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基于紅外焦平面讀出電路應用的多層stack電容設計及SPICE模型研究

2014-04-29 00:00:00葉偉戴佼容劉斯揚孫偉鋒
航空兵器 2014年4期

摘要:基于0.5μmCMOS工藝設計并制備了一種應用于紅外焦平面讀出電路的多層堆疊(stack)電容結構,測試結果表明,相比單一形式電容,stack電容的單位面積值增大兩倍以上,因而能夠有效地提升紅外焦平面讀出電路的電荷存儲能力。此外,本文還為設計的多層stack電容建立了一套描述其電學特性的SPICE模型,模型均方根誤差在2%以內,因此可以準確描述stack電容的電學特性,滿足了紅外焦平面讀出電路的仿真設計要求。

關鍵詞:紅外焦平面讀出電路;stack電容;SPICE模型;BSIM3V3模型;邊緣效應

中圖分類號:TN215文獻標識碼:A文章編號:1673-5048(2014)04-0049-05

0引言

紅外焦平面陣列(InfraredFocalPlaneArray,IRFPA)是一種高性能的紅外固體圖像傳感器,也是紅外成像技術中獲取紅外圖像信號的核心光電器件。它主要由紅外探測器陣列和讀出電路(ReadoutCircuit,ROIC)陣列組成[1-4],其工作性能不僅與探測器性能,如量子效率、光譜響應、噪聲譜、均勻性等有關,還與信號的輸出性能,如電路輸入級的電荷存儲、均勻性、線性度、噪聲譜、注入效率,讀出電路中的電荷轉移效率、電荷處理能力、串擾等有關。對于許多成熟的紅外焦平面探測器技術來說,目前限制紅外焦平面陣列性能的不再是紅外探測器陣列,而是紅外焦平面陣列中的讀出電路部分。紅外焦平面讀出電路中的積分電容則體現了電路存儲電荷的能力,積分電容容量的增加能夠有效提升焦平面陣列的電荷處理能力,進而提升紅外焦平面的動態范圍、信噪比以及靈敏度,提高圖像信號的質量。

與當前紅外讀出電路大多采用的單層MOS電容相比,采用多層stack電容的較少,目前報道的采用的stack電容多為兩層或者三層[5-7]。多層stack電容采用縱向“堆疊”的工藝,能夠在有限的空間內有效增大紅外讀出電路的積分電容容量,很好地平衡電容容量和占用面積的關系。

SPICE(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)模型是工藝代工廠和電路設計者之間的橋梁,很多研究機構以及EDA供應商在SPICE模型的研究上投入了大量的精力。然而,到目前為止還沒有出現能夠描述stack電容電學特性的SPICE模型。

本文基于0.5μmCMOS工藝設計了一種應用于紅外焦平面讀出電路的多層stack電容,該電容采用四層縱向“堆疊”工藝,可以在更小的空間內獲得更大的電容容量,并為該電容建立了一套描述電容特性的SPICE模型。

1stack電容的結構設計

圖1為設計的多層stack電容示意圖,最下層為MOS電容,在MOS電容的柵氧化層上方形成一層PIP(Poly-Insulator-Poly)電容,在A2層與A3層之間形成一層MIM(Metal-Insulator-Metal)電容(記為MIM1電容),A3層與A4層之間形成另一層MIM電容(記為MIM2電容)。MIM1電容、MIM2電容、PIP電容以及MOS電容為并聯關系。

由圖2可以看出,stack電容在其MOS電容處于反型區時的電容值為5.5pF,處于積累區的電容值為7.6pF;且處于積累區的stack電容值隨著偏置電壓變化的幅度更小。

由圖2所還可以看出,占用面積同為32μm×32μm,stack電容能獲得7.6pF的電容容量,而MOS電容、MIM電容、PIP電容分別為2.5pF,2.1pF,1.7pF,stack電容的容量較其他單一形式電容增大兩倍以上。可見,作為紅外焦平面讀出電路的積分電容,所制備的stack電容在較小的空間內能夠保證更大的電容容量,較之MOS電容、MIM電容、PIP電容等單一形式電容有明顯的優勢。

2stack電容的SPICE模型建模

stack電容SPICE模型的建模思路如圖3所示,分別對MOS電容、MIM電容、PIP電容建立SPICE模型。

2.1MOS電容的SPICE模型

設計中,MOS電容模型應用BSIM3V3模型[8-11],該SPICE模型的示意圖如圖4所示。

在極板面的線度與極板之間距離相近時,在平板電容的邊緣處由于電極形狀的限制,電場線從極板間區域擴展到外部空間[12-13]。如圖6所示,電場線由平行線變為呈開口狀分布,式(12)無法適用于邊緣處的電容。

3結論

本文基于0.5μmCMOS工藝設計并制備了一種適用于紅外讀出電路的多層stack電容,該電容能夠在有限的空間內有效增加積分電容容量,從而有效提升紅外讀出電路存儲電荷的能力;將stack電容視為MOS電容、MIM電容、PIP電容的并聯,進而得出了stack電容精確的SPICE模型。經驗證,該模型的均方根誤差均在2%之內,具有很高的精確度,可以準確描述stack電容的電學特性,滿足紅外讀出電路的仿真設計。

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