表1 原始硅片反射率及少子壽命

三組硅片分別使用不同配比的制絨配方,A組HF:HNO3=1:4,B組 HF:HNO3=1:3.5,C組 HF:HNO3=1:3。同時測試制絨后三組的反射率、少子壽命,并且利用金相顯微鏡觀察不同配比的硅片容貌。表2為實驗所測數據。

表2 制絨后硅片反射率及少子壽命

將三組制絨后硅片按后續工藝生產,經PECVD后利用橢偏儀測試膜厚結果,表3為三組膜厚測試結果。

表3 鍍膜后硅片膜厚及少子壽命

3 分析與討論

3.1 硅片參數分析

由上述三組的硅片反射率、少子壽命的大小可以看出,硅片經制絨前無論反射光譜或少子壽命都區別不大,排除了硅片本身缺陷帶來的影響,保證了結果的可靠性。

3.2 制絨后硅片參數分析

將三組硅片制絨后按不同配比與少子壽命、反射率做圖分析,如圖1、圖2所示。同時利用金相顯微鏡觀察三組制絨后硅片的表面形貌,如圖3、圖4所示。

圖1 少子壽命趨勢圖

圖2 反射率趨勢圖

圖3 不同溶液配比金相微觀圖對比

圖4 不同溶液配比、不同晶向下金相微觀圖對比

圖1顯示HF與HNO3配比越大,少子壽命相對越低,其主要原因可能為,HF的濃度大腐蝕速率快,腐蝕坑多且邊緣較尖銳,容易引入新的制絨損傷;當降低HF濃度時,腐蝕相對較慢,腐蝕坑較少且坑淺一些,邊緣較光滑,而且表面存在未刻蝕掉的SiO2層,鈍化了表面缺陷,減少了復合濃度中心。這可由三組表面微觀結構圖3看出。

圖2顯示HF與HNO3配比越大,表面越暗,反射率越低,由圖3中可以看出,隨著HF酸濃度的加大,表面腐蝕坑隨之變小變多,分布均勻,很大程度上減少了表面的反射率。

圖4顯示不同晶向對刻蝕后硅片表面形貌的影響,由圖中對比可看出,增大HF配比濃度后,不同晶向的表面形貌差異性也減小,可見如果僅僅從整體硅片的刻蝕均勻性來考慮,高HF濃度配比有利于腐蝕向著各向同性的方向進行。

經上述分析所述,針對制絨工藝段可增加比率參數,定義為少子壽命與反射率之比:

式中,η表示比率;τ是少子壽命;k是反射系數(反射率)。并經計算三組的比率值分別為A組0.241,B組0.256,C組0.242。

3.3 PEVCD鍍膜后硅片參數分析

由表3數據可以看出,反射率為19%分組硅片中心區域膜厚為87 nm,顏色為淺藍;反射率為18%的中心區域的膜厚為85 nm,顏色為藍色,反射率為17%的中心區域膜厚83 nm,顏色變暗紅??梢?,反射率越低,鍍膜后電池片平均膜厚越低,由圖3制絨金相顯微鏡圖分析其原因為,反射率低對應刻蝕坑多,導致有效表面積增大,相應鍍膜面積增多,故膜厚較薄,顏色較深。中心區域反射率越低整片顏色越均勻,色差情況越小。同時在實驗中發現,當平均反射率在18%,單片邊緣反射率低于17%的比例大于8%時,鍍膜后色差會出現暗紅色,故實際工藝時應避免此類情況。

3.4 結果測試

將三組硅片送至絲網印刷制成電池片,測試其效率,各參數見表4。

由表4中數據分析,三組效率中效率最高者對應比率參數η最大。基于此以及電池片的等級劃分,A級為淺顏色,故實際生產中為減少鍍膜后色差反射率應選取18%~19%,且比率參數η最大的工藝配方。

表4 絲網印刷后電學性能參數

4 結 論

通過量化手段控制初期制絨工藝配方參數,使反射率控制在合理的范圍內,可以保證氮化硅膜厚達到要求的標準,滿足生產需求。

[1]肖文明,檀柏梅,劉玉嶺,牛新環,邊 征.多晶SI太陽電池表面酸腐蝕制絨的研究[J].顯微、測量、微細加工技術與設備,2009,46(10):627-631.

[2]孫曉峰.多晶硅絨面的制備及在太陽能電池中的應用[D].鄭州:鄭州大學,2004.

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